熬出頭的SK海力士，給長江存儲(chǔ)們打了個(gè)樣

文源 | 源Sight

作者 | 白河

AI算力缺口推動(dòng)全球內(nèi)存市場(chǎng)升溫，SK海力士一筆150億美元擴(kuò)產(chǎn)公告，進(jìn)一步引燃本就瘋狂的存儲(chǔ)行情。

日前，SK海力士宣布要在2030年底前追加150億美元投入龍仁半導(dǎo)體集群首座晶圓廠建設(shè)，資金將用于完成工廠主體結(jié)構(gòu)建設(shè)及核心生產(chǎn)設(shè)施部署，目標(biāo)是進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)制程晶圓產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)全球AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域爆發(fā)式增長的存儲(chǔ)芯片需求。

在這一輪追投后，龍仁晶圓廠項(xiàng)目的總投資金額將會(huì)達(dá)到215億美元，工廠首條產(chǎn)線投產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將提前至2027年2月。

受這個(gè)利好消息影響，SK海力士股價(jià)一度突破109萬韓元/股，總市值創(chuàng)下783.3萬億韓元的歷史新高。

得益于AI大基建帶來超級(jí)周期，近期內(nèi)存行業(yè)暫時(shí)跳出了“擴(kuò)產(chǎn)即過剩”的產(chǎn)能魔咒，回歸久違的賣方市場(chǎng)，而縱觀2025年，押注AI高端產(chǎn)能的SK海力士全年?duì)I業(yè)利潤高達(dá)47.21萬億韓元，首次反超三星成為韓國存儲(chǔ)新王。

在完成從“千年老二”到行業(yè)一哥的身份躍遷后，SK海力士并沒有躺在功勞簿上數(shù)錢的心思，而是選擇主動(dòng)出擊，試圖通過積極配置上游產(chǎn)能布局，將后續(xù)盈利空間和風(fēng)險(xiǎn)可控性掌握在自己手中。

然而激進(jìn)與冒進(jìn)只有一字之差，追投150億美元擴(kuò)產(chǎn)豪賭AI需求的另一面，SK海力士產(chǎn)品結(jié)構(gòu)漸趨單一、對(duì)手反擊、國產(chǎn)替代加速推進(jìn)等潛在風(fēng)險(xiǎn)，也值得客觀審視。

01

豪擲150億美元的底氣何在

SK海力士這輪豪擲150億美元擴(kuò)產(chǎn)的底氣，幾乎都寫在前不久發(fā)布的那份“歷史最強(qiáng)”財(cái)報(bào)。

公司2025年財(cái)報(bào)顯示，過去一年SK海力士三大核心經(jīng)營指標(biāo)均創(chuàng)下新高，是AI掘金潮中的最強(qiáng)賣鏟人。

具體來看，SK海力士去年全年?duì)I收達(dá)97.15萬億韓元（約合人民幣4528億元），同比增長47%；營業(yè)利潤為47.21萬億韓元（約合人民幣2199億元），同比增長101%，營業(yè)利潤率達(dá)49%；凈利潤42.95萬億韓元（約合人民幣2001億元），同比增長117%。

圖示：SK海力士2025年財(cái)報(bào)

值得關(guān)注的是，在AI大基建需求驅(qū)動(dòng)下，公司HBM產(chǎn)品銷售額同比增長逾一倍，成為SK海力士這次創(chuàng)下歷史最高業(yè)績(jī)的核心增長引擎。

圖示：SK海力士官網(wǎng)展示的HBM4形態(tài)

同時(shí)，這也是自SK海力士創(chuàng)立以來營業(yè)利潤首次超過三星電子，公司因此一躍成為全球存儲(chǔ)行業(yè)盈利榜首，自去年6月DRAM市占率超過三星后，SK海力士在又一關(guān)鍵指標(biāo)上完成對(duì)三星的反殺。

盈利能力的持續(xù)改善，直接轉(zhuǎn)化為充沛的現(xiàn)金流支撐，標(biāo)普預(yù)測(cè)公司2026年?duì)I運(yùn)現(xiàn)金流將高達(dá)82萬億韓元，SK海力士亦深諳“錢花出去才是自己的”道理，在這輪150億美元追投計(jì)劃公布之前，其已經(jīng)掏出去年?duì)I業(yè)利潤的10%用作員工分紅，預(yù)計(jì)全球3.3萬名員工平均可獲得超過1.36億韓元（約合人民幣64萬元）的獎(jiǎng)勵(lì)。

