晶豐明源帶來第三代反激控制與快充新解法

前言

在充電頭網(wǎng)舉辦的 2026（春季）亞洲充電大會上，上海晶豐明源半導(dǎo)體股份有限公司快充產(chǎn)品線總監(jiān)肖海斌帶來了《第三代反激控制技術(shù)&快充產(chǎn)品介紹》主題演講。

整場分享圍繞反激控制技術(shù)演進(jìn)、第三代 ACOT 控制方案的特點(diǎn)，以及晶豐明源在 20W—140W 快充產(chǎn)品上的布局展開，重點(diǎn)討論了快充電源在高效率、小體積、低待機(jī)功耗與高集成度方向上的新變化。

晶豐明源先從第一代、第二代反激控制技術(shù)講起，再過渡到第三代 ACOT 控制邏輯，最后結(jié)合 20W、30W、45W、65W 以及 100W—140W 方案，系統(tǒng)說明如何通過控制方式升級與芯片高集成化，推動快充電源方案向更高性能和更高性價比演進(jìn)。

反激控制技術(shù)從“能用”走向“更優(yōu)”

晶豐明源首先回顧了反激控制技術(shù)的發(fā)展路徑。

第一代電壓模式控制方案出現(xiàn)較早，但對輸入電壓變化較為敏感，環(huán)路響應(yīng)速度偏慢，輸出紋波較大，輕載效率也不占優(yōu)勢，因此目前在反激電源中已基本不再作為主流方案。

第二代峰值電流模式控制則通過逐周期峰值電流限制改善了動態(tài)響應(yīng)和過流保護(hù)能力，經(jīng)過幾十年發(fā)展，已經(jīng)成為當(dāng)前反激市場最成熟、最廣泛應(yīng)用的技術(shù)路線。

不過，隨著快充適配器不斷向高功率密度、小型化和高一致性方向演進(jìn)，傳統(tǒng)峰值電流模式的優(yōu)化空間也在逐漸逼近上限。

在這樣的背景下，晶豐明源提出并重點(diǎn)介紹了第三代反激控制技術(shù)——ACOT。

其核心思路是由次級側(cè)更直接地參與控制，再通過磁耦向原邊發(fā)送脈沖信號，實現(xiàn)“次級控制初級”的控制方式。

相比傳統(tǒng)方案，這種架構(gòu)更貼近輸出端，能夠更快感知負(fù)載變化，也更利于提升保護(hù)精度和整體一致性。

ACOT 的核心價值：更快、更簡、更穩(wěn)

ACOT 方案的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在動態(tài)響應(yīng)、外圍簡化、輕載表現(xiàn)和效率優(yōu)化幾個方面。

首先是響應(yīng)速度更快。由于控制核心更接近輸出端，理論上一個開關(guān)周期內(nèi)即可實現(xiàn)輸出功率的大幅切換，這對于 PD 快充這類負(fù)載變化頻繁的應(yīng)用場景尤其重要。

其次是控制邏輯更簡單，傳統(tǒng)峰值電流模式在 CCM 狀態(tài)下需要進(jìn)行斜率補(bǔ)償，還需要處理 Burst 模式切換帶來的噪聲和紋波變化，而 ACOT 采用變頻控制，無需斜率補(bǔ)償，也沒有明顯的 Burst 切換點(diǎn)，設(shè)計和調(diào)試難度更低。

在 EMI 和一致性方面，ACOT 也具備一定優(yōu)勢。峰值電流模式下 EMI 抖頻容易被環(huán)路抵消，而 ACOT 更容易實現(xiàn)一致性較好的抖頻效果。

與此同時，ACOT 不依賴傳統(tǒng)光耦控制路徑，因此在低待機(jī)功耗設(shè)計上更有潛力。這類方案可實現(xiàn)低于 5mW 的待機(jī)方向能力，并更容易結(jié)合 SR-ZVS 等手段進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率。

對于當(dāng)前追求六級能效、小型化和低發(fā)熱的快充產(chǎn)品來說，這些特性都有很強(qiáng)的現(xiàn)實價值。

高集成化，成為 ACOT 落地的重要支撐

為了將 ACOT 真正轉(zhuǎn)化為可量產(chǎn)方案，晶豐明源在原邊、次級和隔離傳輸環(huán)節(jié)都做了高集成化設(shè)計。

通過 30W 樣機(jī)對比很能說明問題：相比上一代峰值電流模式方案，ACOT 方案省掉了輔助繞組及其采樣電路、省掉了 VCC 電容，還省掉了電流采樣電阻，外圍顯著簡化。對適配器廠商而言，這不僅意味著 BOM 可進(jìn)一步下探，也有助于減小 PCB 面積和降低設(shè)計復(fù)雜度。

其中，原邊控制器 BP8765x 集成了 ACOT 輔控、高壓直驅(qū)、700V GaN 功率開關(guān)以及無損電流采樣等功能，支持 CCM、QR、DCM 多模式控制，并帶有 Brown-in/Brown-out、逐周期限流、OTP 以及磁耦開短路保護(hù)。

