江蘇
4月17日，長電科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）結構與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線（RDL）工藝的晶圓級射頻集成無源器件（IPD）工藝驗證，通過測試結構的試制與實測評估，公司驗證了在玻璃基底上構建三維集成無源器件的可制造性與性能優勢，為5G及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統級封裝優化提供了新的工程化路徑。
TGV IPD示意圖
長電科技基于TGV構建3D互連骨架，在玻璃基板上實現電感、電容等關鍵無源結構的集成，并將傳統平面電感升級為3D結構，以降低高頻損耗并提升器件品質因數（Q值）。在對比評估中，3D電感在Q值等關鍵指標上實現顯著提升，在既定測試條件下較同等電感值的平面結構提升接近50%。同時，整體性能表現優于硅基IPD技術路線，為射頻模組的小型化、高集成度與性能指標提升提供了可行的工程方向。
面向5G及未來6G的通信需求，射頻系統對帶寬、線性度與集成度提出持續升級要求。長電科技在射頻封裝領域經過多年深耕，已形成面向射頻PA、RFFE模組與毫米波應用的封裝與測試能力：支持SiP、AiP等多種封裝形態，覆蓋共形、分腔及選擇性濺射屏蔽，并具備5G、毫米波、NB?IoT及高速信號測試能力；同時提供射頻系統仿真與封裝協同設計，并配套覆蓋射頻微波、毫米波、5G蜂窩與無線通信等的一站式驗證測試平臺，支撐客戶從芯片、封裝到模組與整機的驗證與導入。
長電科技副總裁、技術服務事業部總經理吳伯平表示：“面向AI算力芯片的迭代躍遷與6G通信的前瞻布局，長電科技將加速推進玻璃基TGV與PSPI晶圓級IPD技術在射頻系統級封裝中的工程化落地。我們將深化與頭部客戶及產業鏈伙伴的協同創新，通過聯合開發與驗證，推動相關技術走向規模化量產，為下一代邊緣計算和無線連接提供更高性能、更高集成度的系統級解決方案。”
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