日掙10億，臺積電憑啥？

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近日，臺積電發布了其2025年的年度財報。2025年對臺積電而言又是強勁的一年，以美元計價的營收同比增長35.9%，營收和每股盈余（EPS）雙雙創下歷史新高。在全球數字化轉型與AI浪潮的交織下，臺積電憑借其卓越的技術實力，再次交出了一份令行業矚目的答卷。

營收情況：營收與盈利雙創新高

AI成為最核心的增長主線。臺積電表示，2025年AI市場的發展繼續保持非常積極的態勢。Token生成量的爆發式增長，表明消費者對AI模型的采用率日益提高。企業級AI也成為新的需求來源。此外，主權AI的崛起也在持續強化對本地化、區域化算力基礎設施的需求。在強勁需求帶動下，臺積電2025年的財務表現非常突出。

2025年，以美元計價，臺積電實現營收1,224.2億美元，凈利潤為552.1億美元，分別較2024年（凈利潤365.2億美元，合并營收900.8億美元）增長35.9%和51.2%。毛利率為59.9%，而2024年為56.1%；營業利潤率為50.8%，而前一年為45.7%。凈利潤率為45.1%，較2024年的40.5%增加了4.6個百分點。

臺積電2025年晶圓總出貨量為1500萬片12英寸等效晶圓，而2024年為1,290萬片12英寸等效晶圓。2025年≤7nm的先進技術占晶圓總收入的74%，高于2024年的69%。2026 年預計這一占比在70-80%之間。>7nm 技術占比預計在 20-30% 之間。2026年預計晶圓總出貨量為 16-17 百萬片 12 英寸等效晶圓。截止到2025年，臺積電部署了305種不同的工藝技術，并為534位客戶生產了12,682款產品。

2025年，公司占“晶圓代工2.0”產業的40%，較2024年的34%有所增長。按地理區域劃分的凈營收為：75%來自北美；9%來自除中國臺灣和日本以外的亞太地區；9%來自中國大陸；4%來自日本；3%來自歐洲、中東及非洲。按平臺劃分的凈營收為：58%來自高性能計算（HPC）；29%來自智能手機；5%來自物聯網（IoT）；5%來自汽車。此外，1%來自數字消費電子（DCE），其余2%則來自其他細分領域。

在專利申請方面，截至 2025 年底，臺積電在全球范圍內累計申請專利超過 114,000 件，其中 2025 年當年申請超過 9,600 件。臺積電在全球美國專利申請人中排名第 2，在臺灣地區專利申請人中排名第 1。在專利獲準方面，截至 2025 年底，臺積電在全球累計獲得近 79,000 件專利，其中獲得超過 7,700 件全球專利。臺積電在美國專利權人中排名第 2，在臺灣地區專利權人中排名第 1。在專利質量方面，臺積電美國專利申請的獲準率接近 100%。

從22nm到A14，

臺積電邏輯制程一覽

在半導體領域，臺積電通過嚴密的工藝路線圖，為全球客戶提供了從成熟制程到未來尖端技術的全方位支持。

臺積電正以前瞻性技術突破傳統物理極限，開啟埃米（Angstrom）量級的新紀元。作為下一代巔峰之作，A14 采用臺積電第二代納米片（Nanosheet）晶體管結構。它通過先進的尺寸縮放，實現了全節點的 PPA跨越，旨在解決高性能計算與 AI 對能源效率的結構性需求，計劃于 2028 年量產。

2納米（N2）技術已在2025年第四季度成功進入大批量生產，良率良好，臺積電預計在2026年將實現快速爬坡。此外，臺積電還推出了N2P和A16作為N2系列的延伸：A16采用了同類產品的超級電源軌（Super Power Rail, SPR），最適合具有復雜信號路由和密集供電網絡的特定HPC產品；N2P在N2的基礎上具有進一步的性能和功耗優勢。N2P和A16的量產均計劃在2026年下半年進行。

在3納米技術方面，2025 年是 3納米技術量產的第四年，其營收占比已達總收入的24%。其中 N3E與N3P分別進入量產的第三年和第二年，持續領跑移動通信市場；N3C 側重于成本效益與 IP 復用，預計 2026 年量產；N3X 則專為高性能計算（HPC）定制，已于 2025 年開啟量產。

