存儲芯片史上最罕見的逆襲！

本周，國產(chǎn)存儲雙雄先后更新IPO進度，預(yù)計將在下半年先后登陸A股！

一旦上市，以它們當下的靚麗業(yè)績，大概率將成為科創(chuàng)板的前三。

但回顧它們的來時路，每一步，都是驚心動魄，簡直就是從死人堆里爬出來的。

畢竟，存儲芯片是全球高科技產(chǎn)業(yè)的博弈棋局中，最殘酷的賽道之一。

過去二十年，全球存儲行業(yè)形成了極為穩(wěn)固的壟斷格局：

DRAM內(nèi)存市場，韓美三巨頭瓜分了全球95%的份額；NAND閃存市場，韓美日五巨頭壟斷超90%市場。

這種壟斷格局的背后，是大量昔日巨頭的破產(chǎn)、倒閉，大浪淘沙；

也是剩下來的這批王者，靠專利封鎖、設(shè)備卡喉等鑄造起來的強大護城河。

咱們中國，是全球最大的工業(yè)國，擁有最大規(guī)模的電子產(chǎn)業(yè)鏈，最大的消費市場。

但偏偏在存儲芯片產(chǎn)業(yè)上，曾經(jīng)自給率趨近于零。

十年前的2016年，中國芯片進口就高達2271億美元，超過了石油進口的1166億美元，躍升為最大進口商品。

而在那兩千多億美元的進口芯片中，存儲芯片的占比高達三分之一。

手機、電腦、服務(wù)器，整個IT產(chǎn)業(yè)鏈的底座都被捏在海外巨頭手中，一旦被封鎖斷供，后果不堪設(shè)想。

就是這個關(guān)鍵時候，中國落下了兩枚至關(guān)重要的棋子：

合肥長鑫存儲，專攻DRAM內(nèi)存；

武漢長江存儲，攻堅3D NAND閃存。

其實當時，還有一些其他企業(yè)同時進場了，譬如福建晉華，但它們最終沒能扛過來。

十年風(fēng)雨，十年血戰(zhàn)。

只有這兩家企業(yè)，在西方的封鎖、打壓、降價絞殺之下，硬是突圍而出了。

很多人無法理解，為什么存儲芯片國產(chǎn)化，比造手機、造屏幕、造普通芯片難上百倍。

因為存儲芯片不是簡單的芯片制造。

它是極致精密的材料科學(xué)、極致穩(wěn)定的工藝控制、數(shù)百萬項底層專利壁壘、高度封閉的設(shè)備供應(yīng)鏈共同構(gòu)筑的工業(yè)堡壘。

在長江存儲、長鑫存儲起步之前，西方早已完成了全產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)封鎖。

每一個環(huán)節(jié)，都筑起了壁壘，杜絕任何中國企業(yè)突圍的可能。

第一重封鎖：專利圍墻。

在DRAM和傳統(tǒng)2D NAND領(lǐng)域，三星、美光、SK海力士、鎧俠，這些海外巨頭通過數(shù)十年的研發(fā)，積累了數(shù)百萬項基礎(chǔ)專利。

這些專利層層嵌套、互相鎖死，形成了密不透風(fēng)的專利圍墻。

任何一家新入局企業(yè)，只要敢走傳統(tǒng)技術(shù)路線，要么侵權(quán)敗訴、巨額賠款，要么直接被趕出市場。

海外巨頭們長期奉行“專利圍墻戰(zhàn)略”，堵死了所有的低端追趕通道。

為什么現(xiàn)在幾乎沒有存儲顆粒初創(chuàng)企業(yè)？

因為90%都死在專利訴訟和技術(shù)撞車上了，根本沒有量產(chǎn)的機會。

第二重封鎖：設(shè)備禁運。

存儲芯片制造，高度依賴刻蝕機、薄膜沉積、離子注入、檢測量測等半導(dǎo)體設(shè)備。

而在2016年國產(chǎn)存儲起步之初，全球高端存儲設(shè)備，幾乎100%被美日企業(yè)壟斷。

美國隨時可以一紙禁令，切斷所有的核心設(shè)備供應(yīng)。

當時，福建晉華就是死在了這一步，轟然倒塌。

第三重封鎖：技術(shù)人才。

存儲芯片是超級經(jīng)驗學(xué)科，良率調(diào)試、工藝迭代、缺陷修復(fù)，全部依賴數(shù)十年產(chǎn)業(yè)積累的資深工程師。

