又一存儲(chǔ)芯片類產(chǎn)品，價(jià)格暴漲300%

記者丨駱軼琪

編輯丨包芳鳴

在全球爭奪AI基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)能背景下，越來越多存儲(chǔ)芯片品類開始面臨緊俏行情，產(chǎn)能轉(zhuǎn)移造成的供需缺口正在持續(xù)放大。

在三星、鎧俠、美光等國際大廠集體退出MLC（Multi-Level Cell，多層單元）NAND閃存市場的背景下，這一曾經(jīng)不起眼的“老兵”，產(chǎn)品價(jià)格近期暴漲300%。由此造成的供應(yīng)缺口，正對汽車電子、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等產(chǎn)業(yè)造成潛在影響。

NAND行業(yè)的發(fā)展規(guī)律是通過縱向堆疊來進(jìn)行擴(kuò)容，MLC正如其名，一般采用二維平面堆疊方式，也就是2D NAND。目前行業(yè)主流已經(jīng)迭代到TLC（Triple-Level Cell，三層單元）和QLC（Quad-Level Cell，四層單元）階段，也就是進(jìn)入3D NAND維度。

因此不難發(fā)現(xiàn)，上游存儲(chǔ)供應(yīng)商決定將MLC逐漸停產(chǎn)，有基于產(chǎn)品自身迭代的因素考量，也有將更多產(chǎn)能留給更高利潤空間的考慮。隨著海外大廠陸續(xù)停產(chǎn)，也為國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈廠商帶來一定發(fā)展機(jī)會(huì)。

漲價(jià)傳導(dǎo)，供應(yīng)斷層

上游存儲(chǔ)原廠在整體產(chǎn)能有限條件下，正退出一些薄利市場，MLC NAND就在此之列。

近期，Kioxia（鎧俠）宣布停產(chǎn)部分舊制程產(chǎn)品，其中小容量TSOP封裝產(chǎn)品、部分傳統(tǒng)浮柵式（Floating Gate）2D NAND以及第三代BiCS FLASH產(chǎn)品將逐步退出市場。

TSOP封裝主要用于低容量MLC NAND Flash存儲(chǔ)器，有觀點(diǎn)認(rèn)為，此次鎧俠宣布停產(chǎn)，意味著其或?qū)⑼顺鲈撌袌觥?/strong>

對此，鎧俠中國區(qū)董事長兼總裁岡本成之近日回應(yīng)道，這是基于新舊技術(shù)更替的考慮，也是行業(yè)普遍現(xiàn)象。

（2021-2026年MLC NAND產(chǎn)能成長表現(xiàn)測算，

圖源：集邦咨詢統(tǒng)計(jì)）

不止鎧俠，此前三星、SK海力士和美光，也陸續(xù)宣布，MLC相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)入生命周期終結(jié)階段，相關(guān)產(chǎn)線不再擴(kuò)產(chǎn)。

據(jù)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，SK海力士和美光基本將MLC產(chǎn)量限制在滿足現(xiàn)有客戶需求的水平，缺乏擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)力。因此，2026年全球MLC NAND閃存產(chǎn)能預(yù)計(jì)將同比下降41.7%，進(jìn)一步加劇供需失衡。

一名存儲(chǔ)行業(yè)從業(yè)者也對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者分析，產(chǎn)業(yè)鏈上游的存儲(chǔ)原廠在技術(shù)迭代和利潤目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下，根據(jù)生命周期管理需要，對落后制程產(chǎn)品做淘汰，是行業(yè)性正常的產(chǎn)品開發(fā)行為。同時(shí)，將優(yōu)質(zhì)產(chǎn)能集中于企業(yè)級等高附加值領(lǐng)域也是普遍趨勢。

在產(chǎn)能極為有限的背景下，MLC NAND這類“高齡”產(chǎn)品的價(jià)格反而開始大幅上揚(yáng)。

CFM閃存市場分析師楊伊婷告訴21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者，消費(fèi)類MLC eMMC原廠供應(yīng)基本已經(jīng)停止，三星車規(guī)級MLC明年一季度停止供應(yīng)，使得現(xiàn)貨市場MLC eMMC價(jià)格漲幅劇烈，8GB eMMC最高出現(xiàn)110美金的極端價(jià)格。

Counterpoint Research高級分析師Jeongku Choi也對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者指出，根據(jù)其月度存儲(chǔ)追蹤數(shù)據(jù)（Monthly Memory Tracker）顯示，MLC NAND價(jià)格同比上漲約300%。以16Gb MLC NAND為例，價(jià)格從2025年一季度的約3.2美元上漲至預(yù)計(jì)2026年二季度的約12.9美元。

“這一輪價(jià)格上漲主要由MLC產(chǎn)品持續(xù)退市（EOL）所引發(fā)的供需失衡推動(dòng)。”Jeongku Choi進(jìn)一步指出，當(dāng)前MLC NAND價(jià)格快速上漲的核心原因在于退市節(jié)奏明顯加快。“從過去情況來看，EOL通常會(huì)在數(shù)年時(shí)間內(nèi)逐步完成，但本輪MLC NAND的退出周期被壓縮至約一年內(nèi)完成。同時(shí)，AI需求快速增長推動(dòng)產(chǎn)能向服務(wù)器相關(guān)產(chǎn)品傾斜，進(jìn)一步加劇了MLC供應(yīng)緊張。”

