攻克技術制高點！兆馳集成CW光芯片靜態性能比肩主流競品

在全球數據中心擴容與AI算力需求爆發的雙重驅動下，光通信網絡正快速從400G向800G乃至1.6T的代際演進。作為光模塊的“心臟”，高速率、高可靠性的激光芯片已成為產業鏈的關鍵產能瓶頸與核心價值環節。

繼25G以下DFB激光芯片產品陸續通過老化測試驗證并出貨，近期，兆馳集成的半導體激光芯片又迎來新的重大技術進展——CW DFB 激光芯片產品靜態性能順利通過測試，并陸續啟動客戶送樣計劃，產品包含70mW/100mW/200mW，主要應用于400G、800G、1.6T高速光模塊。

本次CW系列激光芯片，是公司繼DFB光芯片順利導入市場之后攻克的又一大技術高地，標志著兆馳集成的技術實力再上一臺階，并極可能憑借此次突破實現彎道超車，邁向規模化商業拓展的新周期。

關鍵一躍：奪取技術難度高、產能緊缺的制高點

CW激光器即連續波激光器（Continuous Wave Laser），屬于純激光光源芯片，主流為DFB激光器，主要作用是作為外置的連續波光源，為800G/1.6T硅光模塊與CPO（共封裝光學）方案提供必需光源，市場空間明確且國產替代需求緊迫。

從市場來看，當前國內外高速模塊需求急劇提升，作為核心原材料之一的光芯片缺貨嚴重，尤其以70mW/100mW/200mW為主的CW DFB激光芯片供給最為緊張。而在供應端，雖眾多廠家陸續布局CW激光芯片技術，但由于技術難度較高，尤其是PQ BH掩埋生長技術這一最為艱難的關鍵工藝，已阻攔了眾多行業先行者，并成為判斷一家企業是否躋身行業第一梯隊的關鍵指標，這也導致品質優良，性能穩定的CW激光芯片產品產能嚴重不足。可以說，CW光芯片是在光通信產業鏈中是戰略卡脖子關鍵環節之一。

而兆馳集成不僅順利攻克PQ BH掩埋生長技術，其CW系列激光芯片的靜態性能也順利通過測試，且各項指標均達到與主流競品相當的水平。這一突破，標志著公司的技術能力達到了新高度，更為兆馳集成在光芯片領域實現彎道超車提供了獨特機遇。

事實上，自2024年底兆馳集成宣布投資光芯片之后，公司便提出以DFB激光芯片、CW激光芯片、EML三大技術逐步落地的路徑圖譜。如今，這一路徑正在加速兌現。

而25G以下DFB激光芯片作為公司的成熟產品，近日又傳來了新利好。此前，兆馳集成25G以下DFB激光芯片已通過老化測試并陸續小批量出貨，近期2.5G DFB激光器芯片進一步成功通過行業最高標準測試，最終憑借穩定的性能、優異的可靠性，成功通過一線頭部客戶的驗證。

CW激光芯片的技術突破，以及DFB芯片取得一線頭部客戶驗證，代表著兆馳集成的產品實現了從“可用”到“可靠”、從“進入市場”到“獲得主流認可”、從“優質”到“稀缺”的關鍵一躍。這不僅為公司提升出貨量與市占率打開了大門，也驗證了其從研發到大規模商業化落地的完整能力閉環，為未來更高速率產品的市場推廣鋪平了道路。

同源技術，異域開花：LED巨頭向化合物半導體平臺躍遷

兆馳集成是兆馳半導體旗下運營光通信芯片的主體。當前，兆馳半導體已成為LED芯片產能全球第一、技術行業領先的龍頭企業，而LED芯片所依賴的GaN和GaAs材料技術，與光通信芯片所需的InP等化合物半導體技術同根同源。正是基于對“化合物半導體材料”與“全波段光芯片技術”的深刻洞察，兆馳半導體近年來堅定地向化合物半導體平臺型企業轉型升級，而兆馳集成的成長正意味著兆馳半導體已成功將能力邊界從照明與顯示拓展至技術門檻極高的光通信賽道，也驗證了其深厚的技術底蘊與強大的研發體系。

不止于光通信：打造全體系的化合物半導體平臺

光芯片領域的接連突破，驗證了兆馳半導體從LED到化合物半導體的技術遷移能力，但公司的技術規劃藍圖并未局限于當前的光通信市場。基于其成熟的砷化鎵和氮化鎵材料體系與工藝平臺，公司的技術開發視野已投向更具增長潛力的廣闊應用場景，未來將開發砷化鎵9xx nm波段及620nm紅光、氮化鎵450nm藍光和520nm綠光激光器，進軍工業激光和激光顯示市場。

這意味著，兆馳半導體的長期規劃是打造一個覆蓋光通信、先進制造、智能傳感與新型顯示等多領域的化合物半導體技術平臺，實現技術價值的多元化兌現，并開啟屬于自己的一個個新周期。

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