過去，海外存儲巨頭均簽訂嚴格競業(yè)協(xié)議、用高薪鎖死核心人才，另加嚴禁技術(shù)人員流向中國。

這就造成了中國幾乎沒有成熟的存儲研發(fā)人才梯隊，一切必須從零開始摸索。

第四重封鎖：價格絞殺。

這是最狠的殺招。

過去十年，存儲芯片經(jīng)歷了兩輪大熊市，尤其是2022-2024年，最大跌幅超過60%。

而這，恰恰是中國存儲芯片雙雄突破技術(shù)良率瓶頸，開始籌備擴產(chǎn)的關(guān)鍵時候。

結(jié)果就是，長江存儲和長鑫存儲在這三年里，合計虧損超過了500億元，一度陷入資金鏈極度緊張的境地中，幾乎被絞殺。

但在國家的支持下，他們最終挺過來了，并一步步壯大、崛起，成為中國存儲賽道上最強大的兩支生力軍。

先看長鑫存儲。

長鑫專注DRAM芯片，這是存儲行業(yè)門檻最高、專利最密、巨頭掌控最嚴的賽道。

相比于邏輯芯片，DRAM對工藝穩(wěn)定性、漏電控制、一致性良率要求更高，稍有偏差就是整片晶圓報廢。

在長鑫誕生前，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)完成多輪洗牌，被韓美三巨頭完全壟斷。

擺在長鑫面前的，是兩條死路和一條險路。

第一條死路：跟隨國際傳統(tǒng)路徑，從老舊的低端制程慢慢迭代。

這條路，會直接撞上海外的數(shù)萬項基礎(chǔ)專利圍墻，起步就是侵權(quán)，永遠陷于訴訟的汪洋大海之中，最終被淹死。

第二條死路：完全從零自研底層架構(gòu)。

從零起步的話，研發(fā)周期將長達十年以上、需要千億級投入，很可能在行業(yè)快速迭代的節(jié)奏中，尚未成型就被時代淘汰了。

以上兩條路，風(fēng)險都極大。

而長鑫存儲，選擇了一條更驚險的躍進之路。

他們趁著西方巨頭們還沒有足夠重視，通過收購的方式獲得了一批專利資產(chǎn)，既規(guī)避了專利雷區(qū)，又能迅速跳代切入主流制程。

收購的對象，是已破產(chǎn)的德國奇夢達。

奇夢達，是上一輪價格戰(zhàn)中倒下的全球頂級DRAM巨頭，擁有正統(tǒng)的DRAM底層架構(gòu)、完整的工藝體系、兩萬余項核心專利、2.8TB工程技術(shù)文檔。

這樣稀缺的專利資產(chǎn)，放在今天的政治氛圍中，那是中國絕無可能買到的了。

但放在當時，由于西方資本的輕視，讓長鑫撿到了這個幸運的機會。

主導(dǎo)這次收購的關(guān)鍵人物，正是長鑫存儲董事長朱一明。

朱一明擁有清華、硅谷背景，是兆易創(chuàng)新創(chuàng)始人，一手將兆易創(chuàng)新做大。

2015年前后，他想切入做DRAM芯片，但發(fā)現(xiàn)韓美三巨頭的專利墻太厚了，自研肯定繞不開。

于是開始琢磨收購奇夢達的可能性。

奇夢達是前全球第二大DRAM廠，技術(shù)積累深厚，但在2009年金融風(fēng)暴中倒下。

朱一明在存儲芯片行業(yè)浸淫了十幾年，自然知道奇夢達的價值，但苦于自身資金不足。

2016年，他接觸了合肥國資，雙方合資拿出180億元，其中兆易創(chuàng)新出資36億，合肥產(chǎn)投基金出144億，成立長鑫存儲，共同推進收購之路。

