ASML新型光刻機(jī)28億一臺(tái)，臺(tái)積電：暫不引進(jìn)，舊的還能用

▲圖源：路透社

芯東西（公眾號(hào)：aichip001）
編譯 劉煜
編輯 陳駿達(dá)

芯東西4月23日消息，今天，據(jù)彭博社報(bào)道，在2026北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電聯(lián)席副首席運(yùn)營(yíng)官Kevin Zhang（張曉強(qiáng)）稱，在2029年以前，臺(tái)積電不會(huì)采購(gòu)ASML新一代高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)（High-NA EUV）。消息一出，當(dāng)天ASML美股短時(shí)下跌，盤中最大跌幅超4%，截止最后收盤下跌1.05%。

▲ASML股價(jià)（圖源：騰訊自選股）

該款光刻機(jī)是支撐1.4nm及以下先進(jìn)制程的核心裝備，分辨率與制程能力顯著優(yōu)于上一代，但此類設(shè)備單價(jià)逾3.5億歐元（約合人民幣27.98億元），接近主流低數(shù)值孔徑紫外光刻機(jī)（Low?NA EUV）設(shè)備的1.8倍。

現(xiàn)階段，AI與先進(jìn)制程需求雖旺，但High?NA對(duì)應(yīng)的1.4nm及以下節(jié)點(diǎn)尚未大規(guī)模爆發(fā)，大規(guī)模采購(gòu)難快速回本。

據(jù)美國(guó)媒體《EE Times》報(bào)道，張曉強(qiáng)稱：“我必須說(shuō)，我對(duì)我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)感到驚嘆。他們持續(xù)找到不依賴High-NA EUV就能實(shí)現(xiàn)工藝微縮的方法?；蛟S未來(lái)某一天我們不得不使用它，但就目前而言，我們?nèi)阅軓默F(xiàn)有EUV中挖掘收益，不必轉(zhuǎn)向High-NA EUV——畢竟它極其昂貴。”

臺(tái)積電計(jì)劃投產(chǎn)的A13和A12均無(wú)需使用High-NA EUV光刻設(shè)備，該公司將繼續(xù)使用ASML的Low?NA EUV設(shè)備以及工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)其規(guī)劃的2029年的穩(wěn)定量產(chǎn)路線。

張曉強(qiáng)說(shuō)道：“去年我們發(fā)布了基于最先進(jìn)的第二代納米片技術(shù)的A14制程，計(jì)劃于2028年投產(chǎn)。今年，我們將發(fā)布A14的衍生版，包括A13和A12，均計(jì)劃于2029年投產(chǎn)。”

今年1月下旬，在2025年第四季度及全年財(cái)報(bào)發(fā)布會(huì)上，ASML稱，預(yù)計(jì)2026年的增長(zhǎng)主要由EUV設(shè)備銷量的大幅提升，以及存量設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)收入的增長(zhǎng)所驅(qū)動(dòng)。

同時(shí)，該公司預(yù)計(jì)其2030年的潛在市場(chǎng)規(guī)模（營(yíng)收機(jī)會(huì)）將達(dá)到440億歐元（約合人民幣3517.58億元）至600億歐元（約合人民幣4796.88億元），毛利率將在56%至60%之間。

ASML稱，其正與客戶共同推進(jìn)High-NA EUV平臺(tái)的成熟化，確保按計(jì)劃在2026年底前滿足大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）條件，并于2027至2028年在客戶產(chǎn)線正式投入應(yīng)用。

而據(jù)彭博社供應(yīng)鏈數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電是ASML的最大客戶。臺(tái)積電此次宣布，2029年前將不采購(gòu)能為ASML貢獻(xiàn)高營(yíng)收的High-NA EUV設(shè)備，無(wú)疑會(huì)對(duì)ASML的營(yíng)收增長(zhǎng)造成一定影響。

此外，全球光刻設(shè)備市場(chǎng)的格局轉(zhuǎn)變或早有預(yù)兆。4月中旬，ASML發(fā)布的最新財(cái)報(bào)顯示，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在其設(shè)備凈銷售額中的占比降至23%；中國(guó)大陸市場(chǎng)占比從去年四季度的逾三分之一回落至19%。

而韓國(guó)市場(chǎng)由于其存儲(chǔ)廠商的大規(guī)模的設(shè)備采購(gòu)需求，成為ASML現(xiàn)階段全球第一大營(yíng)收來(lái)源地。

結(jié)語(yǔ)：臺(tái)積電暫緩高階光刻設(shè)備，或重塑下一代光刻商業(yè)化節(jié)奏

綜合來(lái)看，臺(tái)積電基于成本、投資回報(bào)與現(xiàn)有工藝迭代節(jié)奏，明確推遲High-NA EUV的導(dǎo)入節(jié)奏。依托成熟Low-NA EUV疊加工藝優(yōu)化，臺(tái)積電或得以在2029年前維持先進(jìn)制程穩(wěn)步迭代。

此次供需雙方預(yù)期錯(cuò)配，不僅給ASML長(zhǎng)期增長(zhǎng)目標(biāo)增添不確定性，也意味著未來(lái)數(shù)年，全球部分尖端芯片制造或?qū)⑦M(jìn)入無(wú)High-NA EUV加持的過(guò)渡發(fā)展階段。

不過(guò)，今年3月下旬，SK海力士已經(jīng)與ASML簽訂EUV光刻設(shè)備采購(gòu)協(xié)議，該協(xié)議有效期至2027年，采購(gòu)規(guī)模達(dá)到11.95萬(wàn)億韓元（約合人民幣553.7億元）。

在這一背景下，三星等廠商之后的設(shè)備采購(gòu)動(dòng)向以及其先進(jìn)制程的釋放節(jié)奏，將成為后續(xù)影響High-NA EUV的商業(yè)化進(jìn)程，以及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格局走向的重要變量。