【簡訊】REDMI K90 Max搭載天璣9500+獨顯芯片D2；棣山科技曬自研2nm高端AI GPU…

REDMI K90 Max官宣搭載天璣9500+獨顯芯片D2

REDMI K90 Max將于4月21日19:00發(fā)布，定位性能魔王，主打極致游戲體驗。今天，REDMI官宣該機的核心配置，K90 Max搭載天璣9500+獨顯芯片D2雙芯組合，支持全游戲165fps插幀。獨顯芯片D2與天璣9500組成“狂暴雙芯”，專門負(fù)責(zé)游戲插幀、超分與畫質(zhì)優(yōu)化，可將游戲提升至165幀，即便原生并未適配，也能實現(xiàn)165fps的超流暢畫面。

該機正面搭載6.83英寸165Hz電競直屏，峰值亮度3500nits，原生支持超40款主流游戲165fps模式。

散熱是K90 Max的另一大亮點，這是小米首款主動風(fēng)冷手機，內(nèi)置18.1mm直立式進(jìn)風(fēng)風(fēng)扇，風(fēng)量0.42CFM，100秒可降溫10℃，連續(xù)5小時高負(fù)載游戲無明顯熱感。懸浮式風(fēng)冷架構(gòu)獨立密閉風(fēng)道，不影響整機的IP66/IP68/IP69防塵防水大滿貫。

此外，K90 Max預(yù)計配備8000mAh大電池+100W快充，LPDDR5X+UFS4.1存儲組合。

棣山科技曬自研2nm高端AI GPU

近日，上海棣山科技對外披露其2nm高端AI GPU芯片最新研發(fā)進(jìn)展。據(jù)悉，該公司自主攻關(guān)的這款芯片已達(dá)到國際前沿設(shè)計水平，目前核心研發(fā)工作仍處于原型驗證關(guān)鍵階段。

該款2nm AI GPU原型芯片采用FinFET/GAA混合制程與Chiplet異構(gòu)集成架構(gòu)，搭載公司自主研發(fā)的“棣山智核（DS- Core）”，核心晶體管數(shù)量達(dá)1700億顆，采用2.5D CoWoS-L先進(jìn)封裝技術(shù)。

性能表現(xiàn)上，這款芯片F(xiàn)P32單精度算力可達(dá)50 TFLOPS，F(xiàn)P16半精度算力達(dá)100 TFLOPS，F(xiàn)P4低精度算力高達(dá)400 TFLOPS，可靈活適配不同精度需求的人工智能大模型訓(xùn)練、推理等高端算力場景；能效比較上一代產(chǎn)品提升40%，典型功耗控制在350W以內(nèi)，每瓦算力可達(dá)142 GFLOPS。

同時，研發(fā)團(tuán)隊成功攻克高帶寬內(nèi)存（HBM）封裝互聯(lián)、超低延遲片間通信（<0.25ns/mm）、微流道高效熱管理三大核心技術(shù)瓶頸，其中搭載的HBM4內(nèi)存單顆容量達(dá)48GB，引腳速率超11Gb/s，內(nèi)存帶寬可達(dá)3.2TB/s；微流道熱管理技術(shù)可使芯片熱失控風(fēng)險降低68%，芯片工作溫度穩(wěn)定控制在85℃以下。

此外，該芯片支持NVLink 6兼容互連協(xié)議，單鏈路帶寬達(dá)1.6TB/s，多芯片互聯(lián)時可實現(xiàn)無瓶頸協(xié)同運算，進(jìn)一步提升整體算力規(guī)模，同時兼容主流CUDA軟件生態(tài)。

英特爾帶來全球最薄氮化鎵芯片

近日，英特爾公布了新的研究成果，基于12英寸（300mm）氮化鎵（GaN）晶圓，打造了全球最薄的氮化鎵芯片，英特爾已經(jīng)將硅襯底厚度縮減至19μm（微米）。

同時，英特爾還實現(xiàn)了業(yè)界是個氮化鎵功率晶體管與硅基數(shù)字邏輯電路的單片集成，將復(fù)雜的計算功能直接嵌入到功率芯片里，無需分立輔助芯片，簡化了架構(gòu)，并降低了組件之間的能量損失。這一創(chuàng)新的需求源于現(xiàn)代電子行業(yè)的一個根本張力，即更緊湊的空間中容納更多能力，而且能同時實現(xiàn)更高效的處理，提供更高的功率、速度和效率。

經(jīng)過英特爾的嚴(yán)格測試，顯示GaN晶體管可承受高達(dá)78V的電壓，并實現(xiàn)超過300GHz的射頻截止頻率，完全滿足高頻通信應(yīng)用的需求。集成的數(shù)字邏輯庫運行可靠，反相器開關(guān)速度快至33ps（皮秒），而且保持了高度的性能一致性，即便在高溫高壓環(huán)境下也能滿足運行要求。

英特爾表示，新的氮化鎵芯片技術(shù)是一個具有前景的候選產(chǎn)品，能夠滿足實際部署所需的可靠性標(biāo)準(zhǔn)——使電子設(shè)備更小、更高效，適用于從數(shù)據(jù)中心到下一代5G/6G通信等各種應(yīng)用。

