快科技5月7日消息,在2026年SID Display Week開幕首日,TCL華星全球首發14英寸矩陣分區分頻Oxide筆電屏,搭載自研超高遷50氧化物技術與ARR多區動態變頻技術,首次實現LCD面板0.01Hz超低刷新率,屏幕功耗直降50%。
在傳統非晶硅方案中,遷移率天花板使其完全無法驅動這種超低刷新率;低溫多晶硅雖遷移率高,但漏電流過大導致低頻畫面閃爍,同樣無法勝任。
面對這兩種技術路徑各自無法繞開的結構性短板,TCL華星此次公開的超高遷50氧化物技術從三個維度展開了針對性突破。
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其一,電子遷移率被推至50cm2/V·s。TCL華星攜手細野秀雄教授,引入聯動式旋轉靶濺射成膜技術,疊加復合疊層設計與復合修復工藝,徹底解決了高遷材料中銦(In)含量過高帶來的器件及工藝問題,材料遷移率大幅提升。
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其二,穩定性問題被徹底攻克。通過對絕緣層中氫氧組分的精準平衡調控,實現低缺陷界面構筑與高致密阻隔層制備,漏電被有效抑制。
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其三,全鏈路設計適配高分高刷場景。TCL華星通過新型電路架構開發與TFT器件結構優化,有效緩解遷移率提升帶來的閾值電壓漂移與自發熱效應,充分釋放高遷移率材料的性能潛力。
經過新型電路架構與TFT器件優化,超高遷50氧化物已具備驅動高分高刷場景的硬件基礎。實現超低刷新只是第一步,如何讓屏幕在不同區域靈活切換刷新率才是產品化的關鍵。
為此,AI技術被同步深度嵌入面板控制系統。 LCD屏幕被劃分為若干個獨立可控的刷新區域,在AI場景識別的加持下,視頻區域維持高刷新率保證流暢度,靜止區域則自動降至0.01Hz,硬件級功耗得到大幅壓縮。
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此外,AI畫質補償算法同步對各分區進行色域與亮度調校,保證高低刷切換時畫面均勻無閃爍。
TCL華星已于2024年完成常規氧化物量產落地,2025年達成高遷30量產,并明確計劃在2026年內實現超高遷50的規模化量產。
目前,搭載全球首款超高遷50氧化物技術的14英寸矩陣分區分頻筆電屏已在SID完成全球首發。
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