山東
IT之家 5 月 15 日消息，據韓媒 Etnews 上周（5 月 12 日）報道，三星電子正在開發下一代 HBM 技術，以便在移動設備上實現更高性能的端側 AI。
業內人士透露，三星正在研發多層堆疊 FOWLP（Multi Stacked FOWLP）技術，目標在智能手機、平板等移動設備中實現更大容量、更高帶寬的 HBM。這些設備的空間相比服務器機柜簡直是九牛一毛，對功耗、發熱控制的要求非常嚴格，因此無法直接照搬現有方案。
據悉，目前主流的 LPDDR 內存普遍采用引線鍵合（Wire Bonding）技術，這種方案的 IO 數量有限、信號損耗較大、散熱效率不足，無法結合 HBM 技術。因此三星計劃采用改進的 VCS 方案，將芯片內部的銅柱從 3:1~5:1 提升至 15:1~20:1，可在有限面積中塞入更多銅線，進一步提升帶寬。
不過，當銅柱直徑低于 10 微米時就容易出現彎曲、斷裂等不穩定現象。因此三星決定采用 FOWLP 技術作為補強。先對芯片進行模塑（IT之家注：Molding），然后把布線向外圍擴展，同時承擔支撐銅柱作用，防止變形。
如果這套方案能成功驗證，理論帶寬可提升 15-30%，并且還能在相同空間下塞入更多 I/O 接口。
雖然這套方案還處于研發階段，但業內認為，三星最快會在 Exynos 2800 后期版本或 Exynos 2900 中集成相關技術。
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