海力士官宣：HBM關(guān)鍵技術(shù)突破！

韓國存儲(chǔ)廠商SK 海力士宣布，其應(yīng)用于高帶寬內(nèi)存（HBM）模組的混合鍵合封裝技術(shù)良率已實(shí)現(xiàn)提升。混合鍵合技術(shù)可讓存儲(chǔ)芯片廠商無需借助微凸點(diǎn)，即可完成存儲(chǔ)晶圓層間的鍵合連接。這種直接接觸的互聯(lián)方式能夠降低發(fā)熱，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更高傳輸速率與更優(yōu)能效表現(xiàn)。據(jù)韓國媒體《The Elec》報(bào)道，海力士技術(shù)負(fù)責(zé)人金鐘勛（Kim Jong-hoon）在韓國舉辦的超越 HBM—— 先進(jìn)封裝核心技術(shù)：從下一代基板到模組行業(yè)會(huì)議上，公布了這一技術(shù)進(jìn)展。

全新封裝技術(shù)將落地下一代 HBM4 內(nèi)存芯片

高帶寬內(nèi)存通過多層存儲(chǔ)裸片垂直堆疊，再進(jìn)行整體封裝制成。傳統(tǒng)堆疊方案普遍依靠微凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)裸片互聯(lián)，目前主流 HBM 產(chǎn)品多為 8 層、12 層堆疊設(shè)計(jì)。

為進(jìn)一步提升傳輸速度、性能與單顆容量，HBM4、HBM5 等下一代內(nèi)存模組需要堆疊更多晶圓層；同時(shí)，受限于設(shè)備空間要求，封裝整體尺寸必須嚴(yán)格控制。在此背景下，混合鍵合技術(shù)去除了裸片之間的微凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，讓廠商能夠在同等封裝體積內(nèi)，實(shí)現(xiàn)更多晶圓層的高密度堆疊。

海力士官宣，標(biāo)志 HBM 市場取得關(guān)鍵技術(shù)突破

據(jù)《The Elec》消息，海力士技術(shù)高管金鐘勛于首爾這場封裝技術(shù)峰會(huì)上透露，公司已成功完成12 層裸片堆疊HBM的混合鍵合工藝驗(yàn)證。他補(bǔ)充表示：“目前我們正全力提升工藝良率，使其達(dá)到大規(guī)模量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。具體良率數(shù)值暫無法公開，但整體量產(chǎn)籌備進(jìn)度較以往大幅提速。”

混合鍵合量產(chǎn)落地前，海力士持續(xù)迭代高端底部填充工藝

在混合鍵合技術(shù)量產(chǎn)商用之前，海力士將繼續(xù)沿用大規(guī)模回流成型底部填充工藝（MR-MUF）。該工藝與混合鍵合的目標(biāo)一致，均以縮小裸片間隙為核心優(yōu)化方向，但區(qū)別在于：MR-MUF 方案仍保留銅質(zhì)微凸點(diǎn)互聯(lián)結(jié)構(gòu)，通過整體加熱堆疊組件，再以底部填充膠填充裸片間隙，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)加固與性能優(yōu)化。

HBM 內(nèi)存雖主要面向企業(yè)級(jí)計(jì)算與高端算力負(fù)載場景，但混合鍵合帶來的性能升級(jí)，同樣會(huì)為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品帶來增益。不過受全球數(shù)據(jù)中心海量需求驅(qū)動(dòng)，HBM 芯片將長期面臨高價(jià)、供貨緊缺的現(xiàn)狀，行業(yè)產(chǎn)能與工藝瓶頸仍將持續(xù)存在。

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