憑借卓越的成熟度與性能平衡，5 納米系列仍是市場的主力軍。N4/N4P/N4C是5納米技術的增強延伸。N4已進入量產第四年；高性能版 N4P 進入第三年；而更緊湊的 N4C已在2025年獲得客戶產品定案；N4X是臺積電首個專注于 HPC 的極端性能平臺，2025 年已進入量產第二年，代表了5納米家族的最高時鐘頻率。N5P主要針對智能手機與HPC應用，目前已穩健運行五年。

臺積電的成熟工藝在特殊應用領域（物聯網、車載、可穿戴）依然煥發強大生命力。N6 已邁入量產第六年，廣泛覆蓋 DCE 與智能手機。N6e（超低功耗版）專為可穿戴設備設計，提供全面的低電壓生態系統。

7納米FinFET（N7）系列技術多年來廣泛用于客戶的5G和HPC產品，并于2025年進入為DCE和汽車產品量產的第五年。

N12e在2025年繼續受到多種產品應用的歡迎，包括微控制器（MCU）、應用處理器（AP）、存儲控制器、物聯網連接以及愿景/語音AI產品。該技術服務提供更多低Vdd和超低漏電（ULL）器件方案，用于速度和功耗優化。

22納米超低漏電（ULL）技術于2025年進入量產的第七年，已被廣泛應用于多種領域，包括用于物聯網的藍牙和Wi-Fi等無線連接產品、MCU、數字電視芯片和智能手機。

特殊工藝：汽車、射頻、存儲、

CIS與硅光子同步推進

除了先進邏輯，臺積電在特殊技術方面也維持密集推進。這些技術覆蓋汽車、射頻、電源、顯示、圖像傳感器、新興存儲器和硅光子等多個方向，是臺積電服務更廣泛客戶和應用場景的重要基礎。

在汽車工藝方面，N3A基于N3E，是臺積電迄今最先進的汽車級工藝。臺積電于 2023 年推出了 N3 Auto Early (N3AE) 計劃，提供汽車級 PDK（工藝設計工具包），以支持汽車客戶利用最先進的 3 納米技術進行汽車應用設計。N3A V1.0 版本 PDK 已于 2025 年發布，該技術完成了汽車級驗證，并提供了汽車設計啟用平臺 (ADEP)。

N4 Auto Early 計劃 (N4AE)基于 N4P 平臺，2025 年處于汽車級技術開發階段，目標是在 2026 年底前完成全面的汽車工藝驗證。

5 納米 FinFET 汽車 (N5A) 技術，自 2023 年以來已收到多個客戶產品定案。部分產品已完成原型制造，通過了汽車應用驗證，并于 2025 年利用臺積電的汽車服務包 (ASP) 成功進入大批量生產。

在射頻技術方面，N4C RF作為下一代N4P RF技術正在開發中，預計2026年推出。第二代N6 RF+技術開發已完成，其V1.1版本PDK于2025年發布。12FFC+ RF技術在2025年提供了先進射頻fT/fMAX拐點模型、超厚金屬以及極窄寬度高電阻產品，并進入為客戶4G、5G蜂窩射頻和物聯網無線連接產品量產的第三年。16FFC RF增強型III技術正在開發中，預計2026年推出，其前代技術已支持28/39/47GHz毫米波射頻前端模塊和77GHz/79GHz汽車雷達等應用。

在新興存儲器方面，16MRAM作為臺積電第二代MRAM技術，于2025年通過汽車級驗證，在100萬次循環后實現小于1ppm的芯片失效數。N12e RRAM作為臺積電第三代RRAM解決方案，于2025年通過消費級生產驗證。22RRAM技術也于2025年通過10萬次循環驗證，適用于高耐久性產品應用。

