曾親赴霍爾木茲調(diào)研的Citrini判斷：碳化硅是AI最大暗線

文 | 萬聯(lián)萬象

2026年5月13日，一份來自獨立研究機構(gòu)Citrini的報告在華爾街投下一枚“深水炸彈”。

這家機構(gòu)在不久前的霍爾木茲海峽危機最緊張時刻，當所有投行都在依賴衛(wèi)星數(shù)據(jù)和二手情報時，Citrini的分析師親自奔赴沖突一線，走訪當?shù)貪O民、碼頭工人和航運調(diào)度，最終率先指出“海峽并未被真正封鎖”。

這一判斷隨后被后續(xù)事態(tài)驗證，也讓Citrini一戰(zhàn)成名。

如今，這家以“腳底沾泥”式調(diào)研著稱的機構(gòu)，將聚光燈投向了碳化硅。

在這份重磅報告中，Citrini明確將碳化硅列為AI領域最被低估的核心主線，并提出到2030年，AI數(shù)據(jù)中心將吃掉碳化硅市場近一半的份額，而先進封裝對SiC的需求規(guī)模，甚至可能超過傳統(tǒng)的功率市場。

報告發(fā)布后，美股Wolfspeed大漲，A股碳化硅板塊這兩天也集體異動。

為什么市場對這份報告反應如此劇烈？

因為Citrini此前的預測記錄頗為亮眼，憑借獨立視角多次踩準關鍵拐點。

那么，這次Citrini對碳化硅的判斷，究竟是又一次精準的前瞻，還是過于激進的推演？

碳化硅：從功率替代到AI剛需

圖片來源：天岳先進官網(wǎng)

碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的半導體材料，硬度僅次于金剛石，屬于第三代寬禁帶材料。相比傳統(tǒng)硅材料，它在高壓、高頻、高溫場景中具有壓倒性優(yōu)勢：擊穿電場強度約為硅的10倍，熱導率約為硅的3倍，禁帶寬度約為硅的3倍。這些特性使其在功率轉(zhuǎn)換和熱管理領域具有不可替代的價值。

過去五年，碳化硅的需求故事幾乎完全圍繞新能源汽車展開。800V高壓平臺的普及，使碳化硅主驅(qū)逆變器成為提升充電速度和能效的核心技術(shù)。

據(jù)弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)，2025年碳化硅在新能源車主驅(qū)逆變器中的滲透率已超過30%，新能源汽車仍然是當前及未來五年碳化硅最大的單一應用市場。

但真正讓產(chǎn)業(yè)重新測算市場天花板的，是AI算力爆發(fā)帶來的兩個全新增量場景。

第一個場景：AI數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)的全面升級。

AI芯片功耗正快速攀升，英偉達B200已超過1000W，下一代Rubin平臺預計將進一步走高。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心普遍采用的54V/48V電源架構(gòu)，在兆瓦級負載下面臨巨大的配電損耗與散熱壓力，行業(yè)正加速向800V高壓直流架構(gòu)過渡，而碳化硅功率器件是實現(xiàn)這一跨越的核心硬件。

2025年5月，英偉達已宣布數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)將從當前的54V機架供電向800V高壓直流過渡，目標2027年實現(xiàn)規(guī)模化商用。相比硅基IGBT，碳化硅MOSFET的開關損耗僅為前者的十分之一，耐壓能力更強，可在相同市電容量下支撐更高比例的AI負載。

據(jù)估算，一座10萬卡規(guī)模的智算中心，從硅基切換至碳化硅方案，僅電力基礎設施的投資差異即可達數(shù)億元。

第二個場景：先進封裝中的熱管理革命。

當單芯片功耗突破1000W，傳統(tǒng)硅中介層的導熱能力已逼近物理極限。臺積電正將大尺寸CoWoS先進封裝列為核心戰(zhàn)略，規(guī)劃在2026年、2027年分別推出5.5倍與9.5倍光罩尺寸方案，以支持12層HBM及多芯片集成。

碳化硅的熱導率是硅的3倍，同時具有與硅接近的熱膨脹系數(shù)，可以在高效散熱的同時減少封裝翹曲，提升大尺寸芯片的封裝良率。臺積電在2025年第四季度法說會上已釋放出SiC在先進封裝中作為散熱關鍵材料的應用取得突破性驗證的信號。據(jù)長江證券預測，臺積電CoWoS產(chǎn)能2026年將達100萬片每月，若30%采用碳化硅方案，潛在空間超10億美元。