收購?fù)瓿珊螅L鑫迅速整合技術(shù)資料、消化核心技術(shù)邏輯，一步步在其技術(shù)體系之上，自主迭代升級。

這一步，是長鑫最智慧與關(guān)鍵的破局之舉。

由此得以跳過國際巨頭已經(jīng)淘汰的20nm以上老舊制程，一步到位切入19nm主流工藝，與三星、海力士同場競技。

但避開了專利圍墻，馬上就面臨設(shè)備封鎖。

長鑫的建廠量產(chǎn)階段，正是美國半導(dǎo)體制裁逐步升級的關(guān)鍵期。

結(jié)果顯而易見，部分高端量測設(shè)備、精密工藝設(shè)備進口受限、交付延期、售后停擺，都是常態(tài)。

海外設(shè)備廠商一旦接到禁令，很快就會停止提供核心調(diào)試服務(wù)、禁止更新高端固件、嚴禁協(xié)助優(yōu)化先進制程良率。

沒有外援、沒有技術(shù)支持，長鑫團隊徹底進入閉門攻堅、自主摸黑迭代的狀態(tài)。

DRAM的良率調(diào)試，是百萬級參數(shù)的精細博弈。

溫度、氣壓、流速、光刻精度、刻蝕速率、薄膜厚度、漏電控制，任何一個微米級偏差，都會導(dǎo)致整片晶圓報廢。

2018—2019年，是長鑫最艱難的兩年。

工程樣片反復(fù)流片、反復(fù)失敗，良率波動極大，成本居高不下，外界唱空之聲也不斷。

但長鑫研發(fā)團隊選擇了最笨的辦法：

全流程復(fù)盤、全參數(shù)建數(shù)據(jù)庫、全工藝自主迭代優(yōu)化。

通過對數(shù)萬組工藝數(shù)據(jù)的逐條拆解、上千次配方的迭代、日夜不間斷的輪班調(diào)試，一點點修復(fù)缺陷、一點點拉升良率。

2018年7月，長鑫成功產(chǎn)出中國大陸第一顆自主可控8Gb DDR4工程樣片，改寫了“中國無DRAM芯片”的空白。

2019年9月，在西方全面技術(shù)封鎖下，國產(chǎn)首條DDR4芯片產(chǎn)線正式規(guī)模化量產(chǎn)。

長鑫量產(chǎn)后，西方的絞殺進一步收緊。

第一招，專利訴訟。

韓美三巨頭輪番發(fā)起專利排查、訴訟威脅，試圖用司法手段拖垮長鑫的商業(yè)化進程，制造市場恐慌，嚇退長鑫的合作客戶。

但因為長鑫提前布局了專利池，依托自有迭代專利+合法繼承的西方技術(shù)體系，硬生生扛住了西方的多輪訴訟，從此合法上桌。

第二招，價格絞殺。

2018-2019年、2022-2024年，海外巨頭進行了兩次大規(guī)模的降價傾銷，DRAM價格斷崖式下跌60%，行業(yè)進入超級寒冬。

尤其是第二輪寒冬，長鑫正處于擴產(chǎn)的關(guān)鍵時候，局面尤為嚴峻。

根據(jù)招股書的數(shù)據(jù)，長鑫2022年虧損了83.28億元，2023年進一步擴大至虧損163.40億元，2024年也虧損了71.45億元。

三年合計，虧損高達318億元。

關(guān)鍵時刻，依靠合肥國資和國家大基金的多輪融資、借款、專項增資，才度過了難關(guān)。

在最殘酷的行業(yè)寒冬里，長鑫逆勢打磨技術(shù)，完成了從19nm到17nm的工藝迭代，完成了DDR4到DDR5的產(chǎn)品升級，推出了LPDDR5移動端產(chǎn)品，開始研發(fā)尖端的HBM AI存儲芯片。