除了亮眼的業(yè)績(jī)，推動(dòng)SK這次擴(kuò)產(chǎn)追投的另一關(guān)鍵因素，是全球存儲(chǔ)行業(yè)仍在不斷擴(kuò)大的產(chǎn)能缺口。

SK海力士年初表示，2026年全年包括HBM與高端DRAM在內(nèi)的存儲(chǔ)產(chǎn)品產(chǎn)能已全部售罄，并且已經(jīng)提前和英偉達(dá)、AMD等頭部廠商簽訂了長期供應(yīng)協(xié)議。

其中，據(jù)媒體最新綜合報(bào)道，作為英偉達(dá)的核心供應(yīng)商，2026年SK海力士有望獲得英偉達(dá)Vera Rubin平臺(tái)約七成HBM4訂單，遠(yuǎn)超此前市場(chǎng)預(yù)期。

而從全球市場(chǎng)來看，據(jù)Counterpoint統(tǒng)計(jì)，SK海力士的HBM產(chǎn)品市占率接近60%，顯著高于三星與美光，在市場(chǎng)中擁有明顯的主導(dǎo)權(quán)，隨著AI基建狂熱持續(xù)，這一主導(dǎo)權(quán)將會(huì)繼續(xù)轉(zhuǎn)換為直接產(chǎn)能需求。

為此，SK海力士正逐步縮減低毛利消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品的產(chǎn)能，將有限的晶圓資源和加工能力向高附加值的高端存儲(chǔ)產(chǎn)品傾斜，而這次追投龍仁晶圓廠的舉措，則是SK海力士主動(dòng)優(yōu)化產(chǎn)能結(jié)構(gòu)戰(zhàn)略的重要一環(huán)。

隨著龍仁晶圓廠的加速落地，SK海力士前后端全球一體化制造能力已經(jīng)初步成型。

具體來看，當(dāng)前利川M16與清州M15X負(fù)責(zé)滿足當(dāng)前的HBM市場(chǎng)需求，規(guī)劃中的龍仁首廠則定位為HBM4及更高代次產(chǎn)品的旗艦基地，中國無錫、大連工廠將繼續(xù)聚焦成熟制程，穩(wěn)定提供現(xiàn)金流，而清州P&T7工廠和美國印第安納州先進(jìn)封裝工廠則主要負(fù)責(zé)后段封裝工藝。

02

該如何理解SK海力士的決心

要進(jìn)一步理解SK海力士這輪激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，還要從公司“千年老二”的定位說起。

SK海力士的前身是1983年成立的現(xiàn)代電子半導(dǎo)體部門，作為韓國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的早期參與者，其初期發(fā)展始終受行業(yè)周期波動(dòng)與巨頭競(jìng)爭(zhēng)的雙重?cái)D壓，多次陷入經(jīng)營困境。

亞洲金融風(fēng)暴期間，現(xiàn)代電子由于身負(fù)巨額債務(wù)，正處于行業(yè)下行周期的半導(dǎo)體部門成為集團(tuán)的經(jīng)營負(fù)擔(dān)；當(dāng)現(xiàn)代電子脫離現(xiàn)代集團(tuán)正式更名為海力士時(shí)，公司已經(jīng)資不抵債，瀕臨破產(chǎn)，后續(xù)在韓國行業(yè)協(xié)會(huì)的支持下，才勉強(qiáng)擺脫被收購的命運(yùn)，得以存續(xù)。

此后十年，海力士始終在行業(yè)周期中掙扎求生。

行業(yè)下行期時(shí)，被迫縮減研發(fā)投入、變賣資產(chǎn)以維持經(jīng)營，甚至關(guān)停部分低效原有產(chǎn)線；好不容易熬到行業(yè)復(fù)蘇期，又因業(yè)務(wù)布局分散、缺乏核心優(yōu)勢(shì)，被三星憑借規(guī)模優(yōu)勢(shì)持續(xù)壓制，長期處于行業(yè)第二梯隊(duì)，盈利水平極不穩(wěn)定。

這些反復(fù)出現(xiàn)的經(jīng)營問題讓海力士逐漸意識(shí)到，縱觀半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)歷史，長期缺席高附加值核心賽道，終究難以在行業(yè)站穩(wěn)陣腳。