MLC NAND的終端需求主要來自工控、車用電子、醫(yī)療設(shè)備和網(wǎng)通等領(lǐng)域，這些應(yīng)用對產(chǎn)品可靠度、寫入壽命、長期供貨承諾要求極為嚴(yán)格。其中，汽車行業(yè)首當(dāng)其沖。

楊伊婷對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者指出，車規(guī)級MLC eMMC應(yīng)用主要在T-BOX、儀表、HUD、中低端座艙等領(lǐng)域。“一般使用MLC的地方對性能容量要求低，基本不需要用到大容量UFS，夠用即可。而車規(guī)級芯片和模塊驗(yàn)證周期很長，且車規(guī)級零部件量產(chǎn)生命周期至少在3—5年，汽車以年為單位與原廠談年價(jià)和供應(yīng)，對AI存儲(chǔ)供需的及時(shí)變化并不敏感，此前一度低估了存儲(chǔ)供應(yīng)短缺的嚴(yán)重程度，以及原廠停止MLC產(chǎn)線集中產(chǎn)能做高價(jià)值服務(wù)器存儲(chǔ)的決心，使得汽車在存儲(chǔ)漲價(jià)缺貨中受到的沖擊最為明顯。”

國產(chǎn)補(bǔ)位，商用轉(zhuǎn)移

面對MLC供應(yīng)斷層，部分具備承接能力的廠商已開始行動(dòng)。

TrendForce集邦咨詢表示，因?yàn)镸LC NAND Flash長期供貨的供應(yīng)體系出現(xiàn)斷層，長期聚焦嵌入式與高可靠度存儲(chǔ)器市場的旺宏，相對具備承接這項(xiàng)利基型需求的優(yōu)勢。旺宏已減少原有NOR Flash產(chǎn)能，以擴(kuò)大MLC NAND Flash供應(yīng)。

Jeongku Choi則對記者指出，當(dāng)前2D NAND供給缺口較難完全填補(bǔ)。“國內(nèi)廠商中，長江存儲(chǔ)（YMTC）具備相對最大的可用產(chǎn)能，但其同樣將優(yōu)先滿足服務(wù)器端對TLC與QLC產(chǎn)品的需求，以抓住AI帶來的結(jié)構(gòu)性機(jī)會(huì)，因此可用于緩解MLC短缺的空間有限。”

當(dāng)然按照常規(guī)，終端市場終究會(huì)逐漸采用新一代技術(shù)和產(chǎn)品，因此轉(zhuǎn)向更高工藝制程的TLC產(chǎn)品正成為趨勢。

楊伊婷對記者表示，除鎧俠繼續(xù)供應(yīng)車規(guī)級eMMC至2028年以外，國內(nèi)存儲(chǔ)廠商MLC也在通過自行設(shè)計(jì)及流片嘗試填補(bǔ)部分供應(yīng)缺口，同時(shí)汽車將加速64GB TLC eMMC/UFS的驗(yàn)證使用。

“下游MLC NAND應(yīng)用確實(shí)將逐步向TLC遷移。”Jeongku Choi對記者指出，與仍在汽車等長生命周期基礎(chǔ)設(shè)施中保持重要性的傳統(tǒng)DRAM不同，MLC NAND在性能上已被SLC超越，在成本效率上又被TLC和QLC取代，其競爭優(yōu)勢正在被雙向壓縮。

“下游市場已開始向TLC和QLC遷移以降低成本，而隨著上游MLC供應(yīng)持續(xù)收緊，這一替代趨勢預(yù)計(jì)將進(jìn)一步加速。”但他也提到，由此帶來的BOM成本上升，將壓縮下游廠商利潤，其中以服務(wù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備廠商及大型OEM的工業(yè)與嵌入式供應(yīng)商受影響最為明顯。

集邦咨詢也提到，長期來看，MLC NAND的主要終端市場成長幅度有限，且若部分應(yīng)用加速導(dǎo)入強(qiáng)化版TLC解決方案，或整體NAND Flash市場景氣明顯反轉(zhuǎn)，MLC產(chǎn)品價(jià)格仍可能間接承壓。

從“大宗商品”到“利基奢侈品”，MLC NAND的命運(yùn)變遷是AI時(shí)代存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)資源再分配的一個(gè)縮影。上游原廠在資本支出和潔凈室空間有限的前提下，毅然將產(chǎn)能向HBM、高層數(shù)3D NAND等更高利潤產(chǎn)品傾斜，而曾經(jīng)支撐汽車、工控、醫(yī)療等實(shí)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定運(yùn)行的成熟存儲(chǔ)產(chǎn)品，則因單位產(chǎn)值低而被加速淘汰。

這一趨勢短期內(nèi)難以逆轉(zhuǎn)，下游終端市場不得不加速技術(shù)替代和供應(yīng)鏈重構(gòu)。

對于國內(nèi)存儲(chǔ)廠商而言，能否在海外巨頭退出的間隙中，以穩(wěn)定的供貨能力和可靠的產(chǎn)品質(zhì)量贏得客戶信任，并在專利壁壘之下找到自主創(chuàng)新的突破口，將決定中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在這場全球格局重塑中能否真正站穩(wěn)腳跟。

SFC

出品丨21財(cái)經(jīng)客戶端21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道

微信統(tǒng)籌丨曾靜嬌 編輯丨林芊蔚

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