在高壓、電源和顯示相關工藝方面，28納米高壓技術于2025年進入為智能手機OLED顯示應用量產第二年。12英寸晶圓上的40納米SOI技術于2025年進入大批量生產第四年。80納米HV技術用于AR/VR設備中的硅基micro-OLED顯示背板，于2025年進入大批量生產第五年，其像素密度超過3000 PPI。先進第二代40納米BCD技術PDK已于2025年準備就緒。90納米BCD技術收到多個定案，并于2025年進入大批量生產第二年，面向充電器、音頻放大器等高數字內容產品，同時服務器應用的新持續改進計劃正在進行中，PDK計劃于2026年準備就緒。0.13微米BCD技術繼續針對DCE和汽車市場優化。0.18微米第二代BCD技術已擴展至100V，以支持AI服務器和電動汽車的48V電源系統。

在CMOS圖像傳感器 (CIS)技術方面，為客戶的 CIS 產品實現了新功能。在 2025 年，臺積電幫助客戶擴大了針對智能手機和汽車市場的先進高動態范圍 (HDR) 產品的產量。

臺積電 2025 年在該領域取得了多項關鍵成就。在移動應用方面，公司開發了 3D-MiM（第一代）嵌入式橫向溢流整合電容（LOFIC）像素，該像素已在高端智能手機中應用，表現出動態范圍從 90dB 到 110dB 的顯著提升。此外，新開發的第三代 3D-MiM 存儲電容（較第一代提供 12 倍電容增益）通過了工藝驗證，計劃于 2026 年進行量產。在先進小像素開發方面，臺積電在 2025 年 IEDM 上成功展示并推出了全球最小的 0.43μm 間距四光電二極管 CMOS 圖像傳感器，該傳感器采用了 3 片晶圓堆疊和雙背面深溝槽隔離（dual-BDTI）技術。與此同時，公司為先進像素開發了另一種低成本工藝方案，在傳統的 2 片晶圓堆疊像素（0.6μm 間距）中使用雙 BDTI，實現了 10Ke- 的滿阱容量（FWC），同時在 60°C 下保持了 1e-/s 的極低暗電流。在光電探測器方面，臺積電正在開發一種新型雪崩光電二極管（APD），其像素間距為 7μm，用于 AI 應用中的光學 I/O。該 APD 已滿足行業要求，實現了 >2GHz 運行頻率且功耗極低。此外，公司在鍺/硅（Ge/Si）異構 SPAD（單光子雪崩二極管）方面取得重大進展，包括暗計數率（DCR）降低約十倍，并提高了性能均勻性。這一成就也在 2025 年 IEDM 上發表。

在硅光子方面，臺積電繼續開發創新的3D光子堆疊技術COUPE，即緊湊型通用光子引擎。該技術可以將硅光子芯片和電控芯片集成到單芯片光子引擎中，并與HPC芯片共同封裝，提供低功耗、高速度的數據傳輸。2025年，臺積電與多家客戶共同實現了每秒200Gb的傳輸速度。公司還繼續致力于共同封裝光學解決方案，以降低數據中心數據傳輸功耗，目標是在2026年實現量產。

先進封裝：CoWoS、SoIC與

3DFabric成為AI時代關鍵支柱

在AI芯片系統復雜度持續提升的背景下，先進封裝的重要性已經不亞于先進制程本身。臺積電的3DFabric是其利用晶圓工藝實現細間距、芯片對芯片連接的技術體系，由晶圓級前端和后端技術組成。

在前端方面，TSMC-SoIC晶圓級芯片堆疊技術為3D硅片堆疊提供領先能力。其中，3納米SoIC堆疊技術已于2025年成功進入大批量生產。

在后端方面，臺積電擁有CoWoS先進封裝服務和TSMC-SoW系統級晶圓技術服務。

作為領先的2.5D技術，由于自2023年以來激增的AI需求，CoWoS先進封裝服務經歷了強勁增長。3.5倍光罩尺寸的CoWoS-L自2024年起已投入生產，而5.5倍光罩尺寸的CoWoS-L將于2026年完成驗證，以滿足封裝內更高性能的目標。進一步開發的9.5倍光罩尺寸CoWoS-L也取得了良好進展。