2012年，SK集團(tuán)以約30億美元的代價(jià)收購海力士，將其更名為“SK海力士”，此次收購成為公司戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，基于此前的經(jīng)營教訓(xùn)，完成整合后的SK海力士開始圍繞核心關(guān)鍵業(yè)務(wù)和自主技術(shù)做文章。

一邊主動(dòng)收縮分散業(yè)務(wù)，一邊圍繞“未來愿景”進(jìn)行了大規(guī)模產(chǎn)線升級(jí)，與此同時(shí)SK海力士還將目光投向了當(dāng)時(shí)小眾但潛力巨大的HBM領(lǐng)域。

彼時(shí)HBM尚屬于高性能計(jì)算領(lǐng)域的小眾產(chǎn)品，市場(chǎng)需求有限，長期投入難以快速看到回報(bào)，但SK海力士認(rèn)為隨著全球科技行業(yè)的高速發(fā)展，服務(wù)器級(jí)別的DRAM產(chǎn)品有望迎來爆發(fā)，依托世宗、利川原有工廠的研發(fā)與生產(chǎn)能力，SK海力士開始逐步積累相關(guān)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

2013年，工程師出身的CEO樸星昱上任后，SK海力士開始進(jìn)一步聚焦存儲(chǔ)核心業(yè)務(wù)，精簡(jiǎn)冗余業(yè)務(wù)板塊，將有限的資源集中投入到HBM等前沿技術(shù)研發(fā)中。

圖示：Sk海力士押注HBM的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)

此后，在HBM市場(chǎng)需求尚未爆發(fā)的長達(dá)十多年間，SK海力士逐步完成從HBM2到HBM3、HBM3E、HBM4的技術(shù)迭代，而隨著AI產(chǎn)業(yè)初露端倪，HBM需求開始緩慢釋放，SK海力士這一早期布局逐步收獲回報(bào)。

從市場(chǎng)需求結(jié)構(gòu)來看，押注AI高性能產(chǎn)品是一門高風(fēng)險(xiǎn)高回報(bào)的投資藝術(shù)，AI服務(wù)器對(duì)HBM的需求量遠(yuǎn)高于普通服務(wù)器，單臺(tái)AI服務(wù)器的HBM需求量約為普通服務(wù)器的8到10倍，需求一旦爆發(fā)規(guī)模將相當(dāng)可觀，2025年全球持續(xù)性缺貨驗(yàn)證了SK海力士當(dāng)年的超前眼光。

如今看來，SK海力士的對(duì)于AI爆發(fā)、高性能DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)需求的判斷，早在14年前已經(jīng)寫下，2025年能夠一舉拿下HBM細(xì)分賽道超過60%的市場(chǎng)份額，更多是對(duì)公司長期堅(jiān)持低回報(bào)投入的回收。

至于如今的激進(jìn)追投，不過是SK海力士長期押注這條AI賽道的必然延伸。

03

是護(hù)城河，也是雙刃劍

SK海力士的擴(kuò)產(chǎn)，不僅體現(xiàn)了自身的戰(zhàn)略布局，在全球AI基建狂熱正盛的當(dāng)下，更直接牽動(dòng)全球存儲(chǔ)行業(yè)的格局。

隨著SK海力士打破行業(yè)平衡，并且繼續(xù)加速AI產(chǎn)品產(chǎn)能布局，三星、美光相繼啟動(dòng)反擊回應(yīng)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈。

就在2月12日，三星宣布HBM4提前商業(yè)化量產(chǎn)，目標(biāo)顯然是針對(duì)SK海力士在去年9月宣布的HBM4量產(chǎn)體系，據(jù)了解，三星的HBM4產(chǎn)品將采用1c DRAM工藝和混合鍵合封裝技術(shù)，帶寬11.7Gbps，目前采用12層堆疊技術(shù)可提供36GB容量，未來若采用16層堆疊，容量可擴(kuò)展至48GB。

雖然目前三星HBM4良率僅為60%，但也總算趕上第一波HBM4交付時(shí)間節(jié)點(diǎn)。

不僅如此，三星還計(jì)劃進(jìn)一步關(guān)停落后產(chǎn)線，將資源集中投向HBM4和1c DRAM產(chǎn)能，希望2026年HBM銷量較2025年增長3倍以上，目標(biāo)將市占率從17%提升至25%到30%，并計(jì)劃在2027年推出定制化HBM，試圖從SK海力士中奪回市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。

