荷蘭媒體：中國囤的光刻機用5-10年不是問題，我們還需向下扎根

在美國拋出MATCH法案，從過去禁最頂尖的EUV光刻機，到現在直接擴大到所有DUV浸沒式光刻機之際，中國自主光刻機走到哪一步了，是全世界都很好奇的一件事。

此前荷蘭科技媒體發了篇報道，標題直接點名主旨——中國囤積的光刻機，哪怕接下來甚至完全不買，用個5到10年都完全不是問題。

也就是說，國內企業提前預料到會出現制裁加碼的情況，所以在多年前就已經超前向國外供應商采購設備進行囤貨，囤積的設備用5到6年是沒有問題的。

根據荷蘭ASML的官方財報顯示，在美國對中國企業實施制裁期間，中國大陸地區逐步成為了ASML全球最大的單一客戶市場。

2021年，中國大陸市場占ASML總銷售市場的16%，2022年的占比為14%。從2023年開始，這個比例開始上升。中國這幾年的“掃貨”有多猛？

到2023年底，ASML在中國的光刻機加上量測機臺，差不多有1400臺。2023到2024這兩年，中國企業買的光刻機，比之前五年加起來還多。2024年的時候，中國直接成了ASML全球第一大客戶，占了他們出貨量的41%。

2025年，中國買走的光刻機金額高達80.1億歐元，合計占到所有光刻機銷售的33%。

ASML首席財務官羅杰·達森在2025年財報中表示，中國企業此前采購的設備已陸續交付完成，預計2026年中國市場將會回歸平穩階段，其銷售占比將會回落到20%左右。

ASML的擔憂很現實，2026年一季度，中國大陸市場的占比從去年第四季度的超三分之一降至19%，中國從ASML的進口金額一個季度就銳減了約120億元。韓國在今年一季度超越中國，成為了當前ASML全球最大市場。一年前還是＂最大金主＂，轉眼就被擠到第三。

從這個采購的趨勢來看，中國早已囤購了5~10年的光刻機。

最先進的EUV沒得買，浸潤式DUV能造出啥好芯片？可以說，EUV 決定“天花板”，DUV 決定“地板”。EUV光刻機這條路走不通，我們也沒必要死磕。

正如荷蘭媒體稱，目前中國已經囤積了足夠多的浸潤式光刻機，而這些浸潤式光刻機，在采用多重曝光之后，實際上能制造的芯片，或許早就在5nm甚至更先進的工藝了。

雖說成本比EUV直接造高，良率也差點，但至少中高端芯片不會斷供，無法繼續采購進口的成熟設備，但中國企業還可以使用之前采購的設備繼續制造芯片。售后體系被限制了，中國企業便建立自己的技術團隊去維護設備，這就夠了。

所以中國一直在做準備，在“囤積”光刻機，以應對未來可能發生的風險，為接下來可能的持久戰囤積糧草。

中國這幾年囤光刻機，根本不是恐慌搶購，而是一場精準的戰略布局。手里有這些設備，未來5-10年就算徹底斷供，晶圓廠也能正常運轉，芯片也能正常生產。這段時間，正好能讓國產光刻機慢慢成熟，從28nm往更先進的制程突破。

我們的國產設備也在加速應用，國產設備的技術成熟度以及制造效率都需要有一個提升的過程，以前我們在光刻機領域，還處于剛剛起步的入門水平，隨著國產零部件一步步突破，上海微電子的28nm浸沒式光刻機已在工藝驗證階段。

2026年4月，浙江大學成功研發萬通道3D納米激光直寫光刻機，測量精度可達亞30納米。在納米壓印領域，國內設備完成了10nm級自主交付。技術上“多點開花”的局面正在形成。

不僅如此，包括華卓精科以及科益虹源，都在光刻技術上取得關鍵突破，無論是磁懸浮雙工件臺還是193納米準分子激光器，其核心零部件的技術都在逐步突破，在薄膜沉積、蝕刻、激光器這類輔助環節當中，國產設備的覆蓋率逐漸提升起來。可以說，再給中國幾年時間，將逐步實現全鏈條自主。