這一方案若實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，碳化硅的角色將從“功率開關材料”延伸為“先進封裝功能材料”，單顆芯片的價值量可能從幾美元躍升至幾十甚至上百美元。

兩條新增長曲線疊加，碳化硅的需求空間正在發(fā)生量級躍遷。

Citrini報告預測，2030年碳化硅襯底市場將從當前的百億級成長至2000~3000億元，其中AI電源和先進封裝將貢獻過半增量。

這一判斷是否過于樂觀，取決于技術(shù)驗證和產(chǎn)能爬坡的節(jié)奏，但至少指明了產(chǎn)業(yè)增長的新方向。

Wolfspeed：債務砍掉約70%，毛利率仍為負數(shù)

圖片來源：Wolfspeed

Wolfspeed的破產(chǎn)重組，是碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上的一個重要節(jié)點。

這家美股公司專注于硅碳化物材料和電源應用設備，曾長期被視為行業(yè)的“技術(shù)燈塔”：最早量產(chǎn)6英寸襯底，最早建成8英寸晶圓廠，導電型襯底市場份額一度超過60%。

然而技術(shù)領先并未轉(zhuǎn)化為商業(yè)成功。

其財報顯示，在2024財年，資本支出高達21億美元，營收卻僅8.07億美元，新建的8英寸晶圓廠和材料廠產(chǎn)能利用率長期低于20%，巨額折舊與運營費用最終壓垮了現(xiàn)金流。

2025年6月，Wolfspeed申請Chapter 11破產(chǎn)保護。三個月后，公司完成一輪“減重手術(shù)”：債務削減約70%，關閉達勒姆150毫米器件工廠，裁員三分之一，無限期暫停德國薩爾州項目。

2026年5月發(fā)布的第三季度財報顯示，賬面現(xiàn)金回升至12億美元，凈債務降至5.55億美元，財務結(jié)構(gòu)顯著修復。但運營端遠未止血：非GAAP毛利率為-20.6%，經(jīng)營現(xiàn)金流凈流出8400萬美元。更關鍵的是，8英寸莫霍克谷工廠產(chǎn)能利用率仍處低位，單位折舊與運營成本居高不下。債務減負只是“救命”，產(chǎn)能利用率與成本曲線的匹配才是“治病”。

技術(shù)上，Wolfspeed仍保有三張底牌：2026年1月成功生產(chǎn)出單晶300mm（12英寸）碳化硅晶圓；3月推出業(yè)界首款商用10kV SiC MOSFET；同時推出專為AI數(shù)據(jù)中心機架電源設計的新一代封裝方案。AI數(shù)據(jù)中心相關業(yè)務已連續(xù)多個季度環(huán)比增長約30%，成為當下唯一保持高增的細分市場。然而，這一體量尚不足以扭轉(zhuǎn)整體虧損。

Wolfspeed的案例為我們揭示了一個殘酷事實：在碳化硅賽道，先發(fā)技術(shù)優(yōu)勢并不等于商業(yè)壁壘。當成本結(jié)構(gòu)失控、產(chǎn)能節(jié)奏失當、下游需求切換時，即便是行業(yè)奠基者也難逃流動性危機。

而中國碳化硅產(chǎn)業(yè)過去幾年的戰(zhàn)略選擇是將成本控制與產(chǎn)能節(jié)奏置于首位，也恰好驗證了這一邏輯。

中國產(chǎn)業(yè)鏈：從成本優(yōu)勢到產(chǎn)能話語權(quán)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的價值分布呈現(xiàn)典型的“倒金字塔”結(jié)構(gòu)。據(jù)國際知名半導體研究機構(gòu)Yole Group研究顯示，襯底制造環(huán)節(jié)占SiC功率器件總成本的約47%，外延生長占約23%，兩者合計70%。與傳統(tǒng)硅基半導體不同，碳化硅的話語權(quán)高度集中在上游材料環(huán)節(jié)。

當前，全球碳化硅襯底正處于從6英寸向8英寸的迭代窗口。8英寸襯底相比6英寸，可將有效芯片數(shù)量提升約90%，單位芯片成本降低30%以上。能否實現(xiàn)8英寸高良率量產(chǎn)，是襯底廠商進入主流供應鏈的關鍵門檻。

