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3月31日消息，據(jù)報(bào)道，Rapidus總裁兼首席執(zhí)行官小池淳義表示，正在加速推進(jìn)先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)，目標(biāo)是在1nm工藝節(jié)點(diǎn)上將與臺(tái)積電的技術(shù)差距縮小到大約6個(gè)月。
據(jù)了解，臺(tái)積電的1.4nm和1nm工藝可能會(huì)率先部署在中國臺(tái)灣中部科學(xué)園區(qū)，名為Fab 25，預(yù)計(jì)投資約490億美元，計(jì)劃建設(shè)四座晶圓廠。
其中第一階段的兩座晶圓廠專門用于1.4nm工藝，預(yù)計(jì)2028年下半年量產(chǎn)，第二階段再推進(jìn)到1nm工藝。傳聞臺(tái)積電將在1nm工藝節(jié)點(diǎn)首次使用High-NA EUV光刻機(jī)，相關(guān)開發(fā)工作預(yù)計(jì)在2030年前完成，并大約在2030年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
與此同時(shí)，Rapidus計(jì)劃今年開始開發(fā)1.4nm工藝，量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)為2029年，有可能與三星的時(shí)間點(diǎn)較為接近。若要在1nm工藝上將與臺(tái)積電的差距縮小至6個(gè)月，意味著Rapidus很可能需要在2030年下半年至2031年之間進(jìn)入量產(chǎn)階段。
Rapidus是由索尼、豐田、NTT、三菱、NEC、鎧俠和軟銀等八家日本企業(yè)于2022年成立的合資企業(yè)，旨在實(shí)現(xiàn)本地化先進(jìn)半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)和制造。
目前，Rapidus已在日本北海道千歲市建造了創(chuàng)新集成制造工廠（IIM-1），目標(biāo)是2027年量產(chǎn)2nm芯片。
此外，Rapidus還計(jì)劃在2027財(cái)年（2027年4月至2028年3月）開建第二座晶圓廠，并規(guī)劃更先進(jìn)的1.4nm乃至1nm工藝。
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