內置晶豐明源BP87650A主控，三星60W零待機功耗氮化鎵充電器拆解

前言

最近充電頭網拿到了三星一款60W氮化鎵快充充電器，這是一款專為三星2025年及以后發布的旗艦機型設計的電源適配器，除采用氮化鎵技術以及能夠為三星旗艦機提供60W大功率快充外，產品還有一大核心技術亮點，便是實現了待機零功耗。

充電頭網了解到，為達成這一目標，產品基于晶豐明源BP87650A+BP62650A電源方案設計，搭配其專利磁耦通訊反饋元件BP818，無需偏置電流即可實現初次級通信，進一步消除了反饋環路帶來的待機損耗，實現整套方案功耗低至2mW以下，遠低于IEC62301標準所規定的數值，可為更高功率快充產品的能效升級預留充足余量。

作為全球消費電子領軍企業，三星早在2021年就明確提出，其手機充電器產品上執行的20mW待機標準在2025年前要全部更換至5mW。這款充電器的推出，既兌現了三星當年的能效承諾，也為行業樹立了新的技術標桿。下面我們就來看看產品的具體設計。

三星60W零待機功耗氮化鎵充電器開箱

包裝盒外觀延續經典樣式設計，正面印有SAMSUNG品牌、產品名稱及其機身正面、頂部外觀圖。

背面印有包裝清單、產品參數、生產日期以及相關提示信息等。

包裝盒上參數特寫，下面到產品實物展示環節再介紹。

包裝內含充電器、三包憑證以及有毒有害物質清單。

充電器延續家族經典樣式設計，機身通體黑色，表面磨砂工藝處理抗指紋。

機身正面中心是經典閃電logo和“Super Fast Charging”設計。

側面印有60W和Low Standby。

背面印有充電器參數信息。

充電器參數特寫

型號：EP-T6010

輸入：100-240V~50/60 1.6A

輸出：（PDO）5V3A、9V3A、15V3A、20V3A

（PPS）5-20V3A（15-60W）

生產廠：RFTECH THAI NGUYEN CO., LTD

充電器通過了CCC認證和VI級能效認證。

充電器配備新國標插腳。

頂部配備單USB-C接口，居中布局。

實測充電器機身長度為48.08mm。

寬度為46.13mm。

厚度為28.11mm。

和蘋果67W充電器放在一起對比，體積優勢很明顯。

產品拿在手上的大小直觀感受。

另外測得充電器重量約為103g。

測得USB-C口支持PD3.0、PPS、QC5、DCP充電協議。

PDO報文顯示還具備5V3A、9V3A、15V3A、20V3A四組固定電壓檔位，以及5-11V5A、5-16V4A、5-21V3A三組PPS電壓檔位。

使用三星這款60W零待機功耗氮化鎵充電器給Galaxy S26 Ultra充電，測得充電功率約為51.54W。

實測110V輸入情況下，三星60W零待機功耗氮化鎵充電器的空載待機功耗為1.23mW。

220V輸入情況下，三星60W零待機功耗氮化鎵充電器的空載待機功耗為1.8mW（由0.0018W換算而得）。

據《IEC62301 家用電器待機功耗的測量》這一標準規定，功耗<5mW即為零待機，基于晶豐明源BP87650A+BP62650A電源方案設計的這款三星充電器實測數據完全符合標準。

三星60W零待機功耗氮化鎵充電器拆解

將充電器機身頂部外殼拆開，邊緣采用超聲波焊接封裝。

由于PCBA模塊灌膠的緣故，固定十分牢固，只能通過進一步切割外殼取出。

殼體內側四面均做了絕緣散熱設計。

內側粘貼的都是銅箔以及耐高溫絕緣膠帶。

輸入端為接觸式通電設計，插腳與金屬片壓接。

實測PCBA模塊長度為44.45mm。

寬度為42.81mm。

厚度為23.66mm。

PCBA模塊包裹散熱銅片，同時輸入端以及中段區域灌膠處理。

將導熱膠以及散熱銅片清理掉，散熱銅片一體式設計，并且完全包裹膠帶絕緣，對應PCB板背面部分還貼有麥拉片進行隔離。

PCBA模塊正面設有共模電感、濾波電容、變壓器等器件，整體布局緊湊有序。模塊左側還焊接兩塊小板，初次級間做了隔離，USB-C接口母座外套塑料殼加固保護。

主板背面設有初級主控芯片、磁耦、貼片Y電容以及協議芯片。

PCBA模塊一側焊接輸入小板、共模電感、整流小板、高壓濾波電解電容以及差模電感，整流小板兩面都貼有導熱陶瓷板。

將輸入小板拆下，板子正面設有延時保險絲以及共模電感。

延時保險絲來自貝特電子，出料號932，規格為2A 250V。

小板上共模電感打膠加固。

另一顆共模電感特寫，采用兩顆濾除EMI干擾。

整流橋型號RULBF810T。

高壓濾波電解電容來自CapXon豐賓，規格為400V27μF。

差模電感包裹絕緣膠帶。

模塊前端設有另外三顆高壓濾波電解電容。

三顆高壓濾波電解電容也是來自豐賓，規格都是400V18μF。

另一側設有主控芯片供電電容、變壓器以及固態濾波電容，變壓器外套塑料殼加固，同時起到隔離絕緣作用。

將電容、變壓器等器件拆掉后，可以看到主板正面變壓器下方區域還設有氮化鎵功率開關管、次級控制器、同步整流管以及VBUS開關管。

主控芯片供電電容來自豐賓，規格為80V10μF。

初級主控芯片來自BPS晶豐明源，型號BP87650A，這是一款高性能準諧振反激式控制器，可在快速充電器應用中實現零空載功耗。該芯片通過磁耦合器BP818與次級側控制器BP62650A進行通信，實現次級側調節。由于磁耦合器工作時無需偏置電流，系統空載功耗顯著降低至5mW以下。

