童浩：突破三維相變存儲器技術，引領“大容量內存”新時代

自研究生起，童浩便在繆向水教授指導下從事三維相變存儲器技術的研發，至今20年，在“大容量內存”上獲得重大突破。

在選購手機或電腦時，許多人常常在內存容量的選擇上舉棋不定：大容量內存能帶來更順暢的多任務處理體驗，但成本更高；小容量內存則可能因后臺應用受限、易卡頓等問題影響使用感受。那么，是否有一種無需在內存容量上做出取舍的理想選擇？這正是童浩教授所研發的三維相變存儲器技術的魅力所在——它模糊了內存與外存的傳統界限，開創了一種全新的存儲解決方案。

工作中的童浩教授。記者楊佳峰 攝

“三維相變存儲器技術正持續演進，現在處于可用作‘大容量內存’的存儲級內存（SCM）階段，我們的終極目標是實現‘統一存儲'。”4月30日，湖北青年五四獎章獲得者、華中科技大學集成電路學院教授童浩在辦公室向記者介紹，三維相變存儲器的技術核心在于利用材料的相態轉變實現數據存儲，具備非易失性（斷電后數據不丟失）、大容量、性能接近內存等顯著優勢，有效彌補了傳統內存（易失、容量有限）與外存（非易失、速度較慢）之間的技術鴻溝。這一技術的遠景目標正是實現“統一存儲”——無需再區分內存與外存，省去數據搬移的繁瑣。

“存儲芯片是內存條、固態硬盤等存儲設備的關鍵支撐技術。”童浩介紹，下一代存儲技術的研發主要沿著兩條路徑推進：其一是延續現有技術路線的深化發展——即進一步提升外存的存儲容量，優化內存的帶寬性能，如高帶寬內存（HBM）等；其二是通過架構創新，開發兼具大容量與高速度的新一代存儲技術。

“三維相變存儲器正是第二種路徑的典型代表，我們將其稱為‘大容量內存'。”童浩解釋：相較于現有的閃存技術，三維相變存儲器在讀寫速度、使用壽命（讀寫次數）等方面均有顯著提升。其性能已接近內存水平，盡管目前尚無法完全取代內存，但其容量優勢明顯，成功解決了傳統內存容量受限的難題。

目前，三維相變存儲器技術已在國內互聯網頭部企業的數據中心得到實際應用，相關產品已實現對英特爾、美光等國外存儲芯片產品的國產替代，并且出口英美等20余個國家和地區。

童浩表示，當前研發工作的重點在于突破差異化存儲技術，打造大容量內存，并解決內存的易失性問題——即內存斷電后數據消失的痛點。“如果三維相變存儲器能夠實現非易失性且性能逼近內存，‘統一存儲'的目標就將實現，屆時程序將不再需要區分內存與外存。”童浩堅信，這一天終將到來。

（長江日報記者楊佳峰 通訊員左盈）

【羅田甜】