在這一輪代際切換中，中國企業(yè)的市場份額顯著提升。據(jù)日本富士經(jīng)濟2026年3月發(fā)布的報告，2025年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底市場中，中國廠商合計份額已超過40%。其中，天岳先進以27.6%的份額位居全球第一，8英寸市場份額為51.3%。在更大尺寸層面，天岳先進2025年年報顯示，公司已完成12英寸導電型和半絕緣型技術(shù)攻關，并獲得客戶訂單交付。據(jù)其披露，其已與英飛凌、博世、羅姆等全球前十大功率半導體器件制造商中的半數(shù)以上建立合作關系。2025年全年，天岳先進碳化硅產(chǎn)品產(chǎn)量折合69.04萬片，同比增長68.31%。

其他國內(nèi)企業(yè)也在推進產(chǎn)能布局。天科合達2025年初實現(xiàn)導電型SiC襯底累計百萬片級出貨，并已獲得多家國內(nèi)外頭部企業(yè)8英寸外延中小批量訂單。晶盛機電已備案60萬片8英寸襯底產(chǎn)能，寧夏創(chuàng)盛年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片項目已開工建設。

在外延環(huán)節(jié)，中國企業(yè)的全球地位同樣突出。全球SiC外延片市場已形成“頭部引領、本土崛起”的競爭格局。根據(jù)灼識咨詢的報告，瀚天天成作為全球首家實現(xiàn)8英寸SiC外延片大批量外供的企業(yè)，以31.6%的全球市場份額位居全球前列。自2023年來，瀚天天成即是全球最大的碳化硅外延供貨商。而天域半導體在中國市場以30.6%的收入占比成為行業(yè)領軍者之一。

在器件和模塊環(huán)節(jié)，中國企業(yè)整體份額仍落后于英飛凌、意法半導體等國際IDM巨頭。但部分車規(guī)級碳化硅模塊已進入國內(nèi)主流車企供應鏈，少數(shù)企業(yè)開始向海外Tier 1供貨。公開信息顯示，在代工環(huán)節(jié)，國內(nèi)最大碳化硅器件代工廠的6英寸CP良率已提升至94%以上。

供需周期：從產(chǎn)能過剩到結(jié)構(gòu)性改善

2024年到2025年，碳化硅行業(yè)經(jīng)歷了一輪慘烈的價格戰(zhàn)。公開數(shù)據(jù)顯示，2022年1萬多一片的6英寸導電型碳化硅襯底，到2025年一度跌破2000元關口。價格戰(zhàn)的根源在于供需錯配：下游新能源汽車增速放緩，而中國襯底產(chǎn)能以每年翻倍的速度擴張。

但價格戰(zhàn)并非沒有正面意義。它加速了低效產(chǎn)能的出清，迫使企業(yè)在降本上極致挖掘，最終拉低了碳化硅器件的應用門檻。海外大廠縮減產(chǎn)能，國內(nèi)的產(chǎn)能擴張也放緩節(jié)奏，低端產(chǎn)能加速淘汰，高端產(chǎn)能則相對稀缺。2025年，部分消費級SiC MOSFET器件單價已顯著下探，逼近甚至低于硅基超結(jié)MOSFET的價位：這意味著碳化硅正在從“高端選配”走向“成本可接受”的廣泛市場。

據(jù)行家說Research測算，到2030年，全球SiC襯底總需求量（折合6英寸）有望接近1200萬片。

進入2026年，供需信號正在發(fā)生關鍵變化。據(jù)晶升股份2026年4月發(fā)布的投資者交流記錄，碳化硅襯底市場已釋放出明確復蘇信號：6英寸碳化硅襯底價格出現(xiàn)較大幅度反彈，8英寸產(chǎn)品價格止跌企穩(wěn)并小幅上漲，部分襯底廠商已收到下游客戶新增訂單需求，行業(yè)供需格局得到明顯改善。天岳先進在2026年3月的投資者調(diào)研中亦表示，過去兩年碳化硅襯底行業(yè)經(jīng)歷了充分的價格調(diào)整，目前6英寸產(chǎn)品價格已逐步進入相對穩(wěn)定區(qū)間，8英寸產(chǎn)品價格亦明顯企穩(wěn)，行業(yè)正從價格調(diào)整階段轉(zhuǎn)向“價格趨穩(wěn)、需求擴容”的新階段。

