突圍“卡脖子”深水區(qū)，萊普科技劍指“長坡厚雪”激光熱處理賽道

沒有設(shè)備的自主可控，就難言半導(dǎo)體的國產(chǎn)替代。

在半導(dǎo)體設(shè)備這個被美、日、荷等巨頭壟斷超30年的賽道上，隨著我國將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控提升至頂層戰(zhàn)略高度，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起，已然成為大國博弈的主戰(zhàn)場之一。從商業(yè)角度來講，中國大陸作為2021年以來全球最大單一市場和未來數(shù)年間全球半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)張的主要區(qū)域，國產(chǎn)化正加速兌現(xiàn)，國產(chǎn)替代的“長坡厚雪”邏輯確立。

其中，激光熱處理憑借超快加熱、精準(zhǔn)控溫、低熱預(yù)算、高空間選擇性等獨特優(yōu)勢，成為打破海外壟斷、突破先進(jìn)制程瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)路線。

在這一領(lǐng)域，正在沖刺科創(chuàng)板IPO的成都萊普科技股份有限公司（以下簡稱“萊普科技”），即是核心廠商之一。其以先進(jìn)精密激光技術(shù)及半導(dǎo)體創(chuàng)新工藝開發(fā)為核心，專注高端半導(dǎo)體專用設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，構(gòu)建起覆蓋激光熱處理設(shè)備與專用激光加工設(shè)備的較為完整產(chǎn)品體系。憑借前瞻布局、原創(chuàng)技術(shù)突破與頭部客戶驗證壁壘，萊普科技已在國內(nèi)激光熱處理賽道占據(jù)領(lǐng)先位置，成為國產(chǎn)替代浪潮中最具代表性的設(shè)備企業(yè)之一。

國產(chǎn)替代潮涌，率先卡位賽道

在后摩爾定律時代，半導(dǎo)體制造持續(xù)向先進(jìn)制程、三維堆疊、異構(gòu)集成方向深度演進(jìn)，熱處理環(huán)節(jié)從傳統(tǒng)配套工藝躍升為決定芯片性能與良率的核心關(guān)鍵。數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體熱處理是晶圓制造的核心環(huán)節(jié)，在整個半導(dǎo)體設(shè)備市場中價值占比已達(dá)3%，與離子注入、清洗、CMP、涂膠顯影等關(guān)鍵設(shè)備處于同一量級。

于是，在全球供應(yīng)鏈重構(gòu)與科技博弈下，熱處理設(shè)備被美國、日本納入出口管制范疇，外部獲取難度顯著提升，國內(nèi)廠商發(fā)力技術(shù)攻關(guān)。其中，激光工藝持續(xù)展現(xiàn)應(yīng)用潛力，并成為未來較長一段時間內(nèi)助力前沿技術(shù)突破的重要工具。

但長期以來，激光在半導(dǎo)體環(huán)節(jié)的應(yīng)用被境外廠商把持，尤其光刻、激光熱處理等高端領(lǐng)域國產(chǎn)化率極低。QY Research數(shù)據(jù)顯示，2023年，維易科、住友重工、迪恩士等第一梯隊廠商占有大約全球81%的激光退火市場份額，以應(yīng)用材料為代表的第二梯隊廠商共占有15%份額，相關(guān)境外廠商合計占據(jù)超96%份額。

萊普科技正是在這一背景下，前瞻性鎖定激光技術(shù)路線，面向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開展精準(zhǔn)研發(fā)，卡位前沿賽道，與行業(yè)發(fā)展共振。

成立于2003年的萊普科技，自設(shè)立之初即充分意識到激光工藝技術(shù)在未來先進(jìn)制造領(lǐng)域的巨大應(yīng)用潛力及廣闊市場前景，在最初5年研究并開發(fā)了若干項激光技術(shù)及其延伸產(chǎn)品。

之后，受益于第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，中國大陸持續(xù)承接轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體產(chǎn)能，并催生了大量微納加工工藝需求，公司精準(zhǔn)把握行業(yè)發(fā)展趨勢，并將業(yè)務(wù)重心聚焦至半導(dǎo)體領(lǐng)域，2008年即面向國家產(chǎn)業(yè)需求針對性開發(fā)并推出面向半導(dǎo)體封裝測試領(lǐng)域的專用加工設(shè)備。此后，公司業(yè)務(wù)布局持續(xù)向半導(dǎo)體前道工藝延伸，于2013年形成自有的硼離子注入激光激活技術(shù)；2014年，自主研發(fā)了第一代光學(xué)系統(tǒng)，設(shè)計開發(fā)出適配的激光退火工藝；2015年，開發(fā)出適配的深磷激活特色工藝，形成6寸/8寸晶圓退火機(jī)臺并進(jìn)入客戶量產(chǎn)線驗證；2018年，公司生產(chǎn)的硅基超淺結(jié)退火機(jī)設(shè)備以及SiC激光退火設(shè)備通過工藝驗證；2019年，8英寸IGBT激光退火機(jī)臺通過量產(chǎn)驗證。

