來源:市場資訊
(來源:明陽電路)
目前,印制電路板(PCB)廠商已經開始量產112G產品,作為當前階段量產的傳輸速率最高的PCB產品。其在以下幾個方面有特殊要求:首先,由于112G交換機產品使用的信號調制方式從不歸零編碼(non-return-to-zero,NRZ)轉變為四電平脈沖幅度調制(pulse amplitude modulation 4-level,PAM4),PAM4在一個周期內傳輸4個碼元00,01,10,11,在相同帶寬下,數據傳輸速率翻倍。但因為電平間的幅度差變小了導致其抗噪聲能力差,信噪比要求高,所以在傳輸路徑中一點微小的變化都有可能導致信號失真,誤碼率急劇上升,接收端無法解碼出正確信號。
因此對于112G產品而言,阻抗控制是重中之重,阻抗公差從±10%提升至±7%,孔阻抗從原來的無要求,到如今和線阻抗公差一樣的要求。孔阻抗要求的提出,意味著PCB制造商們無法和之前產品一樣通過增大引腳焊盤((Pin pads英文全稱 ,PAD)的方式來減小對位難度,因為底PDA的增大,必然導致孔阻抗的下降。
除此之外,112G產品的奈奎斯特帶寬來到了28 GHz,芯板預留PCB產品的損耗大約為1 dB/inch(0.039 37 dB/mm),這也就意味著產品要在28 GHz的情況下滿足上述損耗要求;另一方面,PCB制作商們為了節省制作時間,減少制作工步,廣泛采用深微孔技術,激光從L1層直接擊穿到L3層,甚至L4層,這對PCB的激光加工和沉銅電鍍帶來了新的挑戰。
| 112 G高速信號傳輸路徑分析
高速信號從光模塊接口位置通過L1到L3的盲孔傳導到內層L3層,L3層經過一小段差分傳輸線后通過雙面背鉆孔傳導至L14層,L14經過很長一段差分傳輸線后,通過單面背鉆孔傳導至球柵陣列(Ball Grid Array英文全稱,BGA)位置。至此,信號傳輸完成。
| 孔阻抗測試
為測試底PAD對孔阻抗的影響,設計了2組對照實驗,具體參數見表1。
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通過模擬軟件進行模擬,結果如圖1所示。由底PAD設置為0.4 mm,則過孔阻抗為95 Ω與后端線阻抗的要求值93 Ω相匹配;當其他條件不變,過孔底PAD設置為0.55 mm時,過孔阻抗則會下降至85 Ω,遠小于93 Ω的傳輸線要求阻抗。由此帶來的信號反射將導致接收端誤碼率的急劇上升,最終無法解碼信號。因此,對于112 G產品,需在前期的設計中進行孔阻抗仿真,保證孔阻抗與線阻抗的一致性。
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圖1 不同底PAD大小模擬阻抗
| 對位能力測試
由前期研究可知,為保證孔阻抗和線阻抗的一致性,在底PAD的補償基礎上,不能過多的加大補償,造成PCB制造過程中對位精度的提高。通常,我司為了確保對位準確,將最小焊環設置為0.15 mm,由前期的孔阻抗仿真數據可知,0.25 mm孔徑,焊環0.15 mm,則底PAD大小為0.55 mm,阻抗僅為85 Ω,不符合要求,需要減小焊環大小。將焊環大小改為0.075 mm,這意味著盲孔與PAD的對位精度要控制在0.075 mm以內。一般情況下,盲孔對位有兩種形式:抓綜合靶標對位或抓盲孔底PAD所在層對位;兩種對位形式的優缺點見表2。
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如圖2所示,采用抓盲孔底PAD的對位方式,可確保盲孔居中對齊,因此,需解決可能存在的通孔與盲孔不匹配的問題。一般情況下,外層曝光系數抓取的為通孔的漲縮系數,制作通孔時,需抓取的綜合靶標,因此,外層曝光系數是每一層偏移量的綜合系數;而盲孔抓取的為單層靶標,就是某一層的偏移量,當整體的偏移量與單層的偏移量差距過大時,會導致外層的通孔PAD與盲孔對不上。
為了解決這一現象,我司采用了一種稱為梅花孔的外層圖形的對位靶標。制作過程為:制作盲孔時在板的四角分別鉆一圈盲孔;制作通孔時,在一圈盲孔的中間位置鉆一個通孔,作為通孔靶標,如圖3所示;進行外層曝光時,需抓取每個角的盲孔靶標和通孔靶標來完成制作。這表明外層的曝光系數為通孔和盲孔的平均系數,這一操作可有效防止盲孔偏離外層PAD。
