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4月14日消息，據韓媒報道，三星晶圓代工已將 4nm 制程工藝的 HBM4 內存基礎裸片 (Base Die) 報價上調 40~50%，這將推高存儲器業務的 HBM 制造整體成本。
據報道，自2026年初以來，隨著HBM4出貨量快速上升，三星開始上調4nm基礎裸片的價格，已上漲了40%至50%，表明其半導體產品線的定價趨于正常化。與此同時，三星4nm生產線已接近滿負荷運轉，晶圓代工業務整體盈利能力呈現漸進改善的趨勢。
三星4nm工藝良品率的提升及性能的穩定性，已開始反映在今年的HBM4上。三星已經為接下來的HBM4E準備了相同工藝的基礎裸片，計劃今年內投入生產。傳聞三星還打算在HBM4E中引入2nm工藝制造基礎裸片，提高能效、散熱管理和面積利用率，進一步擴大競爭優勢。
過去幾個月里，得益于良品率的提升，三星的晶圓代工業務有抬升的趨勢。三星也為晶圓代工業務設定了新目標，希望兩年內實現盈利，并占據20%的市場份額。今年年初，三星晶圓廠的整體產能利用率已提高至60%，預計很快會達到80%的收支平衡線。
有消息稱，三星的晶圓代工業務可能在今年第四季度實現盈利，明年會迎來更明顯的改善周期。此外，伴隨4/5nm工藝的訂單量提升，三星在2025年第四季度還通知客戶，將提高4/5nm的代工價格。
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