時間來到2020年后，后摩爾時代的新趨勢疊加國際形勢不確定性加劇，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求迫切，為國產(chǎn)裝備企業(yè)帶來重大發(fā)展機(jī)遇。公司積極布局，2021至2024年，先后為客戶開發(fā)LIC、LIEG并驗證通過；還面向先進(jìn)制程邏輯芯片制造工藝需求開發(fā)了超淺結(jié)激光退火設(shè)備(USJLA)、動態(tài)表面合金設(shè)備(DALA)并驗證通過；面向三維集成電路制造需求開發(fā)了激光解鍵合設(shè)備并發(fā)往國內(nèi)領(lǐng)先晶圓廠驗證，有力支撐我國集成電路前沿技術(shù)突破，打破國際廠商在國內(nèi)市場的長期壟斷。

業(yè)績是最好的佐證。招股書顯示，2023—2025年，公司實現(xiàn)營收19075.73萬元、28102.42萬元和35045.78萬元，同比增長157.27%、47.32%、24.71%；歸母凈利潤2303.67萬元、5564.28萬元、7230.39萬元，同比增長361.89%、141.54%、29.94%。

（萊普科技業(yè)績變動情況，來源：wind）

且公司預(yù)計，2026Q1，公司營收5000—5500萬元、歸母凈利潤220—650萬元，同比增長36.51%—50.16%、175.15%—712.96%。

技術(shù)壁壘構(gòu)筑護(hù)城河，周期驗證夯實頭部高滲透率

半導(dǎo)體設(shè)備是典型的高壁壘行業(yè)，尤其激光熱處理設(shè)備融合光學(xué)、機(jī)械、電氣、算法、半導(dǎo)體工藝等多學(xué)科技術(shù)，對精度、穩(wěn)定性、均勻性、可靠性要求極高，形成難以復(fù)制的技術(shù)壁壘、人才壁壘與客戶驗證壁壘。

而萊普科技的核心優(yōu)勢，正是建立在長期研發(fā)投入、完整技術(shù)體系、嚴(yán)苛客戶驗證及頭部廠商高滲透率之上。

從技術(shù)來看，公司以自主創(chuàng)新為根基，構(gòu)建了覆蓋激光光源、光路整形、能量密度控制、監(jiān)測檢測、工藝開發(fā)、整機(jī)設(shè)計的全鏈條技術(shù)能力。為保持技術(shù)領(lǐng)先，公司持續(xù)高強(qiáng)度投入研發(fā)，2022年—2024年、2025年1—9月，研發(fā)費用分別為1528.13萬元、2395.18萬元、5873.72萬元、3784.97萬元，研發(fā)費用率高達(dá)20.61%、12.56%、20.90%、19.87%。

截至2025年三季度末，公司研發(fā)人員79人，占員工總數(shù)23.10%，團(tuán)隊匯聚光、機(jī)、電、算及半導(dǎo)體工藝等領(lǐng)域高端人才，并與中科院等科研機(jī)構(gòu)及產(chǎn)業(yè)鏈龍頭開展深度合作研發(fā)，進(jìn)一步夯實技術(shù)底座。

技術(shù)之上，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)向來有特定的長周期驗證壁壘，即新設(shè)備進(jìn)入新客戶產(chǎn)線，必須經(jīng)歷完整驗證流程：設(shè)備裝機(jī)→硬件驗收→單步工藝驗證→工藝整合驗證，甚至部分客戶還需要配合完成量產(chǎn)驗證，周期漫長，成本和門檻較高。而一旦通過驗證，復(fù)購設(shè)備僅需完成單機(jī)可靠性與一致性驗證，客戶出于保障工藝穩(wěn)定性和保護(hù)技術(shù)秘密的目的不會頻繁更換設(shè)備供應(yīng)商，客戶粘性相對較強(qiáng)。

憑借技術(shù)實力與穩(wěn)定交付，萊普科技已成功進(jìn)入國內(nèi)頭部半導(dǎo)體廠商供應(yīng)鏈，2024年公司國內(nèi)市占率約16%，成為客戶A、客戶B、客戶C、華潤微（688396.SH）、士蘭微（600460.SH）、三安半導(dǎo)體、中車時代、客戶D、華天科技（002185.SZ）、達(dá)邇科技等主流廠商的唯一或主要激光工藝設(shè)備供應(yīng)商，覆蓋先進(jìn)制程3D NAND Flash存儲芯片、先進(jìn)制程DRAM存儲芯片、28nm及以下先進(jìn)制程邏輯芯片、SiC功率芯片、溝槽柵型IGBT功率芯片、先進(jìn)電源管理芯片、BSI-CCD芯片量產(chǎn)，以及國產(chǎn)HBM芯片工藝研發(fā)等前沿應(yīng)用場景。

