三星電子推出8nm eMRAM

公眾號(hào)記得加星標(biāo)??，第一時(shí)間看推送不會(huì)錯(cuò)過(guò)。

三星電子正利用其eM RAM（嵌入式 磁性 隨機(jī) 存取 存儲(chǔ)器）技術(shù)，加強(qiáng)與全球汽車(chē)制造商的代工合作。eM RAM是一種高性能、低功耗的專用存儲(chǔ)器，適用于自動(dòng)駕駛和電動(dòng)汽車(chē)。近期，該公司一直致力于進(jìn)軍汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)，并采用其旗艦級(jí)8nm（納米，1/10億米）工藝實(shí)現(xiàn)eMRAM。

根據(jù)8日在ISSCC 2026上發(fā)布的資料，三星電子即將實(shí)現(xiàn)其下一代汽車(chē)半導(dǎo)體解決方案“8nm eMRAM”的量產(chǎn)。三星通過(guò)實(shí)際測(cè)量數(shù)據(jù)驗(yàn)證了該產(chǎn)品在0.6V超低電壓環(huán)境下的運(yùn)行性能，正式確認(rèn)其技術(shù)已達(dá)到商業(yè)化成熟水平。

8nm eM RAM 擁有業(yè)界領(lǐng)先的低功耗和高速性能。根據(jù)三星電子發(fā)布的詳細(xì)數(shù)據(jù)，即使在 0.6V 的超低電壓環(huán)境下，其讀取速度也高達(dá) 125MHz。該規(guī)格針對(duì)對(duì)能效要求極高的電動(dòng)汽車(chē)以及需要實(shí)時(shí)執(zhí)行復(fù)雜計(jì)算的自動(dòng)駕駛微控制器單元 ( MCU) 進(jìn)行了優(yōu)化。與上一代 14nm 工藝相比，性能提升更為顯著。8nm eM RAM 的芯片密度比 14nm 工藝提高了 30%，數(shù)據(jù)讀取速度提高了 33%。這意味著在相同面積的芯片上集成更多功能的同時(shí)，信息處理效率得到了提升。

eMRAM之所以被視為汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)的關(guān)鍵技術(shù)，在于其無(wú)與倫比的可靠性和速度。eM RAM 具有與 NAND 閃存類似的非易失性特性（即使斷電也能保留數(shù)據(jù)），但其數(shù)據(jù)處理速度比 NAND 快 1000 倍。

鑒于汽車(chē)半導(dǎo)體器件的特性，它們必須在-40°C至+150°C的極端駕駛環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行且不丟失數(shù)據(jù)，因此耐熱且高耐久性的eM RAM被認(rèn)為是替代傳統(tǒng)閃存的最佳解決方案。三星電子還可以通過(guò)8納米工藝的微型化顯著降低功耗，從而為延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程做出貢獻(xiàn)。

三星電子已將eM RAM視為其晶圓代工業(yè)務(wù)的未來(lái)增長(zhǎng)引擎，并正按計(jì)劃推進(jìn)其發(fā)展。該公司于2024年底完成了14nm eM RAM工藝的研發(fā)。基于此，三星電子與現(xiàn)代汽車(chē)公司簽訂了供貨合同，從而獲得了重要的參考數(shù)據(jù)。

三星電子計(jì)劃于2026年開(kāi)始8nm eMRAM的全面量產(chǎn)。該公司還計(jì)劃在2027年前將eM RAM的應(yīng)用擴(kuò)展到5nm工藝，以擴(kuò)大基于超精細(xì)工藝的汽車(chē)嵌入式存儲(chǔ)器市場(chǎng)的技術(shù)差距。一位半導(dǎo)體行業(yè)人士表示：“繼獲得特斯拉2nm自動(dòng)駕駛芯片訂單后，三星電子通過(guò)與現(xiàn)代汽車(chē)公司在eM RAM領(lǐng)域開(kāi)展合作，進(jìn)一步強(qiáng)化了其汽車(chē)產(chǎn)品組合。”他補(bǔ)充道：“8nm eM RAM的研發(fā)似乎表明了三星鞏固其汽車(chē)領(lǐng)域參考數(shù)據(jù)的決心。”

（來(lái)源：編譯自naver）

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點(diǎn)，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對(duì)該觀點(diǎn)贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

今天是《半導(dǎo)體行業(yè)觀察》為您分享的第4401內(nèi)容，歡迎關(guān)注。

加星標(biāo)??第一時(shí)間看推送

求推薦