為英偉達(dá)Vera Rubin定制：SK海力士宣布量產(chǎn)192GB SOCAMM2內(nèi)存

2026年4月20日，SK海力士宣布，其已啟動(dòng)192GB SOCAMM2內(nèi)存的規(guī)模化量產(chǎn)工作。該產(chǎn)品基于1cnm先進(jìn)工藝（即SK海力士第十代納米級(jí)技術(shù)中的第六代工藝），采用LPDDR5X內(nèi)存規(guī)格打造而成。

SOCAMM2是一款基于LPDDR架構(gòu)研發(fā)、專門面向AI服務(wù)器場(chǎng)景優(yōu)化的高端內(nèi)存模組。其兼具輕薄外形與高擴(kuò)展性，創(chuàng)新的壓縮式接口不僅能顯著提升信號(hào)傳輸完整性，還能大幅降低模組更換的難度，提升維護(hù)效率。這一設(shè)計(jì)理念精準(zhǔn)契合了AI服務(wù)器對(duì)空間利用率、維護(hù)便捷性的嚴(yán)苛訴求，為數(shù)據(jù)中心的高密度、高可靠性部署提供了理想的內(nèi)存解決方案。

在核心性能表現(xiàn)上，SK海力士明確表示，本次量產(chǎn)的1cnm工藝SOCAMM2產(chǎn)品，內(nèi)存帶寬較傳統(tǒng)RDIMM內(nèi)存提升一倍以上，功耗效率優(yōu)化超75%，能夠有效降低AI系統(tǒng)高負(fù)載運(yùn)行狀態(tài)下的整體能耗，同時(shí)大幅提升數(shù)據(jù)讀寫與處理效率，為AI任務(wù)的高效推進(jìn)提供有力支撐。

SK海力士進(jìn)一步指出，這款SOCAMM2產(chǎn)品是專為英偉達(dá)Vera Rubin平臺(tái)量身定制設(shè)計(jì)的，能夠從根本上破解千億級(jí)參數(shù)大語(yǔ)言模型（LLM）在訓(xùn)練與推理過(guò)程中面臨的內(nèi)存瓶頸難題，進(jìn)而在大幅提升整體系統(tǒng)處理速度、縮短任務(wù)周期方面發(fā)揮關(guān)鍵支撐作用。這種深度定制化適配，充分體現(xiàn)了SK海力士與英偉達(dá)在人工智能硬件生態(tài)領(lǐng)域的緊密協(xié)作與深度協(xié)同，為雙方后續(xù)合作奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

當(dāng)前，隨著人工智能技術(shù)的迅猛迭代演進(jìn)，尤其是生成式AI與大型語(yǔ)言模型（LLM）的規(guī)模化應(yīng)用，內(nèi)存的容量、帶寬以及功耗表現(xiàn)，已成為制約AI系統(tǒng)性能提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)RDIMM等內(nèi)存架構(gòu)在應(yīng)對(duì)海量參數(shù)計(jì)算場(chǎng)景時(shí)，往往難以兼顧高吞吐量與低功耗的雙重需求，進(jìn)而導(dǎo)致AI模型訓(xùn)練周期延長(zhǎng)、推理延遲增加，制約了AI技術(shù)的落地效率。

SOCAMM2的成功量產(chǎn)，正是SK海力士針對(duì)這一行業(yè)核心痛點(diǎn)推出的精準(zhǔn)突破方案。它以LPDDR5X內(nèi)存為核心基礎(chǔ)，借助1cnm先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)內(nèi)存集成度的大幅提升，不僅將單模組內(nèi)存容量提升至192GB的高規(guī)格，更在信號(hào)傳輸穩(wěn)定性與擴(kuò)展性上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍，全面超越傳統(tǒng)內(nèi)存模組。

總的來(lái)看，SK海力士192GB SOCAMM2內(nèi)存的正式量產(chǎn)，標(biāo)志著其在高端服務(wù)器內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位得到進(jìn)一步鞏固和提升。該產(chǎn)品不僅為英偉達(dá)Vera Rubin平臺(tái)提供了強(qiáng)有力的內(nèi)存硬件支撐，更將有效加速千億級(jí)LLM的商業(yè)化部署進(jìn)程，推動(dòng)AI技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嶋H應(yīng)用。

預(yù)計(jì)這款產(chǎn)品將進(jìn)一步推動(dòng)人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的升級(jí)換代，幫助企業(yè)及研究機(jī)構(gòu)以更低的能耗成本、更快的任務(wù)速度完成復(fù)雜AI模型的訓(xùn)練與優(yōu)化，最終加速AI技術(shù)與各行業(yè)的深度融合，賦能產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型。

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