次級控制芯片 BP6255X 則將 ACOT 主控、同步整流控制器和 MOS 管三合一集成，可支持 20W—45W 應(yīng)用，并針對同步整流 MOS 長時間異常導(dǎo)通導(dǎo)致的過熱風(fēng)險加入 OTP 保護(hù)。

在初次級通信方面，晶豐明源采用了 BP828 磁耦器件。與傳統(tǒng)光耦相比，磁耦無需靜態(tài)偏置電流，工作溫度范圍更寬，絕緣能力更高，且通過了 UL62368、TUV、CQC、VDE 等相關(guān)測試認(rèn)證。

對于追求高可靠性和長壽命的快充產(chǎn)品而言，磁耦的引入也是第三代反激控制方案的一項重要支撐。

20W—65W：主流快充功率段全面覆蓋

在具體產(chǎn)品方案上，晶豐明源將 20W—65W 作為 ACOT 的重點(diǎn)落地區(qū)間。

20W/25W 方案采用 BP87652/E、BP6255B 和 BP63212 組合。

30W 方案采用 BP87653E、BP6255MP 和 BP63615。

45W 方案則采用 BP87656、BP6255HP 和 BP63535。

65W 也已有相應(yīng)方案覆蓋。整體來看，晶豐明源已經(jīng)形成從入門快充到中高功率快充的完整產(chǎn)品布局。

這些方案的共同特點(diǎn)，是原邊采用高壓直驅(qū)并內(nèi)置 GaN 功率開關(guān)，無需 VCC 繞組及額外供電支路；次級通過 ACOT 算法和磁耦通信實現(xiàn)精確 CV/CC 控制；協(xié)議芯片則持續(xù)提升集成度，例如內(nèi)建環(huán)路補(bǔ)償、集成 VBUS MOS 與采樣功能等。

這些方案待機(jī)功耗可做到 75mW，并滿足六級能效要求，同時具備較強(qiáng)的小體積設(shè)計適配能力。可以看出，晶豐明源在這一功率段的核心思路，就是通過控制創(chuàng)新與芯片集成，幫助客戶在效率、體積、成本之間取得更好的平衡。

100W—140W：單級反激 PFC 繼續(xù)向上突破

在更高功率段，晶豐明源展示了 100W—140W 單級反激 PFC 方案，核心器件包括 BP83223D、BP83323 以及同步整流芯片 BP62110S。

其中 BP83223D 內(nèi)置 700V GaN，BP83323 內(nèi)置 800V SiC，可實現(xiàn)單級 PFC 電路，無需傳統(tǒng)大電容即可滿足高功率因數(shù)需求，同時利用原邊反饋 CV 控制節(jié)省光耦，并支持后級搭配 DCDC 實現(xiàn)多口快充應(yīng)用。

將其與傳統(tǒng) PFC+LLC、PFC+Flyback 兩級架構(gòu)進(jìn)行了對比。相比兩級方案，單級 PFC 在控制器數(shù)量、功率開關(guān)管數(shù)量、PFC 電感以及高壓大電解等方面都能進(jìn)一步精簡，從而降低系統(tǒng)成本并壓縮體積，更適合構(gòu)建高性價比的多口快充產(chǎn)品。

以展示的 100W 2C1A 方案為例，若只計算 AC/DC 部分，滿載效率在 90VAC 輸入下可達(dá) 92.5%，230VAC 輸入下可達(dá) 94.5%；

即便算上后級 DCDC，效率也分別可達(dá) 91% 和 93%。這說明單級反激 PFC 并不是單純追求成本壓縮，而是在效率、體積和系統(tǒng)復(fù)雜度之間重新尋找更優(yōu)解。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

晶豐明源此次展示了其在反激控制技術(shù)上的一條清晰升級路徑：在 20W—65W 主流功率段，以 ACOT 控制配合高集成原邊、次級和磁耦器件，進(jìn)一步簡化外圍、優(yōu)化動態(tài)和提升效率；在 100W—140W 更高功率段，則通過單級反激 PFC 方案探索更高性價比的多口快充實現(xiàn)方式。

快充市場發(fā)展到今天，單純比較功率和接口數(shù)量已經(jīng)越來越難形成真正差異化，控制技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和芯片集成度，正在成為決定產(chǎn)品競爭力的重要變量。

晶豐明源此次帶來的第三代反激控制技術(shù)與快充產(chǎn)品布局，正是圍繞這些核心變量展開。無論是 ACOT 在主流功率段的落地，還是單級反激 PFC 在高功率段的推進(jìn)，都說明 AC/DC 電源方案的競爭正從單點(diǎn)器件升級，轉(zhuǎn)向更系統(tǒng)化的協(xié)同優(yōu)化。

對于希望兼顧性能、成本和量產(chǎn)效率的廠商來說，這樣的技術(shù)路線顯然更值得關(guān)注。