河南
快科技5月25日消息，在三星與SK海力士雙雙延遲第十代NAND量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)之際，鎧俠在堆疊層數(shù)層面率先交出了量產(chǎn)時(shí)間表。
鎧俠近日正式將第十代BiCS10 3D NAND閃存量產(chǎn)列為2026財(cái)年首要戰(zhàn)略重點(diǎn)，量產(chǎn)時(shí)間鎖定2026年5月至2027年3月區(qū)間。
技術(shù)規(guī)格上，BiCS10采用332層存儲(chǔ)單元堆疊架構(gòu)，相比現(xiàn)款BiCS8的218層增加約52%，位密度提升高達(dá)59%。
配合Toggle DDR 6.0接口標(biāo)準(zhǔn)，I/O傳輸速率從上一代的3.6Gbps提升至4.8Gbps，增幅約33%。輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，在標(biāo)準(zhǔn)TLC模式下可實(shí)現(xiàn)單顆2Tb存儲(chǔ)容量。
這款芯片沿用了CMOS直接鍵合陣列（CBA）架構(gòu)，將邏輯電路和存儲(chǔ)陣列分別在不同晶圓上制造后再鍵合。這種設(shè)計(jì)無需借助更復(fù)雜的PLC架構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)密度與可靠性的平衡。
生產(chǎn)布局方面，鎧俠將BiCS10的量產(chǎn)任務(wù)分配至日本巖手縣北上市的K2新工廠。該工廠配備專為高層NAND閃存設(shè)計(jì)的設(shè)備，在資本支出上較新建工廠大幅壓縮。
值得注意的是，鎧俠至今尚未正式收到大規(guī)模確認(rèn)訂單，相關(guān)投資輪廓預(yù)計(jì)到2026年下半年才逐步明朗。量產(chǎn)時(shí)間表與實(shí)際出貨量之間的差距，仍是鎧俠計(jì)劃中最大的不確定因素。
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