熬過寒冬，方得春天。

進入2025年，長鑫迎來歷史性盈利拐點，全年凈利潤超過300億元，2026年Q1更是單季度凈利潤330億元。

一下子，就將十年的投入和虧損全部賺回來了。

而這次的募資所得，預(yù)計將全部投入到產(chǎn)能擴張和尖端DRAM、HBM芯片的研發(fā)中。

兩年之后，長鑫存儲肯定將會是全球市場上最強大的存儲芯片巨頭之一。

我們再看長江存儲。

如果說長鑫是驚險一躍，那長江存儲走的就是換道超車之路。

跟長鑫類似，在長江存儲起步之前，全球3D NAND的所有專利、工藝、設(shè)備、標準，也全部被海外五巨頭牢牢鎖死。

不一樣的是，NAND賽道上沒有長江可收購的海外資產(chǎn)。

但，長江有技術(shù)人才。

當時長江存儲的CTO、首席科學(xué)家叫霍宗亮，是全球3D IC領(lǐng)域的技術(shù)天才。

他是北京大學(xué)的微電子學(xué)博士，畢業(yè)后就去了三星半導(dǎo)體研發(fā)中心任職高級工程師，深度參與2D NAND的技術(shù)研發(fā)。

2010年回國后，他去了中科院微電子所擔(dān)任研究員、博導(dǎo)，進一步深入研究3D IC技術(shù)。

他很早就預(yù)判到，平面微縮的路線要走到盡頭了，3D堆疊是唯一的出路。

2016年，長江存儲創(chuàng)建，他就被邀請擔(dān)任核心技術(shù)負責(zé)人、CTO，從零開始搭建3D NAND的研發(fā)體系。

他頂住了業(yè)界的質(zhì)疑，在2017–2019年經(jīng)歷了238次實驗，最終研發(fā)成功了Xtacking鍵合技術(shù)。

這是長江存儲最偉大的突破。

在西方壟斷的底層技術(shù)規(guī)則之上，重建了一套屬于中國的全新技術(shù)體系。

要知道，在早期的全球NAND產(chǎn)業(yè)，所有企業(yè)都被困在這樣的技術(shù)邏輯里：

想要提升存儲容量，只能無限增加單片晶圓的堆疊層數(shù)。

層數(shù)越高、難度越大、良率越低、成本越高、瓶頸越明顯。

如果跟著這個邏輯去研發(fā)，遲早都要陷進死胡同里。

而在霍宗亮的帶領(lǐng)下，長江存儲一開始就放棄了“單片堆疊層數(shù)”的內(nèi)卷，走出了一條全新的道路。

長江存儲獨創(chuàng)的Xtacking架構(gòu)，是這么干的：

將芯片拆分為兩大核心模塊：存儲單元晶圓、外圍邏輯電路晶圓。

兩片晶圓分別用獨立最優(yōu)工藝加工，再通過高精度鍵合技術(shù)垂直互聯(lián)。

這一下子，就繞過了西方數(shù)十萬項傳統(tǒng)架構(gòu)的專利壁壘，跳出了海外巨頭的專利牢籠。

更重要的是，突破了西方架構(gòu)的物理極限：

加工難度大幅下降、芯片性能大幅提升、讀寫速度成倍增長、良率大幅拉高、成本顯著降低、堆疊上限無限打開。

這套架構(gòu)創(chuàng)新，對于NAND行業(yè)來說，是石破天驚的。

相當于光刻機進入浸沒式DUV時代，CPU進入先進封裝時代一樣。

2018年，Xtacking架構(gòu)亮相全球閃存峰會，直接斬獲全球年度最佳創(chuàng)新技術(shù)，一下子就震驚了整個半導(dǎo)體行業(yè)。

