IT之家 5 月 4 日消息,據 TrendForce 今天報道,鎧俠、閃迪將在 6 月 14-18 日參加 VLSI Symposium 研討會,屆時將同步展出多層堆疊單元架構 QLC NAND 閃存,向突破 1000 層 3D NAND 邁進。
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據報道,閃迪和鎧俠已經提前展示了 MSA-CBA(IT之家注:多層堆疊單元陣列-CMOS 鍵合)器件架構圖,還帶有兩塊 218 字線陣列晶圓形成的堆疊單元陣列的 FIB-SEM 圖像。
值得注意的是,鎧俠早在 2024 年就提出了 1000 層 3D NAND 路線圖。根據日媒 PC Watch 的說法,鎧俠預計到 2027 年,NAND 閃存密度有望達到 100 Gbit / mm2,同時實現 1000 字線 3D NAND。
而三星電子雖然也規劃過 1000 層 NAND 路線,但最終選擇更穩健的策略。該公司曾在舊金山國際固態電路大會(ISSCC)展示 multi-BV NAND 概念,通過將兩塊晶圓堆疊在兩塊外圍晶圓上,實現 1000 層擴展,整體思路與鎧俠的方案高度相似。
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