新 聞1: 2026年全球筆電出貨量或進(jìn)一步下調(diào):預(yù)計(jì)跌幅接近15%,蘋(píng)果逆勢(shì)年增7.7%
此前有報(bào)道稱,2026年第一季度存儲(chǔ)器價(jià)格急劇上漲,可能會(huì)迎來(lái)超過(guò)60%的漲幅,而且今年剩余季度仍將面臨價(jià)格繼續(xù)上漲的壓力,不過(guò)后續(xù)漲幅應(yīng)該會(huì)相對(duì)溫和。這對(duì)PC廠商造成了非常大的財(cái)務(wù)壓力,只能選擇減少促銷、提高產(chǎn)品售價(jià)、調(diào)整配置等方式應(yīng)對(duì),預(yù)計(jì)今年筆記本出貨量可能下降12%。
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TrendForce發(fā)布了最新研究報(bào)告,顯示近期全球筆記本電腦出貨量有進(jìn)一步轉(zhuǎn)弱的跡象,預(yù)期終端消費(fèi)動(dòng)能趨緩、供應(yīng)鏈成本持續(xù)墊高的雙重影響下,今年筆記本出貨量可能有更大降幅,達(dá)到14.8%,產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入更深層次的調(diào)整階段。
從需求面來(lái)看,消費(fèi)性市場(chǎng)復(fù)蘇動(dòng)能不如預(yù)期。需求疲弱除了受總體環(huán)境不佳,價(jià)格因素也削弱了購(gòu)買意愿。未來(lái)幾個(gè)季度里,可能會(huì)出現(xiàn)第二次、甚至多次漲價(jià),在售價(jià)上行趨勢(shì)延續(xù)下,消費(fèi)者購(gòu)買決策轉(zhuǎn)趨保守,觀望情緒升溫,將進(jìn)一步壓抑實(shí)際出貨動(dòng)能。
2026年全球筆電市場(chǎng)面臨結(jié)構(gòu)性壓力,品牌間的分化將更加明顯。頭部前幾名廠商憑借規(guī)模優(yōu)勢(shì)與長(zhǎng)期供應(yīng)鏈合作關(guān)系,仍可在資源取得與成本控管上維持相對(duì)穩(wěn)定。中小型品牌面臨的壓力顯著升高,不僅采購(gòu)成本缺乏議價(jià)空間,更容易受到缺料與交期波動(dòng)影響,沖擊出貨表現(xiàn)。
最近蘋(píng)果推出了新款低價(jià)機(jī)型MacBook Neo,規(guī)格高度標(biāo)準(zhǔn)化、開(kāi)案數(shù)量精簡(jiǎn)、存儲(chǔ)器容量與模組配置集中,有利于放大采購(gòu)量體與長(zhǎng)約議價(jià),加上主動(dòng)出擊的向下延伸定價(jià)策略及對(duì)供應(yīng)鏈的高度掌控,預(yù)計(jì)帶動(dòng)蘋(píng)果筆記本電腦逆勢(shì)增長(zhǎng),增幅達(dá)7.7%。
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2026 年筆電市場(chǎng)算是徹底拉胯了,出貨量直接快跌 15%,整個(gè)行業(yè)都在往下滑。主要就是存儲(chǔ)芯片瘋漲,還得接著漲,廠商扛不住成本就只能漲價(jià)減配,消費(fèi)者一看更不想買了,越觀望越?jīng)觥V行∑放谱顟K,沒(méi)議價(jià)權(quán)還總?cè)绷希兆痈緵](méi)法過(guò)。也就蘋(píng)果靠著新款 MacBook Neo 往下打市場(chǎng),而且因?yàn)槠渌P記本利潤(rùn)夠高,也用不著漲價(jià),銷量直接逆勢(shì)漲 7.7%。Win 本這邊一堆品牌跟著大盤(pán)一起跌,完全擋不住,整個(gè)市場(chǎng)分化越來(lái)越嚴(yán)重,接下來(lái)只會(huì)更卷。
新 聞 2: 三星西安工廠已完成第一階段生產(chǎn)線升級(jí),推進(jìn)至236層第8代V-NAND閃存
此前有報(bào)道稱,去年三星向其位于西安的NAND閃存工廠投資了4654億韓元,相比于2024年的2778億韓元大幅增加,同比增長(zhǎng)了67.5%。這是一個(gè)明顯的轉(zhuǎn)變信號(hào),要知道三星在2020年至2023年之間,基本沒(méi)有在這里進(jìn)行重大投資。三星計(jì)劃升級(jí)西安工廠的生產(chǎn)線,從128層第6代V-NAND閃存升到236層第8代V-NAND閃存,目標(biāo)今年再提升至400層第10代V-NAND閃存。
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據(jù)TrendForce報(bào)道,三星已經(jīng)完成了西安NAND閃存工廠第一階段的生產(chǎn)線升級(jí),將逐步淘汰128層第6代V-NAND閃存,同時(shí)加快236層第8代V-NAND閃存的量產(chǎn)工作。三星并不打算放慢升級(jí)的腳步,第二階段的生產(chǎn)線升級(jí)很快便會(huì)到來(lái),將升級(jí)至286層第9代V-NAND閃存,預(yù)計(jì)今年內(nèi)完成,與去年初傳出的消息相符。