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| 激光鉆孔能力測試
關于盲孔的加工,為了節省加工流程,加快制作時間,本產品將2次壓合的制作方式改為一次壓合,這也就意味著在制作盲孔時要同時完成L1到L2層和L1到L3層的盲孔制作。這樣的制作方式,帶來的挑戰主要是兩方面:盲孔制作難度的加大和電鍍制作難度的加大。在盲孔制作方面:為了滿足L1到L3層的孔徑為盲孔制作,首先將對應的盲孔上方的L2層掏隔離環,其次,為了保證上下孔徑比,采用擴孔的方式制作,激光小孔疊孔排列繞燒,先燒外圍再燒內部,小孔重疊率按85%設計,盲孔設計如圖4所示。
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關于盲孔的加工,為了節省加工流程,加快制作時間,本產品將2次壓合的制作方式改為一次壓合,這也就意味著在制作盲孔時要同時完成L1到L2層和L1到L3層的盲孔制作。這樣的制作方式,帶來的挑戰主要是兩方面:盲孔制作難度的加大和電鍍制作難度的加大。在盲孔制作方面:為了滿足L1到L3層的孔徑為盲孔制作,首先將對應的盲孔上方的L2層掏隔離環,其次,為了保證上下孔徑比,采用擴孔的方式制作,激光小孔疊孔排列繞燒,先燒外圍再燒內部,小孔重疊率按85%設計,盲孔設計如圖4所示。
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| 背鉆孔加工能力測試
對孔阻抗的管控,需管控信號過孔的背鉆殘樁,殘樁的存在不僅會導致孔阻抗降低,還會導致信號損失增加,管控背鉆殘樁長度是控制高速信號完整性的一大重點措施[5]。客戶通過前期的仿真測試,發現預留0.2 mm的殘樁長度可滿足信號傳輸的要求。因此,我司背鉆殘樁按照小于0.2 mm管控。為滿足整板任意位置滿足背鉆殘樁的需求,我司采用分堆分區制作,具體制作流程如下:
(1)全測背鉆孔位置的板厚,將同一位置,板與板之間極差大于0.1 mm的板進行分堆,每一堆的板都分別用不同的背鉆參數。
(2)針對同一塊板,對板厚差異大于0.1 mm的孔進行分區域背鉆處理。每個區域采用不同的背鉆控深參數,并確認首件的切片。
基于以上加工方式,隨機取不同位置的背鉆切片,如圖6所示,均滿足小于0.2 mm的管控要求。
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| 結論
本文對112G產品的孔阻抗展開研究,112 Gbps高速產品在設計與制造過程中需滿足如下管控要點:
(1)進行孔阻抗設計時,需開展仿真工作,以確保孔阻抗與線阻抗保持一致。
(2)加工激光盲孔時,鑒于減小了盲孔底PAD的補償值,需確保盲孔對位精準。此外,因盲孔加工方式為L1到L3層的激光盲孔,因此,需重點管控盲孔孔銅。
(3)背鉆stub的長度也需要進行仿真,從而得出合適的背鉆stub管控要求,制造時需按照要求對所有背鉆孔實施管控。
參考文獻
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[2]彭毅.基于PCIe 5.0高速連接器的信號完整性分析[D].綿陽:西南科技大學.2024.
[3]趙號,鄧磊剛,呂圣澤,.PCB設計中阻抗匹配的信號改善方法[J].印制電路信息,2023,31(9):8-12.
[4]李繼嵐,韓冰,周昊,等.高速PCB多面板過孔阻抗匹配的優化與改善[J].工業控制計算機,2022,35(8):157-158.
[5]許偉廉,黃李海,馮沖,等.高速PCB差分插入損耗影響因素研究[J].印制電路信息,2023,31(s2):26-34.
[6]雷璐娟,雷川,李金鴻,等.高速PCB插損影響因子研究[J].印制電路信息,2022,30(s1):28-34.
[7]肖強,代海龍.激光微孔加工復合工藝研究進展[J].半導體光電,2025,46(05):784-794.
[8]羅煒艷,曹子鯤,上官昌平,等.新型激光加工微盲孔能力研究[J].印制電路信息,2024,32(10):1-10.
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