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4月9日消息,據(jù)外媒報(bào)道,中國存儲(chǔ)芯片制造商已啟動(dòng)12層高帶寬內(nèi)存HBM的大規(guī)模生產(chǎn)!
12層堆疊技術(shù)的落地,讓國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商具備了進(jìn)入最高端AI硬件生產(chǎn)領(lǐng)域的能力。中國存儲(chǔ)廠商與韓國頭部企業(yè)自產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期就存在的技術(shù)差距,正在顯著縮小。
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分析指出,HBM是AI GPU不可或缺的核心配套芯片,當(dāng)前市場(chǎng)主要由SK海力士、三星等韓國企業(yè)主導(dǎo)。國產(chǎn)存儲(chǔ)若實(shí)現(xiàn)12層HBM量產(chǎn),將填補(bǔ)國產(chǎn)HBM空白,直接利好上游半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)。面對(duì)外部供應(yīng)不確定性,國內(nèi)存儲(chǔ)廠擴(kuò)產(chǎn)將加速推進(jìn)設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程;HBM等高附加值產(chǎn)品量產(chǎn),有助于提升國內(nèi)晶圓廠資本開支意愿,為設(shè)備企業(yè)帶來持續(xù)訂單預(yù)期。
產(chǎn)業(yè)人士表示,三星電子、SK海力士常年主導(dǎo)全球HBM市場(chǎng),目前國產(chǎn)存儲(chǔ)與兩家韓系龍頭的制造能力差距,已經(jīng)縮短至不到三年。
報(bào)道顯示,國產(chǎn)存儲(chǔ)公司將DRAM總產(chǎn)能的約20%全部投入HBM制造,完成產(chǎn)能轉(zhuǎn)型后,其HBM月晶圓產(chǎn)能可達(dá)6萬片。目前生產(chǎn)良率仍低于韓國競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,其現(xiàn)階段核心目標(biāo)是全面滿足國內(nèi)AI產(chǎn)品的市場(chǎng)需求,同時(shí)為未來進(jìn)軍國際市場(chǎng)做戰(zhàn)略布局。
國產(chǎn)存儲(chǔ)12層HBM產(chǎn)品的落地,給三星、SK海力士等市場(chǎng)頭部企業(yè)帶來了越來越大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。后者必須加速推進(jìn)更先進(jìn)的制造技術(shù),才能維持行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。
產(chǎn)業(yè)專家預(yù)測(cè),全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的下一階段,將聚焦16層堆疊與混合鍵合技術(shù)的研發(fā)與落地。
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