臺積電同時開建18座工廠

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臺積電今(14) 日舉辦技術論壇，營運組織先進技術工程副總經理田博仁表示，為滿足全球客戶快速成長需求，臺積電正以過去兩倍速度推進全球產能擴張，現階段正在全球新建與改造18 座晶圓廠，其中包括5 座先進封測廠，將同步強化先進制程晶圓產能與先進封裝產能。

田博仁指出，臺積電2017 年至2024 年平均每年新建4 座新廠，但2025 年至2026 年間，擴張速度將提升至每年9 座新廠，顯示公司正加速回應AI、高效能運算(HPC) 與先進封裝需求快速成長。 2026 年，臺積電計劃在臺灣新建4 座晶圓廠與2 座先進封裝廠，并持續推進全球12 吋晶圓廠布局。

美國第二座廠2027 年下半年生產N3 制程

在海外布局方面，美國亞利桑那州廠區已完成現有廠區與新土地取得，以支援后續擴張計劃。田副總表示，亞利桑那第一座晶圓廠已于2024 年底開始生產N4 制程，預計2026 年產出將年增1.8 倍；第二座晶圓廠預計2026 年下半年開始設備移入，并于2027 年下半年開始生產N3 制程；第三座晶圓廠已在2025 年上半年動工，第四座晶圓廠與第一座先進封裝廠也已進入初期建設階段。

日本28/22 納米良率已達臺灣水準

日本熊本方面，第一座晶圓廠已進入28 納米與22 納米量產；第二座晶圓廠已于2025 年開始建設，預計生產N3 制程。田博仁表示，熊本廠2026 年N28 與N22 產出目標，將達2025 年的2.3 倍，且28 奈米、22 奈米良率已達與臺灣廠相當水準。

歐洲布局部分，德國德勒斯登ESMC 建設進度順利，該廠將聚焦汽車與工業應用，支援歐洲客戶采用28 納米、22 納米、16 納米與12 納米制程技術。中國大陸廠區則將持續提供16 納米與28 納米產品。

臺灣是擴產核心

臺灣仍是臺積電先進制程與先進封裝擴產核心。田博仁指出，目前臺灣共有12 座晶圓廠或先進封裝廠正在建設中，其中新竹20 廠與高雄22 廠是N2 及更先進制程量產基地，兩座晶圓廠已開始量產；臺中25 廠則已于2025 年動工，計劃2028 年開始量產，預計生產2 納米及更先進制程。

N2 首年產出比N3 多45%

先進制程方面，田博仁表示，臺積電最先進N2 制程已進入量產，良率學習曲線優于N3 同期進度，后續以N2 為基礎、搭配A16 制程，也將按計劃如期量產。為支援客戶對2 納米制程的強勁需求，臺積電在研發與營運團隊「One Team」協作下，將于2026 年同步啟動多座晶圓廠，N2 量產第一年產出將較N3 同期高出45%，2026 年至2028 年N2 產能預計將以約70% 的年復合成長率擴大。

N3/N5 產能至2027 年CAGR 達25%

除N2 外，臺積電也將持續擴大N3 與N5 產能。田博仁指出，盡管N3 與N5 制程技術復雜度高于N7，但量產初期表現已優于N7；2022 年至2027 年，N3 與N5 產能將以約25% 的年復合成長率擴充，并透過不同制程節點間的彈性配置，提高產能調度效率。

2027 年前先進封裝產能CAGR 逾80%

在先進封裝方面，田博仁表示，CoWoS 與SoIC 等3DIC 技術持續推進，SoIC-X 已進入量產階段，相關產能預期將有超過80% 的成長。為滿足AI 應用對先進封裝的強勁需求，臺積電2022 年至2027 年將以超過80% 的年復合成長率，積極擴充CoWoS 與相關3DIC 產品產能。

AI 開始導入工廠

田博仁也強調，在新產能到位前，臺積電將透過數位化與AI 驅動技術，提高既有先進制程產出。公司已將N3、N5、N7 廠區串聯，并透過AI 進行跨廠區最佳化；智能排程、機臺日志分析、反應室狀態判斷與新機臺驗證等應用，也有助于提升機臺效率、縮短生產周期，并縮短逾20% 的量產導入時間。

綠色制造方面，臺積電重申2050 年達成凈零排放目標，并透過再生能源、節能機臺與低碳原物料等措施，于2025 年達成減碳380 萬噸。廢棄物管理方面，臺積電目標將自行資源化比例提升至70%、整體廢棄物再利用率提升至98%；水資源管理則以2040 年達成100% 水資源正效益為目標。

（來源：內容來自半導體行業觀察綜合）

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