罕見上調204%！震驚全球

本文作者 | 深鵬

數據支持 | 勾股大數據（www.gogudata.com）

執業編號：A20260413000375

震驚全球！

投行上調美光目標價，幅度高達204%，美光股價應聲大漲近20%。

今天較早開盤的日韓股市，芯片板塊普遍上漲。

國內方面，半導體設備ETF招商(561980)雖然今日午后下挫，收跌4.47%，但年內漲幅依然達到58.39%。

招商基金基金經理房俊一表示，近期半導體設備板塊獲利盤兌現意愿升溫，多空博弈加劇，但韜定律為國產芯片開辟新路徑，存儲上市與擴產預期明確，自主可控邏輯穩健，全球半導體銷售額連續14個月增長，周期仍處向上通道。

01

罕見上調2倍

5月26日，瑞銀分析師蒂莫西·阿爾庫里發布報告，將美光目標價從此前535美元一舉上調至1625美元，上調幅度達204%，對應市值1.8萬億美元，這也是華爾街給出的最高目標價。

瑞銀特別指出，即便剔除HBM業務，核心DRAM的平均售價在2026至2027年仍將保持強勁增長，2026年同比增速預計181%，2027年為73%，反映整體內存供需關系改善，并非僅靠HBM單一產品拉動。

瑞銀解釋稱，15倍市盈率與美光過去三年NTM市盈率均值基本一致，也與英偉達等龍頭半導體公司估值相當，表明美光的估值邏輯已接近優質成長型半導體公司，而非周期股。

此外，Melius Research將目標價上調至1100美元，花旗上調至840美元，機構一致看好AI驅動的存儲超級周期將持續至2027年。

實際上，今年以來，美光累計漲幅已達214%，成為繼英偉達、微軟、臺積電、博通之后，又一迎來“萬億美元高光時刻”的芯片企業。

美光大漲的背后，其實有跡可循。

首先，美光管理層在摩根大通會議上指出，受AI工作負載向代理型模式轉變推動，HBM、DRAM和NAND的供應緊張將持續“遠超2026年”。

其次，美光HBM4產能爬坡速度比上一代HBM3快一倍，良率提升顯著。

此外，美光宣布下一代HBM4E將由臺積電代工邏輯芯片，計劃2027年量產，標志著其已成功進入英偉達下一代Vera Rubin AI計算平臺的核心供應鏈。

最后，美光將其美國弗吉尼亞州工廠的DDR4產能提升4倍，表明在汽車、國防等長生命周期應用中，DDR4的毛利率甚至可能超過HBM。

加上韓股存儲廠商股價瘋狂，于是乎，各大機構紛紛上調美光評級與目標價，并且還有聲音說稱儲存公司已經撕掉周期股的外衣，變身AI成長股。

02

產能缺口

根據最新行業數據，當前存儲芯片正經歷15年來最嚴重的產能短缺。

高盛在最新研報中大幅上調供需缺口預期，認為2026年DRAM供需缺口將達到4.9%，為過去15年來的最高紀錄，2027年缺口也將維持在2.5%。

這一短缺的核心原因是AI算力爆發式增長，而供給端受制于晶圓廠建設周期和先進制程技術瓶頸，短期內無法有效擴產。

此前的市場普遍預期2026年DRAM供需基本平衡，但高盛的大幅上修反映出供需惡化速度遠超行業預期。

從供給端來看，2026年主要NAND原廠幾無新增產能，DRAM方面三大原廠全年幾乎無新增有效產能。三星、SK海力士、美光三大原廠2026年產能已基本被預訂一空。

其中SK海力士2026年DRAM、NAND和HBM產能已全部售罄，無法滿足任何額外需求，即便是長期合作的核心客戶也難以爭取到額外配額。

美光對核心客戶的供應滿足度僅能達到50%至三分之二，這意味著大量下游廠商將面臨“無米之炊”的困境。

行業真正意義上的大體量新產能，業內普遍預計至少要到2028年才會開始顯現，例如三星正在建設的新平澤工廠和SK海力士的龍仁半導體集群，均需等到2028年前后才能陸續投產。

供給增長受限并非單純的產能周期問題，而是具有深刻的結構性特征。

新一代HBM芯片晶粒尺寸持續增大，導致單片晶圓可切割出的芯片數量較上一代產品明顯下降；同時，隨著制程工藝向10納米以下節點推進，EUV光刻技術的廣泛引入也對產能爬坡速度和良率提升形成了新的技術約束。

這意味著即便晶圓廠滿負荷運轉，單位晶圓能夠產出的有效芯片數量也在減少。

從需求端來看，AI驅動的需求繼續高增。

2026年AI服務器DRAM需求同比增長105%，AI服務器HBM需求同比增長110%。

AI服務器DRAM需求占比在2026年突破40%，2028年將超50%成為行業主力。

DRAM年產能需求增速需達到12%才能勉強跟上需求，但當前實際增速僅為7.5%，供需增速之間存在約4.5個百分點的剪刀差。

供需缺口的直接體現，是價格飆升。

2026年第二季度Mobile DRAM合約價大幅上漲，超出市場預期。其中，LPDDR4X季度漲幅為70%至75%，LPDDR5X漲幅為78%至83%，一般型DRAM漲幅為58%至63%，NAND Flash漲幅為70%至75%。

