天津
（全球TMT2026年4月24日訊）近日，第十一屆電子設計創新大會（EDICON 2026）在北京召開。三安光電旗下子公司三安集成受邀出席，并發表了題為《三安射頻技術在下一代應用中的布局》的技術報告，深入分享了其在砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）及濾波器領域的最新工藝進展。
三安集成在報告中詳細展示了最新一代砷化鎵工藝HP56的性能表現。對比三安的前代工藝，HP56在3.5GHz頻段下保持良好線性度的同時，實現了更高的功率增益和更優越的最大功率附加效率，相比前代HP12工藝，增益提升了2.6dB，效率提升了2.6%，能夠有效支持甚高頻及更大帶寬調制信號放大并顯著降低PA功耗。報告同時客觀指出，隨著功率密度的提升，芯片會面臨更明顯的熱失控風險。對此，三安集成提出了具體的工藝優化建議，通過調整結構和金屬間距，可以有效降低結溫，緩解熱耦合效應。
三安集成也同步展示了在氮化鎵工藝與濾波器產品上的技術布局：氮化鎵（GaN）技術新一代工藝重點針對功率密度與電流崩塌效應進行了優化；公司的1109 NTN SAW濾波器系列已覆蓋n256頻段及BDS接收頻段。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