與此同時，用于超高端網絡交換機的CoWoS共同封裝光學（CPO）正在開發中，目標是將基于中介層的CoW模塊和基于COUPE的光學IO整合到單一封裝中，以實現更高數據帶寬并降低系統功耗。

CoWoS-R先進封裝服務具有多個重布線層，以簡化產品設計并支持更大尺寸HPC產品，該技術于2025年進入量產第三年。TSMC-SoW解決方案則面向下一代數據中心計算芯片實現晶圓級異構整合，具備更佳能效、更高帶寬和更大芯片密度。第一代僅邏輯技術于2025年進入量產第二年，第二代技術可實現邏輯與HBM整合，目前正處于開發階段。

此外，InFO-PoP技術通過SoC與DRAM整合實現先進智能手機應用，具有背面RDL的產品于2025年進入大批量生產。TSMC-COUPE技術服務利用TSMC-SoIC CoW堆疊解決方案整合硅光子和電控芯片，用于高速、低功耗數據傳輸產品，目前開發進度正常，預計2026年量產。用于倒裝芯片封裝的2納米硅片細間距銅凸塊技術，也已于2025年成功進入大批量生產。

光刻、掩模：為A16、A14和

更先進節點鋪路

2025年，臺積電繼續致力于光刻技術的開發。重點包括支持2納米技術的風險生產和大批量生產，并確保穩定的工藝推進。與此同時，公司啟動了臺積電A16工藝技術的開發和風險生產準備，并繼續開發A14及更先進的技術。光刻研發團隊在提升工藝良率和性能、持續提高極紫外光（EUV）掃描儀的應用效率、減少疊加誤差、減輕材料缺陷以及開發和應用新型掩模薄膜（pellicles）和基板（blanks）方面取得了進展。此外，公司開始為高數值孔徑（High-NA）EUV掃描儀開發光刻技術，以支持臺積電在關鍵先進工藝技術上的持續演進。

2025年，臺積電研發團隊推進了用于A14節點及更先進節點的極紫外光（EUV）掩模技術。這是通過優化EUV基板材料、增強多光束寫入器分辨率以及完善掩模處理條件實現的，從而提高了曲線圖形的關鍵尺寸均勻性、圖形保真度和疊加精度。同時，通過持續開發先進的電子束檢查和修復技術，減少了掩模缺陷，進一步提高了晶圓良率和生產力。未來的改進將集中在新型基板材料和制造技術的開發上。

全球產能布局情況

2025年，由臺積電及其子公司管理的制造設施年產能超過了1,700萬片12英寸等效晶圓。這些設施包括四座12英寸晶圓超大晶圓廠（GIGAFAB）、四座8英寸晶圓廠和一座6英寸晶圓廠——均位于臺灣；此外還包括兩座位于兩家全資子公司的12英寸晶圓廠——臺積電南京有限公司和臺積電亞利桑那公司；一座位于臺積電持股多數的制造子公司——日本先進半導體制造公司（JASM）的12英寸晶圓廠；以及兩座位于兩家全資子公司的8英寸晶圓廠——臺積電華盛頓公司（TSMC Washington）和臺積電中國有限公司。

2024 年臺積電的年產能為 16-17 百萬片，年增長率為 6%。2025 年年產能增長至 17-18 百萬片，年增長率為 3%。2026 年預計年產能維持在 17-18 百萬片。

臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠已于2024年第四季度成功進入大批量生產，良率良好。第二座設施的建設已經完成，目前正在安裝設施系統，以生產3納米及更先進技術，預計在2027年下半年進入大批量生產。2025年，臺積電亞利桑那州開始了第三座設施的建設。同樣在2025年，臺積電宣布了擴大其在美國先進半導體制造投資的意向，包括計劃增設三座制造廠、兩座先進封裝設施和一個主要的研發團隊中心。

在日本，臺積電位于熊本的第一座特殊技術晶圓廠于2024年底開始量產，良率非常好。并于2025年正在熊本建設的第二座晶圓廠中使用3納米工藝技術進行生產。通過這兩座晶圓廠，JASM的熊本廠區計劃為汽車、工業、消費電子和HPC相關應用提供40、22/28、12/16、6/7和3納米工藝技術。