EUV方面，去年年底深圳也組裝出了原型機，跑通了初步試驗，某光學研究所正在自主研發EUV光源模擬器，11億元產線已試運行，雖然與ASML的商用標準尚有差距，但已足夠支撐原型機通過關鍵測試。另一家設備廠商則通過從國際市場引進頂尖研發人員，搭建了完整的投影物鏡研究團隊，雖然離量產還遠，但已經邁出了關鍵一步。

美國也看出了門道，剛推出MATCH法案，想從買、用、修三個環節徹底封堵，但封鎖越狠，反噬越厲害。

歐洲已經有人提議，要是美國繼續加征關稅，就限制ASML向美國出口光刻機。更何況中國手里還有稀土這張牌，ASML的光刻機離不開稀土，而全球九成的稀土精煉能力都在咱們手里，誰也離不開誰。

囤購5~10年的光刻機，我們處于黎明前的黑暗，還需要往下扎根

從我們大量囤購5~10年的光刻機可以知道，我們當前依然處于黎明前的黑暗，意味著我們為自己至少預留了5年的時間，這也意味著5年內，獨立的浸潤式DUV光刻機的量產并且普及，這個難度是有點大的。

畢竟，光刻機即便是不起眼的小零部件比如光源、鏡頭里頭，也充滿了美國的技術，包括德國蔡司的那套頂級鏡片。

在一些高精度零部件領域，國產機器跟國際頂尖水平還有十年二十年的差距，咱們現在靠自己勉強能搞定90納米的制程，距離世界最先進的步伐還遠。

就拿EUV光刻機來說，這是用激光打出極紫外光的高端東西，波長只有13.5納米，用在7納米以下制程，能夠實現更精細的刻畫，比咱們現在193納米波長的干式光刻機要先進得多。

人家已經能做到7納米以下，咱們卻連14納米的完全自主化都還沒搞定。美國的制裁已經加碼到了不要臉的程度，這樣會倒逼國產替代把自己逼到極限，預計在5到10年內，國產光刻機會越來越成熟、越來越爭氣。并且，咱們在非美供應鏈這條路上已經做足了功課、下足了本錢。

ASML現任CEO克里斯托弗·富凱，在2025年12月接受美國彭博社專訪時指出，應該適度向中國企業輸出技術以防止其自主研發形成競爭力，中國是一個大國，絕不會接受在技術方面被卡脖子的困境，必然會謀求進步。

在西方科技圈內部，過去一直是看低中國速度的，在很早的時候認為中國就算是拿了圖紙也造不出來，后來他們說我們20年也追不上，后來改口說15年，現在變成了10年，中國可以造出EUV光刻機，那就是意味著他們正在重新評估中國芯片的「突圍速度」。

在科技競爭的維度里，10年就是一個完整的產業周期。第一個3年是從無到有的原理突破。第二個3年是核心零部件的攻堅戰，最后的4年，是整體設備的集成與迭代、優化產品良率，是在工廠里不斷燒錢、最終打磨出高良率的芯片產品。

只不過，這個過程，注定是漫長而艱難的。目前整個行業還在咬緊牙關往前走，在瘋狂囤貨、優化工藝，在解決芯片零部件自主與產業門類上不斷推進，在產品創新和商業模式創新角度去推進研發，一旦實現EUV光刻機的量產，整個世界的格局都會發生重大轉變。

只不過這一天到來之前，注定有一段沉默的時光。有句話說的好：“這段時光，是付出了很多努力，卻得不到結果的日子，我們把它叫做扎根。”這不是一蹴而就的，而是需要長周期的研發與坐冷板凳，但全產業鏈的齊心合力，必將形成中國半導體產業突圍的強大力量，我們也最終會走到天亮的那一天。