需求側(cè)的驅(qū)動力正在從單一的新能源汽車，轉(zhuǎn)向“EV+AI+光儲”的多輪共振。新能源汽車仍是占比最大的基本盤，800V平臺的滲透率持續(xù)提升。在AI數(shù)據(jù)中心領域，英偉達已明確數(shù)據(jù)中心正從當前的54V機架供電向800V高壓直流架構(gòu)過渡，目標是2027年實現(xiàn)規(guī)模化商用，以支撐1MW及以上超高功率密度IT機架的電力需求。SiC器件憑借極低的開關損耗和耐高壓特性，能讓服務器電源轉(zhuǎn)換效率突破96%甚至向99%邁進，在相同市電容量下可多支撐50%的AI負載。光伏儲能領域，200kW以上組串式逆變器中SiC的滲透率已超過60%。此外，先進封裝散熱正在成為增量最快的新引擎，英偉達正評估新一代Rubin平臺中將CoWoS封裝的硅中介層替換為碳化硅的方案，若該方案確立，每一顆高端AI處理器都將內(nèi)置SiC材料。

供需收緊的趨勢已經(jīng)顯現(xiàn)。Wolfspeed重組導致部分海外產(chǎn)能階段性停擺，國內(nèi)頭部襯底廠滿產(chǎn)，但全行業(yè)產(chǎn)能利用率僅約48.8%。隨著AI相關需求在2026年下半年進一步釋放，全球碳化硅襯底市場可能從“供給過剩”轉(zhuǎn)向“結(jié)構(gòu)性偏緊”，尤其是在8英寸及以上大尺寸襯底領域。而8英寸襯底作為當前中國企業(yè)的核心優(yōu)勢陣地，有望率先迎來需求放量。

風險與展望：決賽圈的入場券

碳化硅產(chǎn)業(yè)正站在從“技術(shù)導入期”邁向“規(guī)模化應用成長期”的拐點。但拐點之后，并非所有參與者都能分享紅利。

價格戰(zhàn)風險未消。6英寸價格雖已觸底反彈，但國內(nèi)襯底總產(chǎn)能仍遠超需求。若8英寸放量過快、下游增速不及預期，價格戰(zhàn)可能復燃。頭部企業(yè)可向8英寸升級避險，中小產(chǎn)能壓力更大。

技術(shù)迭代窗口收窄。產(chǎn)業(yè)正加速從6英寸向8英寸、12英寸演進，溝槽型MOSFET逐步替代平面型。12英寸良率爬坡與溝槽工藝成熟度均存不確定性。全球約90%的核心專利仍由美日企業(yè)持有，中國企業(yè)拓展高端市場面臨知識產(chǎn)權(quán)壁壘。

地緣政治是長期變量。美國對華半導體設備出口管制持續(xù)升級，碳化硅作為戰(zhàn)略材料，處于大國博弈焦點。

但基本面改善確定。AI需求正從概念走向訂單，8英寸量產(chǎn)重塑成本曲線，全球供應鏈“東移”趨勢大概率不可逆轉(zhuǎn)。

Wolfspeed的重組與再出發(fā)，以及中國產(chǎn)業(yè)鏈的快速崛起，共同描繪了碳化硅產(chǎn)業(yè)的新圖景。未來兩到三年，這個賽道的“決賽圈”將更加清晰：能夠同時掌握8英寸高良率量產(chǎn)能力、車規(guī)級認證通道、以及AI新興應用客戶生態(tài)的企業(yè)，將成為這場產(chǎn)業(yè)變革的主導者。

• 數(shù)據(jù)來源：

弗若斯特沙利文、Yole Group、日本富士經(jīng)濟、CASA Research、灼識咨詢、行家說Research、Wind、Wolfspeed 2026財年第三季度財報及重組公告、英偉達2025年第一季度財報電話會議、臺積電2025年第四季度法說會

• 研報來源：Citrini AI供應鏈報告（2026年5月）、華源證券、長江證券、中信證券、摩根士丹利
• 報道來源：天岳先進2025年年報及2026年3月投資者調(diào)研記錄天科合達官網(wǎng)及投資者關系公告晶升股份2026年4月投資者交流記錄瀚天天成官網(wǎng)及招股書申報稿中國半導體行業(yè)協(xié)會《寬禁帶半導體專利態(tài)勢分析報告》2025年EET China、TrendForce