韓國存儲(chǔ)廠商SK 海力士宣布,其應(yīng)用于高帶寬內(nèi)存(HBM)模組的混合鍵合封裝技術(shù)良率已實(shí)現(xiàn)提升。混合鍵合技術(shù)可讓存儲(chǔ)芯片廠商無需借助微凸點(diǎn),即可完成存儲(chǔ)晶圓層間的鍵合連接。這種直接接觸的互聯(lián)方式能夠降低發(fā)熱,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更高傳輸速率與更優(yōu)能效表現(xiàn)。據(jù)韓國媒體《The Elec》報(bào)道,海力士技術(shù)負(fù)責(zé)人金鐘勛(Kim Jong-hoon)在韓國舉辦的超越 HBM—— 先進(jìn)封裝核心技術(shù):從下一代基板到模組行業(yè)會(huì)議上,公布了這一技術(shù)進(jìn)展。
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全新封裝技術(shù)將落地下一代 HBM4 內(nèi)存芯片
高帶寬內(nèi)存通過多層存儲(chǔ)裸片垂直堆疊,再進(jìn)行整體封裝制成。傳統(tǒng)堆疊方案普遍依靠微凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)裸片互聯(lián),目前主流 HBM 產(chǎn)品多為 8 層、12 層堆疊設(shè)計(jì)。
為進(jìn)一步提升傳輸速度、性能與單顆容量,HBM4、HBM5 等下一代內(nèi)存模組需要堆疊更多晶圓層;同時(shí),受限于設(shè)備空間要求,封裝整體尺寸必須嚴(yán)格控制。在此背景下,混合鍵合技術(shù)去除了裸片之間的微凸點(diǎn)結(jié)構(gòu),讓廠商能夠在同等封裝體積內(nèi),實(shí)現(xiàn)更多晶圓層的高密度堆疊。
海力士官宣,標(biāo)志 HBM 市場取得關(guān)鍵技術(shù)突破
據(jù)《The Elec》消息,海力士技術(shù)高管金鐘勛于首爾這場封裝技術(shù)峰會(huì)上透露,公司已成功完成12 層裸片堆疊HBM的混合鍵合工藝驗(yàn)證。他補(bǔ)充表示:“目前我們正全力提升工藝良率,使其達(dá)到大規(guī)模量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。具體良率數(shù)值暫無法公開,但整體量產(chǎn)籌備進(jìn)度較以往大幅提速。”
混合鍵合量產(chǎn)落地前,海力士持續(xù)迭代高端底部填充工藝
在混合鍵合技術(shù)量產(chǎn)商用之前,海力士將繼續(xù)沿用大規(guī)模回流成型底部填充工藝(MR-MUF)。該工藝與混合鍵合的目標(biāo)一致,均以縮小裸片間隙為核心優(yōu)化方向,但區(qū)別在于:MR-MUF 方案仍保留銅質(zhì)微凸點(diǎn)互聯(lián)結(jié)構(gòu),通過整體加熱堆疊組件,再以底部填充膠填充裸片間隙,實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)加固與性能優(yōu)化。
HBM 內(nèi)存雖主要面向企業(yè)級(jí)計(jì)算與高端算力負(fù)載場景,但混合鍵合帶來的性能升級(jí),同樣會(huì)為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品帶來增益。不過受全球數(shù)據(jù)中心海量需求驅(qū)動(dòng),HBM 芯片將長期面臨高價(jià)、供貨緊缺的現(xiàn)狀,行業(yè)產(chǎn)能與工藝瓶頸仍將持續(xù)存在。
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