山東
IT之家 5 月 5 日消息，據《The Elec》昨日（5 月 4 日）報道，三大內存制造商 —— 三星、SK 海力士和美光正在加速 DDR6 內存的開發。這項新技術預計將進一步提升 DDR5 標準的性能，并在各個方面提供改進。
報道稱，盡管 JEDEC 標準尚未最終確定，但這些內存制造商已經要求基板供應商準備設計，目標是準備測試樣品，以便在 DDR6 接近大規模生產之前做好準備。
一位來自基板行業的人士表示：“內存公司和基板制造商通常在產品推出前兩年以上進行聯合開發。DDR6 的初步開發最近才剛剛開始。”
報道提到，DDR6 預計將比 DDR5 帶來大幅速度提升。早前的 JEDEC 路線圖信息顯示，DDR6 速度最高可達 17.6 Gbps，大約是 DDR5 計劃上限的兩倍。商用 DDR6 內存目前預計將在 2028 年至 2029 年左右推出。
IT之家注意到，JEDEC 已在去年發布了 LPDDR6 標準，計劃為 LPDDR6 提供位寬減半的 x6 子通道模式，允許在單一封裝中集成更多內存裸片，LPDDR6 也有望實現 512GB 系統內存容量。
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