集成電路ETF國泰（159546）盤中上揚(yáng)2%，AI 賦能存儲賽道，國產(chǎn)芯片迎來發(fā)展良機(jī)

2026-05-21 13:18:09　來源: 每日經(jīng)濟(jì)新聞

四川舉報

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5月21日，集成電路ETF國泰（159546）盤中上揚(yáng)2%，AI 賦能存儲賽道，國產(chǎn)芯片迎來發(fā)展良機(jī)。

愛建證券指出，從行業(yè)維度看，DRAM 正處于 AI 驅(qū)動的新一輪超級景氣周期。國產(chǎn)存儲企業(yè)上市進(jìn)程提速，先進(jìn)封裝市場空間廣闊，半導(dǎo)體上游材料項(xiàng)目加速落地，產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展勢頭向好。受 AI 訓(xùn)練、AI 推理、高性能計算及 HBM 需求爆發(fā)驅(qū)動，全球 DRAM 市場規(guī)模預(yù)計從2025年的約1,505億美元增長至2030年的5,710億美元，復(fù)合增長率達(dá)到30.56%。行業(yè)景氣度上行帶動DRAM價格中樞顯著抬升。產(chǎn)能擴(kuò)張是中國 DRAM 廠商未來成長的核心驅(qū)動力，AI驅(qū)動下全球DRAM行業(yè)進(jìn)入新一輪擴(kuò)產(chǎn)與技術(shù)升級周期。當(dāng)前海外三大原廠持續(xù)加大HBM產(chǎn)能投入，傳統(tǒng)通用型DRAM供給階段性收縮，國內(nèi)廠商憑借擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏及產(chǎn)品迭代，加速高端產(chǎn)品導(dǎo)入，持續(xù)承接結(jié)構(gòu)性供需缺口。隨著先進(jìn)制程持續(xù)推進(jìn)及高端產(chǎn)品占比提升，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備及零部件廠商有望持續(xù)受益。

集成電路ETF國泰（159546）跟蹤的是集成電路指數(shù)（932087），該指數(shù)主要覆蓋了半導(dǎo)體設(shè)計、制造、封裝測試及相關(guān)設(shè)備材料等領(lǐng)域的上市公司，以反映中國集成電路產(chǎn)業(yè)的整體表現(xiàn)。該指數(shù)具有較高的成長性和技術(shù)含量，是科技板塊的重要組成部分。

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