華碩發(fā)布TUF GAMING B850I WIFI NEO主板

日前，華碩正式發(fā)布TUF GAMING B850I WIFI NEO主板。這是TUF GAMING系列首款Mini-ITX（尺寸為17×17cm）板型產(chǎn)品。該主板依托AMD B850芯片組構(gòu)建，搭載AM5插座，全面支持Ryzen 7000/8000/9000系列處理器，融入了華碩AI解決方案。主板供電部分采用8+2+1相（80A）VRM設(shè)計，配備10層PCB和2oz低損耗銅基板，提升高負(fù)載下的穩(wěn)定性。

擴展插槽方面，板載一條PCIe 5.0 x16全長插槽。存儲接口配有兩個M.2 2260/2280插槽，一個為PCIe 5.0 x4通道（CPU直連），另一個為PCIe 4.0 x4通道（連接PCH），另外還有兩個SATA III接口。內(nèi)存提供兩條DDR5插槽，最高支持128GB容量。網(wǎng)絡(luò)板載2.5GbE有線網(wǎng)卡和Wi-Fi 6E無線網(wǎng)卡。

后置I/O采用一體式擋板，接口包括：一個USB 20Gbps Type-C、兩個USB 10Gbps Type-A、一個USB 5Gbps Type-A、兩個USB 2.0、一個HDMI 2.1、一個DisplayPort 1.4、一個2.5Gbps網(wǎng)口以及音頻插孔。前置多種規(guī)格USB接針，集成BIOS FlashBack等實用按鈕。

綠聯(lián)、比亞迪電池達(dá)成戰(zhàn)略合作

近日，綠聯(lián)科技與比亞迪電池在深圳正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將圍繞移動電源新國標(biāo)電芯展開深度合作。據(jù)悉，綠聯(lián)是移動電源新國標(biāo)起草單位之一，比亞迪則擁有完整電芯產(chǎn)業(yè)鏈與車規(guī)級電池技術(shù)積累。

綠聯(lián)表示，達(dá)成合作后將與比亞迪電池聯(lián)合研發(fā)并量產(chǎn)符合新國標(biāo)的高安全電芯，并將其全面導(dǎo)入綠聯(lián)新一代移動電源產(chǎn)品，為用戶帶來更安心、更耐用的移動電源產(chǎn)品。

新國標(biāo)將于2027年4月1日實施，大幅提升高溫、過充、擠壓等場景安全要求，新增循環(huán)老化析鋰檢測，降低長期使用短路風(fēng)險。其中增加針刺測試要求：用4mm鋼針以20±1mm/s速度垂直穿刺滿電電芯幾何中心，停留5分鐘，產(chǎn)品需不起火、不爆炸、不漏液。同時，標(biāo)準(zhǔn)還加嚴(yán)熱濫用至135℃±2℃持續(xù)60分鐘，新增整機跌落、重物沖擊等機械安全測試。充電至1.3倍充電限制電壓，再恒壓充電1個小時，或者總充電時間達(dá)到7個小時，不起火不爆炸。

REDMI顯示器G Pro 2026系列公布

今天，小米正式推出REDMI顯示器G Pro 2026系列，提供27英寸G Pro 27U與31.5英寸G Pro 32U兩款型號，全系搭載QD-Mini LED屏幕，擁有1152分區(qū)背光，實現(xiàn)精密控光；搭載量子點超廣色域，覆蓋98%DCI-P3、100%Adobe RGB、100%sRGB，通過DisplayHDR 1000與杜比視界認(rèn)證。

屏幕全面升級高畫質(zhì)低反屏，整機反射率低至2.6%，大幅減少環(huán)境光干擾，開燈、床邊場景也不會出現(xiàn)畫面泛白，同時搭載小米青山護(hù)眼，實現(xiàn)硬件級低藍(lán)光護(hù)眼。支持雙高刷模式自由切換，4K 160Hz模式適配3A大作，1080P 320Hz模式滿足FPS電競需求，擁有1ms GTG響應(yīng)時間，搭配AMD FreeSync Premium Pro技術(shù)，實現(xiàn)低延遲、無撕裂、更清晰的畫面表現(xiàn)。

內(nèi)置戰(zhàn)術(shù)輔助組件，支持準(zhǔn)星、狙擊鏡、暗場增強Pro等功能，玩游戲更超神；內(nèi)置雙5W立體聲音響，支持HDMI eARC音頻回傳。預(yù)裝小米澎湃OS 3系統(tǒng)，支持實現(xiàn)顯示器/電視雙形態(tài)切換，遙控器一鍵秒變電視，內(nèi)置四核A73處理器、3+32GB存儲組合，自帶小愛同學(xué)，無需遙控器即可呼叫。

顯示器底部配備全新炫彩底光燈效，支持純色模式、照明模式、屏幕同色等多種燈效可選。

接口方面，擁有四路全接口拓展，雙USB 3.0、雙HDMI 2.1滿血接口、DP1.4、HDMI eARC音頻回傳，Type-C最高90W反向充電。

目前該顯示器已開啟預(yù)售，首發(fā)到手價分別為2699元、3199元。

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