浙江
武漢近日發(fā)布2026年重大項(xiàng)目規(guī)劃，380億美元（約合人民幣2600億元）存儲(chǔ)半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃宣告落地。
擴(kuò)產(chǎn)以長(zhǎng)江存儲(chǔ)與武漢新芯為雙核心，主攻3D NAND與DRAM兩大方向。長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期廠房已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，預(yù)計(jì)2026年底投入量產(chǎn)，2027年達(dá)成月產(chǎn)能5萬片的階段性目標(biāo)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)三座新廠全面達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能較現(xiàn)有水平提升超過100%，出貨量有望超越SK海力士和美光，劍指全球NAND閃存第三席位，僅次于三星和鎧俠。
武漢新芯同步推進(jìn)三期擴(kuò)產(chǎn)，總投資280億元。武漢新芯深耕NOR Flash特色工藝，是國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的NOR Flash芯片制造廠商，目前擁有兩座12英寸晶圓廠，每座月產(chǎn)能超3萬片。
產(chǎn)能翻番的背后，是AI算力對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求加大。TrendForce最新數(shù)據(jù)顯示，單臺(tái)AI服務(wù)器對(duì)DRAM的需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，對(duì)NAND Flash的需求是3倍。
高盛預(yù)測(cè)2026年全球DRAM供需缺口將達(dá)4.9%，為15年來最嚴(yán)重。而原廠產(chǎn)能爬升需要12至18個(gè)月，供需缺口短期內(nèi)難以填平。
存儲(chǔ)芯片價(jià)格在AI需求的持續(xù)拉動(dòng)下大幅上漲，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的業(yè)績(jī)同步兌現(xiàn)。其中佰維存儲(chǔ)2026年Q1實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入68.14億元，同比增長(zhǎng)341.53%；歸母凈利潤(rùn)28.99億元，相當(dāng)于2025年全年凈利潤(rùn)的3.3倍。
來源：快科技
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