天津
（全球TMT2026年4月24日訊）全球硅知識產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商M31円星科技（M31）4月23日于2026年臺積電北美技術(shù)研討會宣布，其eUSB2V2接口IP已于臺積電（TSMC）N2P工藝完成流片（Tapeout）。M31表示，該成果展現(xiàn)公司在先進工藝接口IP的投入，并將強化2納米世代的設(shè)計，支援客戶于高整合SoC中導(dǎo)入高速、低功耗的連結(jié)接口。
在與既有USB 2.0生態(tài)系統(tǒng)相容的前提下，支援1.2V/0.9V低電壓操作，通過強化類比前端設(shè)計，包含導(dǎo)入可編程傳輸去加重（De-emphasis）與接收端CTLE/VGA等化技術(shù)，顯著提升在先進工藝下傳輸通道的穩(wěn)健性與設(shè)計彈性。eUSB2V2最高可支援4.8 Gbps(HS10) 傳輸速率，并通過全新的等時傳輸突發(fā)機制提高同時傳輸?shù)男省USB2V2支援非對稱頻寬的HSUx/HSDx模式，預(yù)期在標準操作模式下達成50mW的極佳功耗表現(xiàn)。搭配N2P工藝，尤其適合AI、HPC與移動設(shè)備等追求高效能與低功耗平衡的應(yīng)用。
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