BP87650A工作在QR/DCM常規模式下，并采用谷底開關技術以實現高效率與優良的EMI性能。其集成了增強型氮化鎵功率晶體管柵極驅動器、700V高壓啟動電流源以及支持高達150V輸入的輔助供電模塊，高度集成的特性可大幅減少外部元件數量并降低系統成本，是緊湊型旅行適配器應用的理想選擇。

BP87650A還提供完備的保護功能，確保系統在異常條件下免受損壞。芯片采用SSOP-10封裝，符合MSL-3濕敏等級標準。

氮化鎵功率開關管來自納微，型號NV6015C，這是一顆高性能增強型氮化鎵功率開關管，內部集成Source Kelvin引腳以增強抗噪能力。采用底部散熱的5×6mm QFN封裝，有效降低熱阻和封裝電感，節省占板面積。

NV6015C內置150mΩ導通電阻，耐壓700V（支持800V瞬態過壓），開關頻率高達10MHz，具有超低的柵極電荷、零反向恢復電荷和低輸出電荷，顯著降低開關損耗。

變壓器特寫。

晶豐明源專利的磁耦通訊反饋元件BP818，與光耦外觀相同，已經通過了全球安規認證。器件內置兩個耦合線圈用于初次級通信，無需偏置電流，有效降低了待機功耗。

晶豐明源BP818資料信息。

貼片Y電容來自四川特銳祥科技股份有限公司，具有體積小、重量輕等特色，非常適合應用于氮化鎵快充這類高密度電源產品中。料號為TMY1101K。

特銳祥貼片Y電容資料信息。

晶豐明源BP62650A是一款AC/DC次級側控制器，與BP87650A配合使用，可在旅行適配器應用中實現零待機功耗。該芯片采用基于輸出電壓紋波的控制算法，可實現快速瞬態響應，同時無需復雜的環路補償電路。

BP62650A通過磁耦合器BP818向初級側控制器發送請求信號，實現對輸出電壓的調節。在待機狀態下，BP62650A可受控進入超低功耗休眠模式，次級側功耗極低，同時消除了反饋電阻網絡的損耗，且磁耦合器無需偏置電流，所有這些使得系統功耗遠低于5mW。

BP62650A集成了先進的同步整流控制器，可優化驅動占空比，提升系統效率。借助電荷泵供電，其輸出電壓可低至2.8V。芯片采用QFN3*3-16L封裝，符合MSL-3濕敏等級標準。

同步整流管來自韓國SemiHow，型號HRLF69N10，采用DFN5*6封裝。

兩顆輸出濾波固態電容也是來自豐賓，規格均為28V390μF。

協議芯片同樣來自晶豐明源，型號BP63430N，這是一款高度集成的Type-C/PD和DPDM快充協議源端控制器，符合最新的USB Type-C和PD 3.1標準，支持BC1.2、QC5/4+/3+/3.0/2.0、UFCS等主流快充協議，并支持私有協議定制，適用于電源適配器、墻插充電器、車載充電器等應用。

BP63430N集成了32位處理器、多個GPIO和定時器、I2C與UART接口、12位ADC、VIN和VBUS放電路徑、用于VBUS調節以支持寬工作電壓范圍（最大額定值25V）的12位DAC、用于控制外部VBUS NMOS負載開關的柵極驅動器以及保護電路。芯片采用QFN4*4-20L封裝。

輸出VBUS開關管絲印65N03，采用DFN3*3封裝。

全部拆解一覽，來張全家福。

充電頭網拆解總結

最后附上三星60W零待機功耗氮化鎵快充充電器的核心器件清單，方便大家查閱。

三星60W零待機功耗氮化鎵快充充電器延續了家族經典的黑色磨砂外觀設計，配備新國標插腳與單USB-C接口，支持PD3.0、PPS、QC5快充協議，可為三星Galaxy S26 Ultra等旗艦機型提供最高60W快充功率。

實測充電器在110V和220V空載條件下，待機功耗分別為1.23mW和1.8mW，遠低于IEC62301標準規定的5mW零待機門檻，能效表現極為出色。

拆解發現產品采用了晶豐明源BP87650A+BP62650A零待機功耗電源方案，搭配其專利的磁耦通訊反饋元件BP818，無需偏置電流即可實現初次級通信，從根本上消除了反饋環路帶來的待機損耗。此外，協議芯片同樣采用晶豐明源BP63430N，實現了從初級控制到次級協議的全套解決方案。

正是這套方案的深度賦能，有力助力三星快充產品的待機功耗做到毫瓦級別，兌現當年的能效承諾。晶豐明源全套零待機方案能夠打入三星全球旗艦機充電器供應鏈，更意味著三星對晶豐明源方案技術成熟度、產品穩定性及量產交付能力的高度認可，標志著國產模擬芯片在高端快充領域已具備與國際一線大廠同臺競技的實力。