NAND芯片在8個月內漲幅超過600%，漲勢為近年來罕見。

這一輪漲價不僅覆蓋了高端產品，甚至波及到了通常被視為“長尾”的DDR4等成熟產品，表明短缺已從細分領域蔓延至全行業。

近期美光宣布將弗吉尼亞州工廠的DDR4產能提升4倍，但這屬于產能配置調整，而非全面擴產。

TrendForce分析指出，該產線設備主要來自其他廠區轉移，整體DDR4并無擴產規劃。

在這場存儲芯片15年來最嚴重的供應短缺周期中，行業正從傳統的買方市場轉向賣方市場，原廠的定價權凸顯。

03

大廠IPO來了

對于國內市場而言，產能和價格趨勢跟全球趨勢相一致，而且還疊加了一層國產替代的驅動邏輯。

最新的業績數據中，像存儲公司佰維存儲2026年一季度凈利潤超去年全年三倍；江波龍一季度營收同比增長132.79%；兆易創新一季度營收同比增長119.38%；

其他的相關領域，例如半導體設備中，長川科技2026年一季度歸母凈利潤同比大幅增長217.60%；中微公司凈利潤同比增長197.20%；

在半導體材料及設計公司方面，南大光電一季度凈利潤同比增長29.97%；海光信息凈利潤同比增長35.82%；寒武紀凈利潤同比增長185.04%，歷史最優。

二級市場上，半導體設備ETF招商(561980)昨日單日凈流入超2.71億元，最新規模突破43.31億元，創上市新高。

從歷史表現看，截至5月26日，半導體設備ETF招商(561980)標的指數2020年至今累計漲超451%、近一年漲幅達172%，在科創芯片、半導體材料設備等同類指數中均位列第一。

半導體設備ETF招商(561980)跟蹤中證半導體產業指數，是A股少有的同時100%覆蓋設備、材料、設計、制造四大芯片核心產業鏈的指數，標的指數中北方華創+中微公司合計占比27%、寒武紀+海光信息合計15%、中芯國際含量6%，前十大集中度高達77%。

行業分布上，半導體設備ETF招商(561980)標的指數設備和材料含量約80%，CPU/GPU和晶圓制造含量約20%，契合韜定律落地、兩存擴產與國產替代進程。

招商中證半導體產業ETF聯接( A/C：020464/020465)為場外布局半導體設備的投資者提供了便捷工具。

二級市場近期還有一個大動作，那就是長鑫科技IPO。

根據招股書披露，長鑫科技已是中國第一、全球第四大DRAM廠商，2026年一季度實現營業收入508億元，同比增長719.13%，歸母凈利潤達247.62億元，同比扭虧為盈。

本次IPO擬募資295億元，將成為科創板開板以來第二大IPO項目，募集資金將用于存儲器晶圓制造量產線技術升級、DRAM存儲器技術升級以及前瞻技術研發。

這意味著，長鑫科技將從“依賴融資擴產”切換為“內生利潤+資本補充”雙輪驅動模式，產能建設和技術迭代也有機會提速。

更重要的是，長鑫科技的上市，將影響整條國產存儲產業鏈。

從設備端來看，北方華創、拓荊科技、盛美上海等國產設備廠商已深度融入長鑫科技的供應鏈體系。

從材料端來看，長鑫科技近三年原材料采購總額增長36%，其中化學品采購金額從22.80億元增長至42.78億元，靶材采購金額三年翻倍，供應商包括雅克科技、廣鋼氣體、安集科技、鼎龍股份等。

從封測端來看，供應商包括深科技、匯成股份，前者位于合肥的封測工廠已處于滿產狀態并正在擴產，后者也在積極擴充DRAM封裝產能。

從投資角度來看，長鑫科技IPO，不僅在于打通了國產存儲龍頭的資本化通道，也為A股市場帶來了新的存儲標的。

04

結語

美光科技一夜暴漲，市值沖破1萬億美元，以及海內外半導體板塊的集體上漲，既是AI算力需求的集中爆發，又是全球存儲芯片15年來最嚴重供需失衡的縮影。

這場史上罕見的漲價潮，能否在2028年新產能釋放后得到緩解，目前仍存在較大的不確定性。

從價格機制來說，如果產能無法大規模集中投放，那漲價潮就難現改善，又或者需求端突然出現斷崖式下跌。

不過，在全球AI產業發展如火如荼的當下，作為最重要基礎設施的算力，出現突發需求斷裂的概率會高嗎？

中長期來看，在AI驅動的超級周期，仍然是全球半導體發展最大的驅動力。

而國內市場而言，疊加了國產替代，形成了全球獨有的雙重驅動模式。（全文完）

風險提示：

本文內容均為客觀數據信息羅列，不構成任何投資建議。上述內容僅反映當前市場情況，今后可能發生改變，不代表任何投資意見或建議。指數過往業績不代表其未來表現，亦不構成基金投資收益的保證或任何投資建議。從業編號：A20260413000375。指數運作時間較短，不能反映市場發展的所有階段。指數基金存在跟蹤誤差，基金過往業績不代表未來表現。購買任何基金產品前請閱讀《基金合同》《招募說明書》等法律文件，請根據自身風險承受能力、投資目標等選擇適合自己的產品。市場有風險，投資需謹慎。