劍指BIC！瑤芯重磅發(fā)布新一代100V超低導(dǎo)阻 SGT MOSFET

在AI算力狂飆突進(jìn)、終端用電設(shè)備功率屢創(chuàng)新高的今天，“高功率密度”與“極致效率”已成為電源設(shè)計的核心需求。然而，在有限的板級空間內(nèi)，如何有效控制溫升、降低損耗，成為了擺在每一位電源工程師面前的難題。

面對這一行業(yè)痛點，瑤芯微電子憑借深厚的工藝積累與卓越的器件設(shè)計能力，正式重磅推出新一代（G5平臺）100V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。

該系列產(chǎn)品覆蓋 1.9mΩ、2.1mΩ、4.6mΩ 等多個規(guī)格，采用緊湊的 PDFN5*6 封裝。其中，AK2G10N019GAL憑借超低導(dǎo)通電阻與極佳的動態(tài)特性，成功打破了100V高端功率器件長期被國際巨頭壟斷的局面。

一、卓越性能，劍指BIC(Best In Class)

在高頻、高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域，如何平衡導(dǎo)通損耗（Ron）與開關(guān)損耗（Qg/Coss）是考驗功率器件技術(shù)底蘊的試金石。瑤芯100V SGT新一代G5技術(shù)平臺，交出了一份驚艷的答卷。

以AK2G10N021GAM-H(100V, 2.1mΩ max) 為例，對其性能指標(biāo)進(jìn)行全方位實測驗證：

1. 突破極限的超低導(dǎo)阻 (Rdson)：

AK2G10N021GAM-H典型導(dǎo)通電阻僅為 1.66mΩ，更低的 Ron 意味著在額定大電流工況下，能顯著降低導(dǎo)通損耗，大幅提升整機(jī)效率，同時讓器件工作溫升更低，從容應(yīng)對散熱挑戰(zhàn)。

2.極佳的輸出電容 (Coss)，第三代半導(dǎo)體的完美搭檔：

在維持超低導(dǎo)阻的同時，Coss 特性優(yōu)異（典型值 2285pF）。這保證了系統(tǒng)在輕載下依然擁有出色的效率表現(xiàn)。尤為值得一提的是，該特性使其極度契合搭配 GaN / SiC 等寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)行高頻開關(guān)工作。

3. 卓越的柵極電荷 (Qg) 表現(xiàn)：

Qg 表現(xiàn)優(yōu)秀（典型值 85nC），具備更低的驅(qū)動損耗，帶來更優(yōu)的待機(jī)功耗表現(xiàn)。

核心總結(jié)： 瑤芯100V SGT G5系列在核心參數(shù)上實現(xiàn)了業(yè)界卓越水平，在PDFN5*6 封裝下，將100V耐壓的內(nèi)阻下探至1.9mΩ，這在目前的國產(chǎn)功率器件生態(tài)中具有極強(qiáng)的稀缺性，標(biāo)志著瑤芯在SGT工藝上實現(xiàn)了真正的代際領(lǐng)先。

二、 直擊前沿應(yīng)用，解決設(shè)計痛點

憑借強(qiáng)大的綜合性能，瑤芯新一代 100V SGT 產(chǎn)品矩陣能夠完美適配各類嚴(yán)苛的高功率應(yīng)用場景：

1.AI數(shù)據(jù)中心 BBU電源（Buck-Boost 拓?fù)洌?/strong>

AI 算力狂飆的背后，是對供電系統(tǒng)極致的可靠性與效率要求。在 BBU的Buck-Boost充放電電路中，我們的產(chǎn)品能有效抑制高頻開關(guān)帶來的開關(guān)損耗，并憑借極低熱阻特性，在密集的服務(wù)器機(jī)柜環(huán)境中保障電力傳輸?shù)姆€(wěn)定與高效

2.微型逆變器與戶用儲能

在新能源領(lǐng)域，100V SGT 完美適配微逆的 DC-DC 升壓前級以及戶儲系統(tǒng)的雙向變換器中，優(yōu)異的 FOM 值（Ron * Qg）助力系統(tǒng)輕松突破 98% 甚至更高的轉(zhuǎn)換效率

3.高功率密度 PD 快充電源（同步整流應(yīng)用）

隨著百瓦級、甚至兩百瓦級移動設(shè)備快充的普及，副邊同步整流管承受著巨大的電流應(yīng)力。瑤芯 1.9mΩ / 2.1 mΩ SGT 能夠?qū)?dǎo)通損耗降至最低，無需傳統(tǒng)的兩并聯(lián)方案，節(jié)省PCB空間，輕松實現(xiàn)電源模塊的小型化與超薄化設(shè)計

4.輕型電動車及高端電動工具電機(jī)驅(qū)動

面對兩輪電動車、大功率無刷直流電機(jī)等應(yīng)用中的大電流堵轉(zhuǎn)和頻繁啟停工況，瑤芯PDFN5*6 封裝不僅提供了極佳的散熱基石，強(qiáng)大的電流雪崩耐量也為電機(jī)驅(qū)動提供了堅不可摧的可靠性

三、100V產(chǎn)品矩陣

目前瑤芯 100V 產(chǎn)品矩陣已圍繞1-2mΩ、2-5mΩ、5-10mΩ、10-20mΩ及20-100mΩ多個導(dǎo)阻區(qū)間完成布局，并提供TOLL、DFN3X3、DFN5X6、TO-263、TO-220、TO-252、SOP-8、SOT-23等多種封裝規(guī)格，整體覆蓋范圍較廣。

其中，DFN5X6、TO-220、TO-252等封裝下的型號分布相對更豐富，能夠更好滿足PD快充、電源模塊、儲能及低壓電驅(qū)等不同場景對體積、散熱和功率等級的差異化需求。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

從此次發(fā)布的100V SGT MOSFET系列來看，瑤芯正進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)其在高性能功率器件領(lǐng)域的產(chǎn)品布局。針對PD快充、AI數(shù)據(jù)中心、微型逆變器、戶用儲能以及低壓電驅(qū)等應(yīng)用對低損耗、高功率密度和熱設(shè)計能力的要求，這一代產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻、Qg、Coss及封裝適配性等關(guān)鍵維度上都展現(xiàn)出較強(qiáng)競爭力。

其中，AK2G10N019GAL在PDFN5×6封裝下實現(xiàn)100V耐壓與低導(dǎo)通電阻組合，體現(xiàn)出瑤芯在SGT工藝平臺上的持續(xù)進(jìn)步，也為國產(chǎn)100V高性能MOSFET在高端應(yīng)用市場的進(jìn)一步拓展提供了更多可能。

對于正在推進(jìn)高效率、小型化方案設(shè)計的電源廠商來說，瑤芯這代產(chǎn)品也帶來了新的器件選擇。