在臺灣，正在新竹和高雄科學園區籌備多期2納米晶圓廠。未來幾年，將繼續在臺灣多個地點投資領先工藝和先進封裝設施，并強調施工現場安全。

前沿研究：低維晶體管、

新型MRAM、熱管理與存內計算

在更長期的技術探索上，臺積電企業研究在低維晶體管探索領域保持領先。通過創新器件和材料，公司試圖為極端縮小的邏輯晶體管實現更高性能和更低功耗。

臺積電未來的主要研發項目

在2025年VLSI技術與電路研討會（Symp. VLSI）上，臺積電展示了一種碳納米管（CNT）納米片（NS）PFET，在-0.5V VDS下表現出創紀錄的性能（IMAX = 0.9 mA/μm）和極低的漏電（IMIN為20 pA/μm）。此外，在2025年IEEE國際電子器件會議（IEDM）上，臺積電展示了2D過渡金屬二硫化物（TMD）溝道晶體管的重大進展。該研究集中在三個關鍵領域：增強納米片溝道機械強度的工藝集成、利用原子層沉積（ALD）外延接觸金屬和磷摻雜的創新接觸工程，以及優化的電介質材料。這些共同努力使載流子遷移率提升了1.6倍。

隨著3D集成CMOS技術帶來更高功率密度和更嚴峻散熱問題，芯片內熱耗散也成為關鍵課題。在 2025 年 IEDM 上，臺積電展示了氮化鋁（AlN）薄膜作為一種極具前景且可擴展的 3D IC 熱管理材料。厚度小于 500 nm 的多晶 AlN 薄膜實現了極高的垂直平面和面內熱導率，分別達到100 Wm-1K-1和30 Wm-1K-1。

臺積電也在持續推進面向AI和HPC的新興存儲與存內計算技術，重點包括RRAM、MRAM、晶圓堆疊以及CIM存內計算。

其中，RRAM主要面向價格敏感的物聯網市場，作為低成本嵌入式非易失性存儲器方案。目前，臺積電40nm、28nm和22nm RRAM節點已進入量產，12nm消費級RRAM完成技術驗證，12nm汽車級驗證正在進行中，6nm節點也已進入開發階段。

MRAM則面向更高規格應用，具備高速讀寫、超過100萬次讀寫循環、支持焊料回流焊以及高溫數據留存能力。2025年，臺積電完成16nm汽車級MRAM驗證，并推出該產品；同時，公司也在開發12nm汽車級MRAM和5nm高速MRAM，以支持汽車電子、消費電子、數據中心、通信設備、工業應用和邊緣AI等場景。

在更前沿的研究上，臺積電于2025年IEDM展示了新型C型SOT-MRAM。該技術采用具有內置磁各向異性的圓形磁性隧道結，可在無場環境下運行，并兼具數據留存能力和性能優勢。相比既有方案，C型器件實現了48%的單元尺寸縮減和25%的切換電流降低，為高性能、低成本非易失性存儲器提供了新的技術路徑。

與此同時，臺積電也在探索存內計算架構。2025年3月，臺積電在《Nature》文章中展示了一種混合精度、異構RRAM與SRAM的CIM AI邊緣處理器。該成果證明，在精度損失極小的情況下，存內計算可以實現領先的計算能效。此外，在2025年ISSCC上，臺積電還展示了一個16nm微縮化多模式增益單元CIM宏，這是同類產品中首個同時支持微縮化、整數和浮點格式的設計，并實現了最高的MX-MAC能效。

此外，臺積電還在推進晶圓堆疊技術，為邏輯晶圓和DRAM構建異構整合平臺。2025年，公司在55nm、6nm和3nm邏輯晶圓與單層存儲晶圓堆疊方面取得進展，其中55nm已率先進入生產且良率穩定。未來，臺積電將把WoW技術擴展到6nm、3nm等先進邏輯晶圓與多層存儲晶圓的堆疊，以提升計算能力和存儲帶寬，滿足AI芯片、數據中心、手機芯片等應用需求。

