河南
快科技5月1日消息，SMG近日發(fā)布2026年第一季度硅晶圓行業(yè)季度分析報(bào)告。全球硅晶圓出貨面積達(dá)到32.75億平方英寸，較2025年同期的28.96億平方英寸同比增長13.1%，但較2025年第四季度的34.37億平方英寸環(huán)比下降4.7%，符合季節(jié)性規(guī)律。
真正關(guān)注的是13.1%的同比增長仍填不滿AI制造的需求缺口。報(bào)告指出，AI數(shù)據(jù)中心相關(guān)的硅晶圓需求持續(xù)強(qiáng)勁，覆蓋范圍已從先進(jìn)邏輯與存儲進(jìn)一步延伸至電源管理器件。
AI對硅晶圓的持續(xù)吞噬，直接擠占了消費(fèi)電子的產(chǎn)能空間。IDC報(bào)告顯示2026年Q1全球智能手機(jī)出貨量約2.9億部，同比下降6.8%，全年出貨預(yù)期被大幅下調(diào)至約11億部，降幅達(dá)12.9%。
手機(jī)和PC的疲軟是產(chǎn)能傾斜導(dǎo)致。三大存儲原廠已將先進(jìn)制程產(chǎn)能系統(tǒng)性向HBM傾斜，擠壓了常規(guī)DRAM和NAND Flash的供給。
三星電子2026年資本支出將超110萬億韓元，約90%投向芯片部門，其中僅購買20臺EUV光刻機(jī)的支出就達(dá)10萬億韓元，目標(biāo)直接指向HBM4和1c nm DRAM產(chǎn)能擴(kuò)張。SK海力士同步大舉擴(kuò)產(chǎn)，2026年全年存儲芯片產(chǎn)能已全部售罄。
TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2026年一季度常規(guī)DRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅從年初預(yù)估的55%至60%，一路上調(diào)至90%至95%，NAND Flash合約價(jià)漲幅亦上調(diào)至55%至60%。
瑞銀預(yù)測，到2026年底HBM專用生產(chǎn)將占全球存儲行業(yè)總前端產(chǎn)能的25%，留給常規(guī)DDR5的空間還在持續(xù)收縮。
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