M31攜手臺(tái)積電完成 eUSB2V2 在 N2P 工藝流片，強(qiáng)化先進(jìn)工藝設(shè)計(jì) IP 生態(tài)系統(tǒng)

新竹2026年4月23日--全球硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商 M31 円星科技（M31）今日于 2026 年臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)宣布，其 eUSB2V2 接口 IP 已于臺(tái)積電（TSMC）N2P 工藝完成流片（Tapeout）。M31 表示，該成果展現(xiàn)公司在先進(jìn)工藝接口IP的投入，并將強(qiáng)化 2 納米世代的設(shè)計(jì)，支援客戶于高整合 SoC 中導(dǎo)入高速、低功耗的連結(jié)接口。

M31攜手臺(tái)積電完成 eUSB2V2 在 N2P 工藝流片，強(qiáng)化先進(jìn)工藝設(shè)計(jì) IP 生態(tài)系統(tǒng)

隨著先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，SoC 朝更高計(jì)算密度與更嚴(yán)苛能效（Energy Efficiency）目標(biāo)邁進(jìn)，I/O 接口除了需滿足高速傳輸與相容性，必須在更低工作電壓與更緊縮的功耗預(yù)算下，維持穩(wěn)健的訊號(hào)品質(zhì)與可制造性。M31 本次完成流片的 eUSB2V2，是針對(duì) TSMC N2P 平臺(tái)特性進(jìn)行設(shè)計(jì)、電路與布局（Layout）層級(jí)的協(xié)同優(yōu)化，以提升整體效能與功耗效率，并兼顧面積使用效率與系統(tǒng)整合彈性。

技術(shù)重點(diǎn)方面， 在與既有 USB 2.0 生態(tài)系統(tǒng)相容的前提下，支援 1.2V/0.9V 低電壓操作，通過強(qiáng)化類比前端設(shè)計(jì)，包含導(dǎo)入可編程傳輸去加重（De-emphasis）與接收端 CTLE/VGA 等化技術(shù)，顯著提升在先進(jìn)工藝下傳輸通道的穩(wěn)健性與設(shè)計(jì)彈性。在性能表現(xiàn)上，eUSB2V2 最高可支援 4.8 Gbps(HS10) 傳輸速率，并通過全新的等時(shí)傳輸突發(fā)機(jī)制 (Isochronous Burst) 提高同時(shí)傳輸?shù)男省USB2V2支援非對(duì)稱頻寬的 HSUx/HSDx 模式，預(yù)期在標(biāo)準(zhǔn)操作模式下達(dá)成 50mW 的極佳功耗表現(xiàn)。搭配N2P 工藝，尤其適合 AI、HPC 與移動(dòng)設(shè)備等追求高效能與低功耗平衡的應(yīng)用。

針對(duì)此次在 N2P 平臺(tái)的成果，M31 總經(jīng)理張?jiān)赋觯?2 納米接口 IP 需貼合工藝平臺(tái)，方能提升設(shè)計(jì)效率，并加速上市時(shí)程"，他進(jìn)一步分享："M31 此次完成eUSB2V2 IP 于 TSMC N2P 工藝的流片，正是以平臺(tái)導(dǎo)向?yàn)楹诵模瑓f(xié)助客戶更有效率地導(dǎo)入關(guān)鍵接口、縮短從設(shè)計(jì)推進(jìn)到量產(chǎn)準(zhǔn)備的時(shí)間，并強(qiáng)化 2 納米節(jié)點(diǎn)的整體競(jìng)爭(zhēng)力。"

M31 強(qiáng)調(diào)，本次能達(dá)成流片的里程碑，來自與 TSMC 在先進(jìn)工藝 IP 開發(fā)的密切合作，包括依循平臺(tái)設(shè)計(jì)方法學(xué)、針對(duì)工藝與 I/O 條件進(jìn)行電路與布局層級(jí)的調(diào)校，并配合平臺(tái)設(shè)計(jì)參考流程。在 TSMC 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上驗(yàn)證的 IP，有助于提高M(jìn)31與 TSMC 之共同客戶提升接口整合、系統(tǒng)驗(yàn)證和產(chǎn)品進(jìn)度計(jì)劃的效率。

展望未來，M31 規(guī)劃將本次 2 納米 eUSB2V2 IP 的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)延伸更多 TSMC 的先進(jìn)工藝，并持續(xù)支援AI、邊緣運(yùn)算與智能終端等成長(zhǎng)動(dòng)能，同時(shí)提升IP 平臺(tái)之長(zhǎng)期價(jià)值。