全球半導體市場繼續擴張，

但結構分化加劇

臺積電估計，2025年全球不含存儲器的半導體市場營收達到6,110億美元，較2024年增長19%。其中，晶圓代工領域的規模（指晶圓代工2.0）估計已達到3,050億美元，較2024年增長16%。長遠來看，在AI、5G/6G、數字化轉型以及大多數電子設備中半導體含量增加等大趨勢的驅動下，臺積電預測到2030年，全球不含存儲器的半導體市場年復合增長率約為10%。

展望2026年，全球貿易沖突和保護主義依然存在，為電子設備的終端需求帶來風險和不確定性。盡管如此，臺積電預計AI的強勁需求將持續，而其他非AI市場預計將較為疲軟。公司還預見先進節點和先進封裝的需求將持續強勁。在成熟技術方面，隨著庫存消化后的改善，整體需求預計將有所提升，盡管產能的增加（特別是在中國大陸）將挑戰包括臺積電在內的非中國代工廠。

臺積電圍繞高性能計算、智能手機、物聯網、汽車和數字消費電子這五大主要市場，構建了五個相應的技術平臺。這五大平臺的市場情況及2026年的預期情況如下：

高性能計算 (HPC)：2025年主要HPC單位出貨量增長了9%，這受PC升級和強勁的商業需求、新游戲機機型的推出，以及最重要的一點——受AI應用（特別是生成式AI）擴散所刺激的AI服務器和數據中心的持續強勁勢頭所驅動。2026年，受強化的AI軍備競賽驅動，臺積電預計PC出貨將下降，但服務器出貨將有10%出頭（low teens）的增長。

智能手機：2025年智能手機市場顯示出持續增長，單位出貨量增長約3%。這一適度增長主要歸因于全球持續的5G商業化、新興國家日益增長的需求，以及持續的周期性換機需求。中國的補貼計劃也提振了智能手機的銷量。展望2026年，反映存儲器短缺和價格上漲的負面影響，智能手機增長預計將出現下滑。盡管如此，長期前景依然積極，因為向5G的持續過渡，伴隨著對性能提升、更長續航時間、先進生物傳感器和擴展的邊緣AI功能的恒定需求，將共同推動智能手機的持續增長。

物聯網 (IoT)：物聯網市場從低迷的2024年反彈，在2025年實現了11%的單位出貨量增長。這一健康的增長勢頭預計將持續到2026年，并保持高個位數的增長。長期來看，隨著更多AI連接和互操作功能被集成到物聯網設備中，整個物聯網市場預計將繼續經歷高單位數增長。

汽車：2025年汽車市場經歷了健康的復蘇，全球單位產量上升了3%。這一增長主要受到政府補貼計劃以及因關稅不確定性而引發的預先采購的支持。針對2026年，由于宏觀經濟不確定性以及補貼和拉動采購的影響減弱，臺積電預計汽車單位產量將持平或略有下降，并預見環境將具有挑戰性。

數字消費電子 (DCE)：2025年整體DCE市場略有收縮。持續的結構性逆風，包括不斷演變的消費者行為、屏幕時間分配的轉移，以及移動產品功能集成度的不斷提高，抑制了對幾種主要DCE產品（如機頂盒 STB 和數字靜止相機 DSC）的需求。作為另一個關鍵DCE產品的數字電視（DTV）出貨量基本持平，部分原因是受2024年下半年啟動的中國補貼計劃的拉動效應影響。

進入2026年，盡管世界杯和冬奧會等重大體育賽事可能會在一定程度上刺激DTV和STB的需求，但由于持續的結構性逆風和不利的存儲器價格環境，預計整體DCE市場將持平或略有下降。盡管市場疲軟，臺積電的先進工藝技術仍將至關重要，使其客戶能夠開發出獨特且具創新性的產品。

展望

展望2026年，宏觀經濟不確定性仍然存在，全球貿易沖突、保護主義和終端消費疲軟都可能對部分電子設備需求造成壓力。但臺積電認為，AI相關需求將繼續保持強勁。在領先工藝、特殊技術和先進封裝技術需求支撐下，公司有信心繼續跑贏行業增長。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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