至于美光則采取差異化競(jìng)爭(zhēng)策略，嘗試通過重點(diǎn)布局多區(qū)域供應(yīng)鏈，避開與韓系廠商正面抗衡。

按照美光公告，公司正積極推進(jìn)紐約、愛達(dá)荷州晶圓廠建設(shè)，同時(shí)收購臺(tái)灣力積電銅鑼廠、投資日本廣島工廠，以此降低單一區(qū)域的風(fēng)險(xiǎn)，縮小與韓系廠商的技術(shù)差距，行業(yè)消息稱，美光計(jì)劃在2026年內(nèi)將其HBM4產(chǎn)能提升至1.5萬片，這將占到其本身HBM總產(chǎn)能近30%。

全球DRAM市場(chǎng)格局已經(jīng)從過往三足鼎立，變成“韓系雙雄+美光”的局面，在這其中，SK海力士又以半斷層的優(yōu)勢(shì)遙遙領(lǐng)先，然而這一切都是建立在AI需求持續(xù)保持高度繁榮前提上。

需要明確的是存儲(chǔ)行業(yè)的周期性并未消失，只是被AI需求的熱度暫時(shí)掩蓋，SK海力士將發(fā)展重心高度集中于AI存儲(chǔ)，一旦AI周期出現(xiàn)反轉(zhuǎn)，巨額擴(kuò)產(chǎn)帶來的產(chǎn)能與資金壓力，可能使其陷入經(jīng)營被動(dòng)。

特別是若未來AI資本開支降溫、需求調(diào)整或技術(shù)路線迭代，SK海力士產(chǎn)品結(jié)構(gòu)單一的短板有可能造成業(yè)績(jī)大幅下滑。

值得關(guān)注的是，當(dāng)SK海力士聚焦高端AI存儲(chǔ)、收縮中低端業(yè)務(wù)的同時(shí)，客觀上也在為國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商提供了一個(gè)難得的突圍窗口。

中國國產(chǎn)替代進(jìn)程持續(xù)加速，這可能是目前全球存儲(chǔ)市場(chǎng)最具長期影響力的變量，因?yàn)楫?dāng)全球視野聚焦在高端HBM產(chǎn)品領(lǐng)域時(shí)，國產(chǎn)存儲(chǔ)在消費(fèi)端產(chǎn)品的替代步伐正在以肉眼可見的速度變強(qiáng)。

其中，長鑫存儲(chǔ)的DDR5良率已經(jīng)突破90%，全球市占率達(dá)8%，依托成本優(yōu)勢(shì)，正逐步實(shí)現(xiàn)中低端DDR5的替代，同時(shí)公司加速先進(jìn)制程研發(fā)，未來有望滲透高端服務(wù)器DRAM市場(chǎng)，進(jìn)一步擠壓SK海力士的市場(chǎng)空間

而在NAND領(lǐng)域，長江存儲(chǔ)的3D NAND產(chǎn)能持續(xù)提升，特別是其原定于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的武漢三期晶圓廠，有望提前至2026年下半年正式啟動(dòng)，比原計(jì)劃整整提前一年。

數(shù)據(jù)顯示，長江存儲(chǔ)全球市占率已從2024年的9%躍升至2025年第三季度的13%，首次突破10%大關(guān)，若三期項(xiàng)目如期在2026年下半年量產(chǎn)，其市場(chǎng)份額有望沖擊15%以上，進(jìn)一步逼近全球前四。

對(duì)于SK海力士而言，盡管AI存儲(chǔ)的高景氣周期仍在持續(xù)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)與市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)也在逐步累積。

追投150億美元擴(kuò)產(chǎn)體現(xiàn)了如今貴為行業(yè)一哥的SK海力士戰(zhàn)略魄力和對(duì)AI行業(yè)未來的樂觀預(yù)期，然而在半導(dǎo)體行業(yè)沒有永恒的領(lǐng)先者，唯有持續(xù)適應(yīng)市場(chǎng)變化、優(yōu)化戰(zhàn)略布局、堅(jiān)守技術(shù)創(chuàng)新，同時(shí)兼顧全球產(chǎn)能的合理分配與風(fēng)險(xiǎn)對(duì)沖，才能在行業(yè)迭代中保持競(jìng)爭(zhēng)力。

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