當然，雖然長江存儲一出生就掌握了業(yè)界最先進的技術(shù)，但發(fā)展路上依然伴隨著最嚴苛的科技制裁。

在高端制程、超高堆疊、晶圓鍵合、精密檢測等環(huán)節(jié)，美國持續(xù)收緊設(shè)備禁令，高端設(shè)備交付延遲、核心配件斷供、技術(shù)服務(wù)全面停止，全部一一出現(xiàn)。

面對設(shè)備卡脖子的困境，長江存儲被迫開啟了極致的國產(chǎn)化替代、工藝攻堅的漫長苦戰(zhàn)。

從2018年32層3D NAND初代產(chǎn)品艱難量產(chǎn)起步，長江存儲一步步完成迭代：

2019實現(xiàn)64層Xtacking量產(chǎn)，換道起步；

2021實現(xiàn)128層技術(shù)更新；

2022完成232層量產(chǎn)，反超三星，成為全球首個進入零售市場的200+層方案；

2024推出294層技術(shù)，繼續(xù)領(lǐng)跑。

截止2026年的今天，雖然SK海力士率先量產(chǎn)了321層更高堆疊層數(shù)的NAND芯片，但由于長江存儲掌握獨創(chuàng)的Xtacking技術(shù)，在高I/O速度、低功耗上仍然具有優(yōu)勢。

在2022—2024年的存儲寒冬期，NAND芯片價格一度下跌了50%，長江存儲也一度虧損了200多億元。

但就跟長鑫一樣，熬過黑暗的周期后，2025年長江存儲首次實現(xiàn)全年規(guī)模化盈利，全球市場份額突破10%，躋身全球六大NAND廠商之一。

在這次IPO過后，預(yù)計長江存儲將能募資300–400億元，兩年后把產(chǎn)能從20萬片/月拉到50萬片/月，同時把3D DAND從294層沖到400層，坐穩(wěn)全球NAND的前三寶座。

除此之外，長江存儲也在布局研發(fā)HBM芯片技術(shù)、企業(yè)級SSD主控領(lǐng)域。

很多人誤以為，長江存儲和長鑫存儲是競爭對手。

事實上，他們是在不同賽道上突進的國產(chǎn)雙雄。

長江攻堅NAND，解決的是數(shù)據(jù)存儲、長期留存的問題，也就是俗稱的硬盤。

長鑫攻堅DRAM，解決是設(shè)備運行、實時運算的問題，跟AI運算的關(guān)系更大，因此在這輪AI行情中受益更大。

但不管怎樣，兩條賽道都非常重要，缺一不可。

曾經(jīng)，中國存儲自給率幾乎為零；

但經(jīng)過十年奮斗，如今國產(chǎn)存儲自給率已大為提升，關(guān)鍵民用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控。

國產(chǎn)存儲行業(yè)也擁有了自主的技術(shù)體系、穩(wěn)定的工藝體系、成熟的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

十年之間，山河巨變。

長江存儲和長鑫存儲從不同賽道出發(fā)，如今各自奔赴A股上市。

兩三年后，還將在AI賽道兵家必爭的HBM芯片上相遇，發(fā)起新一輪向韓美巨頭的沖鋒。

根據(jù)業(yè)內(nèi)信息，長鑫存儲將在2026年底大規(guī)模量產(chǎn)HBM3芯片，2027年推出升級16層堆疊的HBM3，2028年推出對標SK海力士最先進產(chǎn)品的HBM4。

而長江存儲，將依托于自身先進的Xtacking技術(shù)，在2027年推出混合鍵合工藝的HBM3，并于2028推進大規(guī)模量產(chǎn)。

兩三年后再回首，全球存儲芯片版圖必將再一次被中國人改寫。