【硬件資訊】持續(xù)發(fā)力AI！未來AI芯片將以存儲為核心？加大先進生產(chǎn)技術(shù)及AI定制產(chǎn)品投入！

新 聞1： HBF或取代GPU地位，未來AI芯片將以存儲為中心

今年2月，SK海力士（SK hynix）宣布與閃迪（SanDisk）聯(lián)合舉辦了“HBF規(guī)格標準化聯(lián)盟啟動會”，正式發(fā)布面向AI推理時代的下一代存儲器解決方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球標準化戰(zhàn)略。雙方共同推動HBF成為行業(yè)通用標準，充分發(fā)揮各自在HBM與NAND閃存領(lǐng)域長期積累的設(shè)計能力、封裝技術(shù)及大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗，率先推動HBF的標準化與產(chǎn)品化進程，為整個AI生態(tài)系統(tǒng)協(xié)同發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

據(jù)TrendForce報道，有著“HBM之父”之稱的韓國科學技術(shù)院（KAIST）教授金正浩近日在接受媒體采訪時表示，隨著存儲巨頭競相押注HBF等后HBM技術(shù)后，目前由英偉達引領(lǐng)的GPU為中心模式最終將轉(zhuǎn)向以存儲為中心的架構(gòu)。

隨著AI領(lǐng)域從生成式模型轉(zhuǎn)向代理式模型，大量文件、視頻和多模態(tài)數(shù)據(jù)需要同時被處理，存儲成為了瓶頸，帶寬和容量都需要增加千倍，才能確保速度和準確性。HBM通過垂直堆疊DRAM實現(xiàn)了超高速度，主導(dǎo)了當今的AI加速器，未來以NAND閃存堆疊取代DRAM，通過HBF打造了“巨大的書架”，極大地擴展了容量，超越了現(xiàn)在的極限。

金正浩認為，這將導(dǎo)致AI的權(quán)力平衡可能從GPU倒向存儲，未來AI系統(tǒng)將圍繞HBM和HBF構(gòu)建，實際上CPU和GPU只是嵌入其中。

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感覺這次的存儲浪潮讓他們有些膨脹了……至少在我看來，AI的核心還是“算力”，存儲容量小、速率慢，是可以用時間去彌補的，或者說高速先進存儲技術(shù)并不是必要條件，總不能所謂的HBF會成為有運算能力的存儲器吧？？

新 聞 2： SK海力士加大生產(chǎn)及工藝升級投入，未來兩年將花費約12萬億韓元購買EUV光刻機

過去幾年里，SK海力士在存儲器市場可謂是春風得意。一方面得益于人工智能（AI）熱潮及HBM領(lǐng)域的成功，在DRAM市場一度超越了過去多年的領(lǐng)頭羊三星，另一方面收購了英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù)，憑借QLC eSSD大規(guī)模出貨，在數(shù)據(jù)中心市場大殺四方。

據(jù)TrendForce報道，SK海力士并沒有滿足于現(xiàn)狀，正在積極擴展AI存儲器業(yè)務(wù)，決定加大生產(chǎn)及工藝升級的投入。SK海力士已確認從ASML處購買更多EUV光刻機，計劃至2027年12月，花費11.95萬億韓元（約合79.97億美元/人民幣550.9億元），涵蓋設(shè)備采購、安裝、以及升級等環(huán)節(jié)，以應(yīng)對AI存儲器不斷增長的需求。

有業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士很可能加快向1cnm（第六代10nm級別）DRAM工藝過渡，更大范圍地應(yīng)用在HBM、DDR5和LPDDR6等下一代關(guān)鍵產(chǎn)品。目前SK海力士在HBM4上仍然采用1β (b) nm（第五代10nm級別）DRAM工藝，相比于三星的同類產(chǎn)品有些吃虧。SK海力士已經(jīng)決定在HBM4E切換至新的工藝技術(shù)，再結(jié)合臺積電N3P工藝生產(chǎn)的基礎(chǔ)裸片（Base Die），進一步提高性能表現(xiàn)。

除了購買新設(shè)備外，SK海力士還在積極擴張產(chǎn)能，以滿足下一代HBM的需求。近期位于韓國忠清北道清州市的M15X已經(jīng)開設(shè)第二間潔凈室，并開始安裝設(shè)備，比原計劃的5月提前了兩個月。

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倒不是為了下一代存儲，你看像三星這種，在這一代存儲器上就已經(jīng)卷起來了，用3nm工藝制造基板。不管是應(yīng)對現(xiàn)在的挑戰(zhàn)還是為了未來的高性能存儲器需求，SK海力士都不得不選擇加強這方面的投資，也算是必然的決定吧。

新 聞3： 東芝發(fā)布M12系列，大型數(shù)據(jù)中心SMR/CMR機械硬盤，最大提供34TB

東芝宣布，推出M12系列，這是專為運營大型數(shù)據(jù)中心的超大規(guī)模服務(wù)提供商而設(shè)計的新一代機械硬盤（HDD）。其采用了疊瓦式磁記錄（SMR）技術(shù)，可提供30TB至34TB容量，目前樣品已經(jīng)開始發(fā)出。東芝還計劃在2026年第三季度帶來采用傳統(tǒng)磁記錄（CMR）技術(shù)的M12系列，提供最大28TB容量。

隨著數(shù)字服務(wù)和視頻內(nèi)容的持續(xù)擴展、云服務(wù)的廣泛采用，以及最近數(shù)據(jù)需求量大的人工智能（AI）和數(shù)據(jù)科學的日益普及，都在推動全球范圍內(nèi)生成和存儲的數(shù)據(jù)量大幅增長。數(shù)據(jù)中心需要更大容量、更強性能的機械硬盤來支持更高效的系統(tǒng)配置，而M12系列旨在滿足這一需求。

作為一款標準的3.5英寸近線硬盤，M12系列采用了東芝專有的設(shè)計和分析技術(shù)。其最多擁有11片磁盤，相比過往產(chǎn)品增加了1片，使用的記錄介質(zhì)從傳統(tǒng)的鋁基板替換為玻璃基板，不僅提高了耐用性，而且讓整個設(shè)計變得更加輕薄。另外還利用了東芝專有的FC-MAMR技術(shù)，使用了自旋扭矩振蕩器來輔助記錄，并采用氦氣密封。

新產(chǎn)品的最大數(shù)據(jù)傳輸速率可達282 MiB/s，實現(xiàn)了約8%的性能提升，而每太字節(jié)的能耗（W/TB）則比上一代產(chǎn)品低約18%。M12系列同樣具有24×7的可靠性設(shè)計，每年的額定工作負載為550TB，AFR（年化故障率）為0.35%，MTTF/MTBF為250萬小時。

展望未來，東芝還將引入熱輔助磁記錄（HAMR）技術(shù)，磁盤數(shù)量也將增至12片，以滿足數(shù)據(jù)中心不斷增長的存儲需求。

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東芝這次反映還算快？同樣是存儲器，機械硬盤自然也有大量需求，不過由于其優(yōu)勢主要還是存儲容量大，東芝也是進一步加大了這一方面的研發(fā)。CMR的大容量盤其實越來越少了，東芝還能推動這條線，也算是找了個很好的方向，就看市場會如何反映了。

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