千億級空間開啟，募資加碼產(chǎn)能和研發(fā)

實際上，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的高壁壘，可直接轉(zhuǎn)化為頭部高滲透率、訂單穩(wěn)定和復(fù)購率強(qiáng)的優(yōu)質(zhì)商業(yè)模型。這意味著，下游廠商的擴(kuò)產(chǎn)將形成激光熱處理與激光加工設(shè)備的剛性需求，對設(shè)備廠的業(yè)績形成強(qiáng)支撐。

放眼全球，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來新一輪產(chǎn)能擴(kuò)張，而中國大陸已成為全球增長主引擎。SEMI數(shù)據(jù)顯示，2022年至2026年，中國大陸計劃運營的新晶圓廠數(shù)量為44個，占全球新經(jīng)營晶圓廠比例達(dá)40.37%。對于技術(shù)含量較高的集成電路，中國大陸產(chǎn)能也快速提升，Knometa Research數(shù)據(jù)顯示，2022年至2026年，中國大陸集成電路產(chǎn)能全球占比將從18.2%上升至22.3%，并預(yù)計在2026年超越中國臺灣成為全球最大的集成電路供應(yīng)地區(qū)。

其中不乏眾多萊普科技的客戶，例如2025年華潤微電子12英寸集成電路生產(chǎn)線項目建成投產(chǎn)；士蘭微在廈門總投資70億元的士蘭集宏一期項目也已于2025年封頂，計劃到2028年底形成年產(chǎn)42萬片8英寸SiC功率芯片的產(chǎn)能；中車時代則于2022年宣布擬投入111億元用于功率芯片產(chǎn)能擴(kuò)張，其中宜興子項目部分產(chǎn)線已于2024年底開始進(jìn)行工藝設(shè)備調(diào)試，并進(jìn)入試生產(chǎn)階段。

龐大產(chǎn)能擴(kuò)張帶來巨量設(shè)備需求。數(shù)據(jù)顯示，設(shè)備通常占半導(dǎo)體資本開支的75%-80%；先進(jìn)制程推進(jìn)更讓設(shè)備價值指數(shù)級提升——萬片產(chǎn)能設(shè)備投資從90nm的4.3億元，躍升至3nm時代的43億元。疊加AI驅(qū)動下，HBM等新型邏輯、存儲、功率器件及三維堆疊、異構(gòu)集成等新型先進(jìn)封裝需要的全新工藝技術(shù)推動設(shè)備迭代換新，半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模加速擴(kuò)容。SEMI數(shù)據(jù)顯示，2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)到1171.4億美元，中國大陸市場占比42.30%。

（來源：萊普科技招股書）

寬闊賽道下，激光技術(shù)相關(guān)設(shè)備更因應(yīng)用場景的逐步拓寬處于高增長快車道，結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)測算，2024年-2030年期間，全球激光退火設(shè)備市場規(guī)模增長率達(dá)10.86%。其中，中國大陸激光熱處理設(shè)備市場規(guī)模將由2019年的7.96億元增長至2030年的32.96億元，年復(fù)合增長率達(dá)13.79%。2024年滲透率僅16.01%，低于全球平均水平的25.89%，預(yù)期存在較大發(fā)展空間。

受益于行業(yè)景氣度，萊普科技在手訂單良性增長。報告期各期末，公司主營業(yè)務(wù)在手訂單（不含稅）分別為29,604.37萬元、33,654.61萬元、34,482.96萬元和41,959.14萬元。

面對廣闊市場空間，萊普科技還擬通過IPO募資8.50億元加碼產(chǎn)能與技術(shù)，與產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張持續(xù)共振。

（萊普科技募投項目，來源：公司招股書）

招股書披露，晶圓制造設(shè)備開發(fā)與制造中心項目、先進(jìn)封裝設(shè)備開發(fā)與制造中心項目重點投向LIC、LIEG、USJLA等高端產(chǎn)品，同時布局激光解鍵合、SiC激光退火、動態(tài)表面合金等新產(chǎn)品，覆蓋先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體、HBM等新興賽道；研發(fā)項目則強(qiáng)化下一代激光工藝與先進(jìn)制程技術(shù)，提升核心競爭力；并通過優(yōu)化營銷渠道方式鞏固現(xiàn)有市場基礎(chǔ)，同時逐步拓展海外業(yè)務(wù)，增強(qiáng)與業(yè)界領(lǐng)先水平的合作，優(yōu)化“研發(fā)－收入－利潤－研發(fā)”的持續(xù)正向循環(huán)。

可以預(yù)見，隨著頭部客戶持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)、新產(chǎn)品逐步落地、新客戶不斷突破，萊普科技的成長空間將進(jìn)一步打開。