舊產(chǎn)品需求減弱是主要的驅(qū)動(dòng)因素,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手憑借尖端產(chǎn)品快速發(fā)展,進(jìn)一步加速了三星的轉(zhuǎn)型進(jìn)程。比如長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC),去年已經(jīng)開(kāi)始出貨第五代3D TLC NAND閃存,共有294層,無(wú)論密度還是總層數(shù),都已提高到目前業(yè)界的最高水平。
就如之前的報(bào)道所言,三星除了第二階段的生產(chǎn)線升級(jí),同時(shí)還會(huì)為400層第10代V-NAND閃存的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備工作。
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三星西安廠總算把 128 層老閃存淘汰,升級(jí)到 236 層 V8 了,還砸了大筆錢擴(kuò)產(chǎn),明顯是被市場(chǎng)逼得急了。老款沒(méi)人要,對(duì)手又追得緊,尤其是長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接干到 294 層,密度和層數(shù)都頂?shù)綐I(yè)界天花板,三星再不提速就要被甩開(kāi)咯
新 聞3: 三星目標(biāo)2030年量產(chǎn)1nm工藝,,將引入“Forksheet”晶體管結(jié)構(gòu)
進(jìn)入2026年后,三星晶圓代工業(yè)務(wù)似乎迎來(lái)了轉(zhuǎn)折點(diǎn),最近2nm制程節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)和客戶訂單談判進(jìn)展似乎都非常順利。最近有消息稱,2nm GAA工藝?yán)^續(xù)取得進(jìn)展,現(xiàn)在的良品率已提升至60%,距離70%的目標(biāo)又近了一步。
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據(jù)TrendForce報(bào)道,三星正在加大對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的投入,目標(biāo)2030年之前完成1nm制程節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)工作,2030年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),搶占下一代制程技術(shù)代工市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)。與此同時(shí),三星還計(jì)劃深耕2nm制程節(jié)點(diǎn),擴(kuò)展不同細(xì)分工藝的陣容,以進(jìn)一步爭(zhēng)取主要客戶。
在1nm制程節(jié)點(diǎn)上,三星預(yù)計(jì)將采用新的晶體管架構(gòu),引入“Forksheet”叉片晶體管結(jié)構(gòu)。三星從3nm制程節(jié)點(diǎn)引入的GAA(Gate-All-Around)晶體管結(jié)構(gòu),將電流路徑從原有的三個(gè)面擴(kuò)展到四個(gè)面,最大限度地提高了功耗效率,而Forksheet則是在這基礎(chǔ)上的演進(jìn),利用叉形片層技術(shù)在晶體管之間加入絕緣墻,從而縮小了晶體管之間的間距。通過(guò)消除未使用的空間,同一芯片面積下可以容納更多晶體管。
去年三星在韓國(guó)首爾舉行的SAFE 2025活動(dòng)上,展示了第三代2nm工藝,稱為“SF2P+”。另外三星針對(duì)特斯拉的AI6芯片,正在開(kāi)發(fā)一種定制化工藝,稱為“SF2T”。三星計(jì)劃今年開(kāi)始部署第三代2nm工藝,也就是SF2P,明年再上線SF2P+。
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三星這餅畫(huà)得也太急了吧,2nm 良率才剛到 60% 就敢喊 2030 年量產(chǎn) 1nm,還整什么 Forksheet 新結(jié)構(gòu),擺明了是被臺(tái)積電逼得慌了神。又是補(bǔ) 2nm 工藝,又是搶特斯拉訂單,生怕高端代工份額被吞完。但先進(jìn)制程不是光吹牛就行,眾所周知, 三星代工的漏電率,紙面吹得狠,實(shí)際拉胯得一批。
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