碳化硅多場景突破，AI算力爆發催生全新增長極，概念股集體狂歡

5月14日，碳化硅概念漲幅居前，板塊內多只個股漲停。截至收盤，晶升股份（688478.SH）、正帆科技（688596.SH）雙雙收獲20CM漲停，天岳先進（688234.SH）漲15.26%，天富能源（600509.SH）漲10.01%。

消息面上，投研機構Citrini發布的AI供應鏈報告顯示，碳化硅被列為AI領域被嚴重忽略的核心主線，市場預期其未來在AI電源和先進封裝領域的需求將大幅增長。

多賽道共振，開啟產業新周期

碳化硅襯底是第三代半導體核心材料，是新能源汽車、光伏儲能、AI算力等高端產業的關鍵基石之一。隨著全球能源轉型與人工智能算力需求爆發，碳化硅產業競爭已從單點技術突破進入全生態布局的新階段。

憑借其高耐壓、高頻率、低損耗的優異性能，碳化硅正加速滲透新能源汽車的主驅逆變器、車載充電機（OBC）及直流變換器（DC-DC）。機構數據顯示，采用碳化硅模塊可使電動汽車續航里程提升5%至10%，或降低電池成本。

中金公司在研報中指出，碳化硅（SiC）材料是第三代化合物半導體的典型代表，特別是在下游需求快速增長的新能源相關應用中，SiC相比Si基材料更具優勢。在新能源汽車領域，SiC器件有望解決續航里程短、補能時間長等痛點。在光伏發電領域，SiC器件有望提升逆變器轉換效率及使用壽命。

除新能源汽車、光儲充等賽道外，碳化硅在AI數據中心（AIDC）、固態變壓器（SST）、AR眼鏡/光學領域、先進封裝等領域也實現了技術應用的突破。

AI算力的指數級爆發，正倒逼數據中心進行供電架構的革命性升級。880V高壓直流（HVDC）成為行業主流選擇，而固態變壓器作為核心樞紐，為碳化硅技術帶來前所未有的市場機遇。在AR眼鏡/光學領域，半絕緣型SiC襯底憑借高折射率、高透光、高熱穩等特性，在AR/VR光學領域實現突破性應用，成為消費電子領域新的增長點。

在先進封裝領域，碳化硅的高熱導率、高機械強度和良好的電絕緣性，使其成為芯片封裝領域的理想材料。在2.5D/3D封裝中，碳化硅中介層可替代硅中介層，有效降低芯片運行溫度，提升散熱性能，同時減少封裝尺寸，滿足高功耗芯片的散熱需求。

國內企業布局提速，產銷與技術雙突破

產業風口下，國內企業加速布局碳化硅領域，在技術研發、產能擴張、市場拓展等方面持續突破，實現產銷與技術的全面提升。東方證券分析稱，隨著英偉達GPU芯片的功率越來越大，將眾多芯片集成到硅中介層將導致更高的散熱性能要求，而如果采用導熱率更好的SiC中介層，其散熱片尺寸有望大幅縮小，優化整體封裝尺寸。

基于此，多家上市公司已在挖掘碳化硅在中介層的應用潛力，碳化硅導熱性能優異，有望在中介層、散熱基板等環節應用，相關廠商有望受益。根據Wolfspeed預測，2026年SiC相關器件市場有望達到89億美元，襯底市場有望達到17億美元，合計市場規模超百億元。

天岳先進此前在接受調研時表示，隨著行業持續向大尺寸升級，8英寸碳化硅襯底產品正進入快速發展的關鍵階段，未來有望成為帶動行業增長和公司結構升級的核心方向，下游新能源汽車800V高壓平臺、工業電源、數據中心等場景對大尺寸、高性能碳化硅器件需求持續提升，將推動8英寸產品市場擴容。2025年，該公司碳化硅襯底產量折合達到69.04萬片，同比增長68.31%；全年對外銷售63.33萬片，同比增長75.33%，產銷規模穩步提升，產能運營與交付效能保持良好水平。

三安光電（600703.SH）在2025年年報中指出，8英寸N型SiC晶體低位錯生長技術開發已完成并導入量產，實現了8英寸碳化硅長晶良率、晶體內應力及缺陷質量的大幅提升。其產品性能的提升和碳化硅襯底成本的降低，有效增強了產品競爭力。三安光電同時透露，公司在碳化硅領域圍繞車規級應用發力，已進入下游客戶供應商名錄，穩步推進與意法半導體合資的重慶8英寸碳化硅項目，湖南三安的12寸碳化硅襯底已向客戶送樣驗證。

科創新材（920580.BJ）主營耐火材料等業務，近年來大力拓展碳化硅復合材料業務。該產品主要用于新能源電池材料（如鋰電池負極包覆碳化、正極材料焙燒），且公司表示未來有望向半導體封裝材料等高端領域延伸。2026年第一季度，該公司業績表現亮眼，實現營收2902.56萬元，同比增長70.51%；歸母凈利潤523.31萬元，同比增長132.77%。