星元晶算發布1nm芯片路線圖：搶跑下一代算力供給能力

2026年4月9日，AI芯片創新企業星元晶算對外正式發布面向2030年的1nm級芯片技術路線圖。

此次規劃以“架構代制程”為核心策略，摒棄單純依賴光刻微縮的傳統思路，通過堆疊、光直連、二維材料層嵌入、全異質集成等多種工程方法的組合，在現有工藝基礎上達成等效算力突破，清晰勾勒出分階段技術演進藍圖，旨在搶跑下一代算力供給賽道，破解行業算力瓶頸。

其遠期目標鎖定在2030年前后，構建起支撐10太瓦（TW）量級AI集群的等效算力供給體系，其算力密度與能效比預期將達到馬斯克Terafab計劃初期指標的10倍以上。

核心策略：以“架構代制程”破局，搶占算力供給先機

先進異構集成高能效算力芯片面臨的不僅是光刻精度問題，還包括散熱、量子隧穿、材料特性、環境控制、良率、EDA工具等多重物理與工程瓶頸，沒有任何一家企業能在每個環節都自主突破——尤其是在EUV光刻面臨物理極限、成本高企的當下，單純依賴光刻微縮已難以滿足下一代算力供給的迫切需求。

星元晶算負責人強調，“我們選擇不硬啃每一根骨頭，而是用架構的智慧把能用的技術組合起來，以架構代制程達成換道超車，不追求單一工藝節點的數字縮小，而是在可落地的技術邊界內達成等效算力性能，提前布局下一代算力供給能力。”

業界共識顯示，先進算力芯片的底層邏輯并非單純縮小線寬，而是持續提升單位面積的算力性能，傳統硅基路線從FinFET到GAA再到CFET已接近物理極限，二維半導體成為1nm及以下節點的材料必然選擇。

星元晶算的“架構代制程”策略，正是將二維材料與3D堆疊、光直連等工程方法深度耦合，用系統級設計彌補單點工藝不足，為下一代算力供給提供可行路徑。

全鏈條技術路徑：雙軌并行，分階夯實算力供給基礎

星元晶算的技術路線圖，以二維半導體材料與組合工程方法為雙起點，規劃了兩條并行的技術路徑，逐步推進工藝升級與算力規模拓展，各階段規劃均結合專家論證與產業實際制定，兼具前瞻性與可行性。

其中，短期依托二維半導體材料的前沿成果，快速啟動工程化驗證；長期依托堆疊、光直連、二維材料層嵌入、全異質集成等方向，以預研和內部驗證方式穩步推進，兩條路線共享基礎研究成果，互為備份。

這一分階段規劃貼合行業技術發展規律，既避免了陷入“單點突破”的幻想，也確保了每一項工程方法都能在現有技術基礎上快速閉環，與國際前沿的技術演進思路高度契合，更通過階梯式推進，確保下一代算力供給能力穩步提升、提前落地。

開放合作模式：發起創新平臺，匯聚共研力量，加速算力供給突破

先進異構集成高能效算力芯片的研發涉及材料、器件、封裝、架構、軟件等多個維度，單一企業無法包攬所有環節——尤其在先進封裝、EDA工具等算力供給關鍵環節，需要產業鏈協同發力。星元晶算聯合產業鏈伙伴，將學術界的前沿突破轉化為可工程化的技術模塊，再通過架構組合形成系統級解決方案，不搞“閉門造車”，而是依托產業鏈協同達成技術快速落地，為下一代算力供給搶占時間先機。

在此基礎上，星元晶算發起“端側AI算力開放創新平臺”倡議，誠邀二維半導體材料供應商、封裝廠、設備商、EDA工具商、IP供應商及高校研究機構共同參與，匯聚產學研用力量，聚焦算力供給相關技術突破。

目前，已與多家國內外頂尖學術團隊建立初步溝通，探討聯合研發、技術許可或顧問聘任等合作模式，學術界在超短溝道器件、晶圓級材料均勻生長、柔性存算一體芯片等方面的突破，為公司提供了關鍵技術參照；同時在堆疊、光直連、異質集成等工程方向，積極與封裝廠、設備商合作，確保每一項工程方法都有明確的產業化落地路徑，為算力供給能力快速提升提供保障。

長期主義布局：動態調整，錨定自主可控，鞏固算力供給領先地位

星元晶算秉持長期主義布局，此次發布的1nm芯片路線圖以“搶跑下一代算力供給能力”為核心導向，錨定自主可控目標，并非刻板的時間規劃，而是面向2030年的動態推進方案。

面對多重技術瓶頸，公司摒棄盲目追新、急于求成的心態，在攻堅核心技術的同時，通過系統級架構創新組合成熟與前沿技術，規避“單點突破”誤區，路線圖各階段節點將根據技術突破、產業鏈成熟度及合作進展動態調整，優先落地貼近現有技術基礎的方案，穩步夯實根基，確保算力供給能力穩步提升、提前兌現。

立足中國產業實際，星元晶算以“架構代制程”為核心、全鏈條自主化為目標、開放合作為路徑，為突破先進制程瓶頸、達成AI芯片自主可控提供了可落地路徑。

目前，核心研發團隊加速組建、產學研協同力量持續匯聚，隨著共研深化，先進異構集成高能效算力芯片技術落地進程將持續加快，推動中國AI芯片產業自主化迎來新突破，讓下一代算力供給的“中國方案”落地生根。