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全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈,深紫外(DUV)光刻機(jī)的對(duì)中國(guó)出口,已成為西方技術(shù)管制的關(guān)鍵領(lǐng)域。繼先進(jìn) EUV 光刻機(jī)遭全面禁售后,DUV 光刻機(jī)的對(duì)中國(guó)供應(yīng)也接連受阻,而中國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備正加快技術(shù)突破,自主替代進(jìn)程穩(wěn)步推進(jìn)。
2025 年 12 月,荷蘭以所謂 “涉軍” 為由,對(duì) ASML DUV 光刻機(jī)對(duì)中國(guó)銷售進(jìn)行阻撓。據(jù)荷蘭國(guó)家廣播公司報(bào)道,ASML 方面明確,對(duì)中國(guó)銷售的 DUV 光刻機(jī)屬于成熟制程設(shè)備,分辨率約 38nm,并不適用于先進(jìn)芯片制造。但部分外媒仍刻意炒作風(fēng)險(xiǎn),聲稱相關(guān)設(shè)備可能被用于軍事領(lǐng)域,甚至將相關(guān)科研采購(gòu)項(xiàng)目與軍事情報(bào)風(fēng)險(xiǎn)關(guān)聯(lián)。ASML 回應(yīng)稱,無(wú)法判定客戶是否受出口管制約束,相關(guān)國(guó)家安全監(jiān)管責(zé)任歸屬各國(guó)政府。這一事件標(biāo)志著,成熟制程所需的 DUV 光刻機(jī),也開始面臨不合理的出口限制。
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2026 年,美國(guó)進(jìn)一步加碼對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備管制,意圖全面封堵 DUV 光刻機(jī)供應(yīng)。2026 年 4 月 7 日,美國(guó)國(guó)會(huì)兩黨參議員聯(lián)合提出《MATCH 法案》,計(jì)劃對(duì)中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等 5 家中國(guó)核心半導(dǎo)體企業(yè),實(shí)施近乎全面的先進(jìn)晶圓制造設(shè)備出口禁令,DUV 光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備均在限制范圍內(nèi)。該法案雖未新增管制品類,卻改變了許可審批邏輯,由針對(duì)具體晶圓廠限制轉(zhuǎn)為針對(duì)企業(yè)主體限制,封堵中轉(zhuǎn)采購(gòu)漏洞,覆蓋設(shè)備交易、使用、維護(hù)等全生命周期,試圖切斷中國(guó)晶圓廠關(guān)鍵設(shè)備的穩(wěn)定供應(yīng)。
外部封鎖不斷升級(jí)的同時(shí),中國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備迎來(lái)快速發(fā)展。2026 年 2 月,日經(jīng)新聞亞洲版援引 Global Net 發(fā)布的 2025 年全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商報(bào)告顯示,全球市場(chǎng)長(zhǎng)期由美、日、歐企業(yè)主導(dǎo),ASML、應(yīng)用材料等穩(wěn)居前列,而中國(guó)產(chǎn)設(shè)備實(shí)現(xiàn)跨越式突破。北方華創(chuàng)躋身全球前五,業(yè)務(wù)覆蓋蝕刻、沉積、清洗等核心環(huán)節(jié);中微公司、上海微電子分別位列全球第 13、20 位,其中中微刻蝕機(jī)可應(yīng)用于 5nm 工藝,上海微電子是國(guó)內(nèi)唯一可批量供應(yīng)光刻機(jī)的企業(yè)。若擴(kuò)大至全球前 30 名,盛美上海、華海清科也成功入圍,中國(guó)產(chǎn)設(shè)備上榜企業(yè)數(shù)量較三年前增長(zhǎng)兩倍,自主替代成效顯著。
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當(dāng)前,全球半導(dǎo)體設(shè)備格局正發(fā)生深刻變化。西方對(duì) DUV 光刻機(jī)的層層管制,短期內(nèi)給中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)帶來(lái)一定壓力,但也推動(dòng)國(guó)內(nèi)加快核心技術(shù)攻關(guān)。從頭部企業(yè)躋身全球榜單,到關(guān)鍵設(shè)備逐步實(shí)現(xiàn)突破,中國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備正持續(xù)補(bǔ)齊產(chǎn)業(yè)鏈短板。未來(lái),隨著自主研發(fā)不斷深入,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控能力將持續(xù)提升,推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更加均衡多元的方向發(fā)展。
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